公开(公告)号：CN116931641B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202310941651.X

申请日：2023-07-28

申请人： 湖北汽车工业学院 ,  武汉高德红外股份有限公司

发明人： 孙帆 ,  黄海波 ,  高刃 ,  卢军 ,  隋纪祥 ,  程诗卿 ,  赵熠 ,  黄晟

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源电路，属于模拟集成电路领域，包括自偏置电流源电路、正温度系数电压产生电路和启动电路。自偏置电流源电路采用两个工作于亚阈值区的不同阈值电压的NMOS管构成堆叠结构，产生纳安量级的偏置电流和负温度系数电压。正温度系数电压产生电路采用PMOS差分对结构产生正温度系数电压，对负温度系数电压进行一阶曲率补偿；利用工作于截止区的NMOS管产生随温度近似成指数变化的漏电流，进行高阶曲率补偿，提高基准电压源的精度。启动电路在上电的瞬间消除零状态简并点，使电路进入正常工作的状态。本发明在无电阻和无BJT管的情况下，获得了低功耗、低电源电压和高精度的性能。

公开(公告)号：CN116931641A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310941651.X

申请日：2023-07-28

申请人： 湖北汽车工业学院 ,  武汉高德红外股份有限公司

发明人： 孙帆 ,  黄海波 ,  高刃 ,  卢军 ,  隋纪祥 ,  程诗卿 ,  赵熠 ,  黄晟

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源电路，属于模拟集成电路领域，包括自偏置电流源电路、正温度系数电压产生电路和启动电路。自偏置电流源电路采用两个工作于亚阈值区的不同阈值电压的NMOS管构成堆叠结构，产生纳安量级的偏置电流和负温度系数电压。正温度系数电压产生电路采用PMOS差分对结构产生正温度系数电压，对负温度系数电压进行一阶曲率补偿；利用工作于截止区的NMOS管产生随温度近似成指数变化的漏电流，进行高阶曲率补偿，提高基准电压源的精度。启动电路在上电的瞬间消除零状态简并点，使电路进入正常工作的状态。本发明在无电阻和无BJT管的情况下，获得了低功耗、低电源电压和高精度的性能。