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公开(公告)号：CN117748966B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410185661.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于频率自适应移相调制控制的效率最优控制方法及系统，通过计算变换器的归一化直流电压增益，利用调频和移相相结合的技术，有效地控制了变换器的工作状态，使其能在一定范围内调节输出电压；引入了智能优化算法以获得最佳的移相角度，保持在输出电压不变的情况下最大化变换器的效率，从而改善系统的性能并降低能源损耗。
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公开(公告)号：CN115630483A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211201721.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶模型的数字孪生模型建立方法及系统，实时采集物理实验平台在导通时的电感电流iL1.r、在关断时的电感电流iL2.r、在导通时的电容电压vC1.r和在关断时的电容电压vC2.r；采集数字孪生平台在导通时的电感电流iL1.d、在关断时的电感电流iL2.d、在导通时的电容电压vC1.d和在关断时的电容电压vC2.d；采用智能优化算法计算设立的适应度函数；当迭代的次数达到设立的次数时，输出此时的电感L、电容C、电容的寄生电阻Rc、电感的寄生电阻RL、开关管的寄生电阻Rdson、电感电流的阶次α和电容电压的阶次β；通过这些值得到最终的数字孪生模型。本发明可以有效的提升模型的精度。
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公开(公告)号：CN112349771A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011059252.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构，包括器件元胞和埋层型多调制环终端，所述器件元胞包括：N+ SiC衬底；位于所述N+ SiC衬底上的P缓冲层；位于所述P缓冲层上的P‑漂移区；位于所述P‑漂移区上的N基区，在N基区上进行离子注入形成门极区，位于所述N基区上的P+阳极区；所述埋层型多调制环终端距离P‑漂移区上表面的深度d≧0.3um。本发明还公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构的制备方法。本发明可以有效缓解因漂移区上表面SiO2/SiC界面区域内的固定电荷对终端结构的影响，充分发挥终端结构的效果，缓解主结处的电场集中，提高器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN107591848B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711054153.4
申请日：2017-10-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及电力电子控制技术领域，特别涉及一种下垂控制方法和系统，在传统下垂控制的基础上引入具有发电机调速特性的调速步骤、电压惯性步骤和频率惯性步骤，进一步提升了分布式发电单元的刚性；在调速步骤中增加有功下垂调节步骤，使分布式发电单元具有有功下垂特性；引入电磁方程，改变分布式发电单元输出阻抗特性；通过电压电流双闭环控制实现电源输出电压精确快速反应指令信号；本发明可以运用于基于多电源并联领域、岸电领域和新能源微电网领域等领域，能满足多个分布式发电单元间并联、或与多种电源间的稳定并联运行。
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公开(公告)号：CN110601523A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910895782.2
申请日：2019-09-21
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/32 , H02M7/5387 , H02H7/122
Abstract: 本发明属于电子器件领域技术领域，具体涉及本发明一种逆变器、控制方法及计算机设备，包括顺次连接的直流源、半桥逆变拓扑、低通滤波器和负载，半桥逆变拓扑包括混合器件，所述混合器件由Si IGBT和高频功率器件并联组成；以及与半桥逆变拓扑信号连接，用以对逆变器进行控制的控制单元；本发明通过由Si IGBT和高频功率器件并联组成混合器件，当IGBT或MOSFET发生开路故障时，需采用合适的容错控制策略，即通过降压、降频、改变占空比或停机，以防止逆变器性能和可靠性的进一步恶化或损毁；从而达到提高逆变器性能和内部电力电子器件故障的冗余能力，同时能避免电力电子器件工作结温过高并进一步提高逆变器的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107069831B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710147230.4
申请日：2017-03-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种下垂控制方法，所述方法提出一种下垂控制—解耦下垂控制；提出一种改进粒子群优化算法——具有多群体和多速度更新方式的改进粒子群优化算法(MMPSO)；建立了基于改进粒子群优化算法的离线优化模型，模型中每个逆变电源均串联一个电抗器，然后再通过并联给负载供电。本发明可以运用于新能源微电网领域和不间断供电等领域，能够满足多个逆变电源的并联要求，可以有效的减小并联环流，提升并联系统的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108365636A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810081860.0
申请日：2018-01-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公布了一种虚拟同步发电机控制方法，给出了一种改进的虚拟同步发电机控制技术，主要包括加入二阶电压惯性和虚拟阻抗的改进虚拟同步控制策略和电压电流双闭环控制。改进的虚拟同步控制策略在传统虚拟同步控制的基础上引入二阶电压惯性环节和虚拟阻抗环节，提升了分布式发电单元的电压刚性和稳定性；该二阶电压惯性环节减小了电压的变化率，并滤除了电压的高次谐波；加入虚拟阻抗环节减小了分布式发电单元的功率耦合程度；通过电压电流双闭环控制实现电源输出电压精确快速反应指令信号。本发明最终实现交流微电网中分布式发电单元的稳定并联运行和稳定的调节交流微电网的有功功率。
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公开(公告)号：CN118040606A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430347.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分数阶模型电流变化率的短路保护方法及电路，通过方法获取保护电路的第一电流数据，并创建与所述第一电流数据相对应的分数阶模型；实时获取保护电路的第二电流数据，并结合所述分数阶模型，生成与所述第二电流数据相对应的第一电压数据；获取第二电压数据，并结合所述第一电压数据，实时生成与保护电路相对应的短路故障数据；其中，所述第二电压数据为与电流变化率相对应的预设定电压阈值；以及与所述方法相对应的保护电路，可以更加快速且精准对保护电路的短路故障做出响应。
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公开(公告)号：CN115065227A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210630811.4
申请日：2022-06-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开一种应用于多电平功率因数校正电路的分数阶预测控制方法。通过PI控制单元对多电平功率因数校正变换器进行分数阶PI控制；预测控制单元对多电平功率因数校正变换器建立基于电感电流和电容电压的分数阶模型；根据分数阶模型，搭建分数阶预测控制模型，通过调节电感电流的阶数提升输入侧的电能质量，通过调节电容电压的阶数加快输出侧两个电容之间的电压平衡；建立反映多电平功率因数校正变换器的输入侧电能质量、输出侧动态响应、电容电压平衡的多目标适应值函数，通过灰狼优化单元优化电感电流的阶数、电容电压的阶数、分数阶PI控制的分数阶阶数以及分数阶PI控制的参数，得到最优的参数组合。
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公开(公告)号：CN114337347A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210005398.2
申请日：2022-01-05
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/14 , H02M1/12 , H02M1/38 , H02M1/32
Abstract: 本发明属于电力电子变换器控制与智能化电源领域，具体涉及一种延长全SiC逆变器寿命的方法，这种方法包含电流控制环，AD转换模块，SiC MOSFET热敏电参数(TSEPs)在线监测模块、器件老化监测模块和SPWM单极性调制模块。本发明针对全SiC逆变器，将电流闭环控制与SiC MOSFET的老化监测相结合实现了稳定交流输出的同时，提高了整个系统的可靠性，延长了全SiC逆变器的寿命。
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