-
公开(公告)号：CN117134195B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311401091.5
申请日：2023-10-26
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/50 , H04B10/291
-
公开(公告)号：CN115085009B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210890606.1
申请日：2022-07-27
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 一种InAs量子点激光器及其制备方法，包括依次层叠的衬底、GaAs缓冲层、下包覆层、InAs量子点有源区和上包覆层，所述InAs量子点有源区包括依次层叠的n型掺杂的量子点层、GaAs非掺杂间隔层、p型掺杂的GaAs层和GaAs非掺杂间隔层。本发明提出一种基于GaAs衬底和Si衬底的新型掺杂方式，对于量子点有源区进行了特制的参杂，同时在本应无参杂的有源区参入了少量的电子和空穴从而提升激光器性能。该方法将对1.3µm通讯波段量子点激光器同时进行p型调制掺杂和n型直接掺杂获得兼具较高的特征温度T0和较低的阈值电流密度。
-
公开(公告)号：CN116111449A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310380961.9
申请日：2023-04-11
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本发明具体公开了一种光泵浦一维光子晶体微纳激光器及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入分子束外延生长室中以生长一层三五族缓冲层，并在三五族缓冲层上再生长一层由应力超晶格组成的缺陷抑制层；S2、在应力超晶格组成的缺陷抑制层上生长一层AlxGa1‑xAs牺牲层，并在所述牺牲层上生长InAs量子点有源区作为增益材料层；S3、基于电子束曝光技术和等离子体刻蚀技术，在所述增益材料层上刻蚀一维光子晶体缺陷结构，进而得到光泵浦一维光子晶体微纳激光器。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的Si衬底上制备微纳尺寸的一维光子晶体激光器，适合于低成本、高密度集成的激光器阵列制备，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115133991A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211050978.X
申请日：2022-08-31
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多通道自由空间光通信系统，包括依次连接的量子点锁模激光器、波分复用器、多通道的自由空间光通信单元和与通信单元数量对应的光电解调单元，自由空间光通信单元包括依次连接的光偏振控制器、光电调制单元、第一调制单元、第二调制单元和第一光学放大器，第一光学放大器连接光电解调单元，光电解调单元还用于连接上位机。采用量子点锁模激光器可以产生一系列等间距、相位相干的光学频率梳，该光学频率梳可以有效地减少数据中心内部所需的电光调制单元与电光解调单元的数量，节约了系统搭建的投入成本，且每个光通道的传输能力得到了很大的提升，从而促进高效率的自由空间光通信技术的发展与应用。
-
公开(公告)号：CN113659440A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111064239.1
申请日：2021-09-10
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本发明具体公开了一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法。所述锁模激光器包括衬底、蒸镀在衬底下侧面的负电极，以及自下而上依次生长在衬底上侧面的N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层、P型接触层和正电极，通过分子束外延生长腔在衬底上依次生长N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层和P型接触层，并利用电隔离刻蚀将P型接触层分成长度比为1:4‑1:6的可饱和吸收体和增益区，使得可饱和吸收体占锁模激光器总腔长的14％‑20％，从而能够达到无电压条件稳定的亚皮秒锁模状态，有效降低了成本和消耗，并在操作上提供了极大的便利。具有低能耗、高效率、低成本、操作便捷和可规模生产的特点。
-
公开(公告)号：CN118867056A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411329009.7
申请日：2024-09-24
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/107
摘要： 本发明具体公开了一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法，将半绝缘GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上依次生长GaAs N型接触层、低掺杂GaAs N型缓冲层、InAs/GaAs量子点倍增放大层、GaAs电荷控制层、无掺杂Ge吸光层、P型Ge缓冲层、P型Ge接触层，从而获得基于GaAs衬底的量子点雪崩光电二极管。通过在增益放大区引入InAs量子点材料可显著增加材料中电子空穴离化率比值，降低雪崩光电二极管的噪声，从而显著增加探测器的灵敏度和速率。
-
公开(公告)号：CN113659440B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111064239.1
申请日：2021-09-10
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本发明具体公开了一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法。所述锁模激光器包括衬底、蒸镀在衬底下侧面的负电极，以及自下而上依次生长在衬底上侧面的N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层、P型接触层和正电极，通过分子束外延生长腔在衬底上依次生长N型接触层、N型熔覆层、InAs量子点有源区、P型熔覆层和P型接触层，并利用电隔离刻蚀将P型接触层分成长度比为1:4‑1:6的可饱和吸收体和增益区，使得可饱和吸收体占锁模激光器总腔长的14％‑20％，从而能够达到无电压条件稳定的亚皮秒锁模状态，有效降低了成本和消耗，并在操作上提供了极大的便利。具有低能耗、高效率、低成本、操作便捷和可规模生产的特点。
-
公开(公告)号：CN115085009A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210890606.1
申请日：2022-07-27
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 一种高性能InAs量子点激光器及其制备方法，包括依次层叠的衬底、GaAs缓冲层、下包覆层、InAs量子点有源区和上包覆层，所述InAs量子点有源区包括依次层叠的n型掺杂的量子点层、GaAs非掺杂间隔层、p型掺杂的GaAs层和GaAs非掺杂间隔层。本发明提出一种基于GaAs衬底和Si衬底的新型掺杂方式，对于量子点有源区进行了特制的参杂，同时在本应无参杂的有源区参入了少量的电子和空穴从而提升激光器性能。该方法将对1.3µm通讯波段量子点激光器同时进行p型调制掺杂和n型直接掺杂获得兼具较高的特征温度T0和较低的阈值电流密度。
-
公开(公告)号：CN118589296A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410630017.9
申请日：2024-05-21
申请人： 中国科学院半导体研究所 , 湖南汇思光电科技有限公司
摘要： 本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器，其中，方法包括：在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构；将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域，通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一阶段激光器结构，再依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，对应DFB区域的脊型波导上进行侧壁光栅刻蚀；并在DFB区域和IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到有源反馈激光器。通过集成量子点DFB激光器和经过带隙蓝移的量子点IFB区域得到有源反馈激光器，解决了由于量子点增益介质激光器的调制带宽较低，很难满足其在低成本高速直调方面的应用的问题，实现了高速直调量子点激光器的低成本需求。
-
公开(公告)号：CN117134195A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311401091.5
申请日：2023-10-26
申请人： 湖南汇思光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/50 , H04B10/291
摘要： 本发明公开了一种用于粗波分复用的啁啾量子点光放大器及其制备方法，包括将GaAs衬底送入反应腔中去除衬底表面氧化层；再进行n型GaAs接触层、AlGaAs下限制层与GaAs下波导层生长；再进行啁啾量子点有源区的生长；在有源区上依次进行GaAs上波导层、AlGaAs上限制层与p型GaAs接触层的生长；对生长的器件进行III‑V族脊型波导的刻蚀；对器件渡绝缘层与平坦化处理；对器件进行正电极蒸镀；对GaAs衬底或者硅基GaAs衬底进行减薄处理，对器件进行负电极蒸镀；对芯片进行切割、镀膜和封装处理。很大程度降低未来高速光通信网络的器件及布线成本，同时为将来光通信领域的集成、操作上提供极大的便利。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.028 秒)
