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发明公开
一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116322070A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310370072.4

申请日：2023-03-31

申请人： 湖南大学深圳研究院

发明人： 胡袁源 , 谢海洪

IPC分类号： H10K10/84 , H10K10/46 , H10K71/60 , H10K71/12 , H10K71/40

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法，本发明的钙钛矿垂直场效应晶体管其特征在于，包括栅电极、衬底、介电层、源电极、半导体层、漏电极，所述栅电极与所述源电极位于半导体层同侧，所述源电极为有多孔结构的连续MXene薄膜，所述半导体层为钙钛矿层；本发明使用MXene这种极薄的导电片状材料作为电极，保证了钙钛矿的成膜质量，制备出来的钙钛矿垂直晶体管能达到6mAcm‑2的高电流密度，足以支持驱动LED；本发明的钙钛矿垂直场效应晶体管制备方法简单，无需高精准高成本的光刻技术，源电极和半导体层都通过旋涂相应溶液后退火形成，适用于大规模的商业化应用，在印刷电子和柔性电子领域具有很好的应用潜力。