基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质

    公开(公告)号:CN113970744A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111606246.X

    申请日:2021-12-26

    IPC分类号: G01S15/32 G01S15/36

    摘要: 本发明公开了一种基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质,包括以下步骤:定时发射第一线性调频超声波信号,并同步将第一线性调频超声波信号转换为第一脉冲信号;保存第一脉冲信号中第一目标电平的脉宽,并保存第一目标电平上升沿或下降沿的时间;接收第二线性调频超声波信号,将第二线性调频超声波信号转换为第二脉冲信号;获取第二脉冲信号中的第二目标电平的脉宽,若存在与第二目标电平的脉宽相同的第一目标电平,根据脉宽相同的第一目标电平和第二目标电平对应的上升沿或下降沿的时间计算渡越时间,然后根据渡越时间和当前温度下的声速计算当前距离。本发明克服了现有技术中测量精度的不高的缺点并且降低了计算复杂度。

    一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

    公开(公告)号:CN114578094B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202210211524.X

    申请日:2022-02-28

    摘要: 本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法,本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构,SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘,硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁,质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构,键合块通过支撑梁与质量块相连,键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力,提高硅微加速度计抗过载能力,保障了产品的使用寿命和长期可靠性,能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度,改善电容间隙一致性,加工精度更高。

    一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

    公开(公告)号:CN114578094A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210211524.X

    申请日:2022-02-28

    摘要: 本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法,本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构,SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘,硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁,质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构,键合块通过支撑梁与质量块相连,键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力,提高硅微加速度计抗过载能力,保障了产品的使用寿命和长期可靠性,能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度,改善电容间隙一致性,加工精度更高。

    基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质

    公开(公告)号:CN113970744B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111606246.X

    申请日:2021-12-26

    IPC分类号: G01S15/32 G01S15/36

    摘要: 本发明公开了一种基于线性调频超声波的测距方法、系统及介质,包括以下步骤:定时发射第一线性调频超声波信号,并同步将第一线性调频超声波信号转换为第一脉冲信号;保存第一脉冲信号中第一目标电平的脉宽,并保存第一目标电平上升沿或下降沿的时间;接收第二线性调频超声波信号,将第二线性调频超声波信号转换为第二脉冲信号;获取第二脉冲信号中的第二目标电平的脉宽,若存在与第二目标电平的脉宽相同的第一目标电平,根据脉宽相同的第一目标电平和第二目标电平对应的上升沿或下降沿的时间计算渡越时间,然后根据渡越时间和当前温度下的声速计算当前距离。本发明克服了现有技术中测量精度的不高的缺点并且降低了计算复杂度。

    一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法

    公开(公告)号:CN113443601A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110806106.0

    申请日:2021-07-16

    IPC分类号: B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法,本发明MEMS惯性传感器芯片模组,包括壳体,所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱,所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件,所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本发明无需一级封装工艺,大幅度降低封装及集成成本,缩小集成体积,避免了表面安装涉入的热应力,也能实现快速热传导,可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标,能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制,避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。

    一种迫击炮偏航调整角测量装置及迫击炮

    公开(公告)号:CN218673342U

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202222654548.0

    申请日:2022-09-30

    IPC分类号: F41A31/00

    摘要: 本实用新型公开了一种迫击炮偏航调整角测量装置,包括传感器模块、处理模块和电源模块;所述传感器模块用于采集两个正交方向的加速度并与所述处理模块的输入端信号连接;所述处理模块用于接收采集的加速度信号并判断迫击炮偏航调整丝杆的旋转角度和旋转方向;所述电源模块分别与所述传感器模块和所述处理模块电连接。本实用新型通过传感器模块感应两个正交方向的加速度,测得迫击炮调整丝杆的旋转角度和旋转方向,再根据丝杆与丝杆滑块的传动比得出炮管的移动距离,最后即可计算出炮管的偏航角调整角度,避免了陀螺仪测量的漂移问题,并且由于丝杆传动比比较大,因此测量精度也比较高。

    一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器

    公开(公告)号:CN215364898U

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202121621591.6

    申请日:2021-07-16

    IPC分类号: B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本实用新型公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器,包括壳体,所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱,所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件,所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本实用新型无需一级封装工艺,大幅度降低封装及集成成本,缩小集成体积,避免了表面安装涉入的热应力,也能实现快速热传导,可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标,能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制,避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。

    一种加速度芯片的出厂检测装置

    公开(公告)号:CN219039108U

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202222539888.9

    申请日:2022-09-23

    IPC分类号: G01P21/00 G01R31/28 G01R1/04

    摘要: 本实用新型公开了一种加速度芯片的出厂检测装置,包括安装于本体上的转动机构,所述转动机构上安装有第一安装平台,所述第一安装平台上设有升降机构,所述升降机构上安装有第二安装平台,所述转动机构上还安装有角度检测单元,所述本体上还安装有控制单元,所述控制单元的输出端和转动机构、升降机构的控制端分别连接,所述控制单元的信息采集端和角度检测单元以及第一安装平台和第二安装平台上的PCB板分别连接。本实用新型能够批量检测多个带有加速度芯片的PCB板,且能够检测所装载的PCB板转动的角度。

    一种加速度芯片配置工装

    公开(公告)号:CN219169836U

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202222533267.X

    申请日:2022-09-23

    IPC分类号: B23K3/00 B23K3/08

    摘要: 本实用新型公开了一种加速度芯片配置工装,包括插拔连接的基板和配置板,所述基板上焊接有加速度芯片,且设有与加速度芯片的引脚一一对应的插孔,所述加速度芯片各引脚与对应的插孔连接,所述配置板与上位机连接,且所述配置板设有与插孔一一对应的插针,每个插针分别插设于对应插孔中,使得上位机依次通过配置板和基板配置加速度芯片。进行配置时,顶针作用力施加于基板上,而加速度芯片的敏感轴Z轴方向上未受到压力,从而避免配置过程中加速度芯片的零位配置受到影响,有效解决了配置过程中加速度芯片零位配置不准确的问题。