公开(公告)号：CN109994466A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910246694.X

申请日：2019-03-29

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  芦俊 ,  骆生辉 ,  董鹏 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本发明通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。

公开(公告)号：CN109994466B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201910246694.X

申请日：2019-03-29

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  芦俊 ,  骆生辉 ,  董鹏 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本发明通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。

公开(公告)号：CN209461459U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201920412794.0

申请日：2019-03-29

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  芦俊 ,  骆生辉 ,  董鹏 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本实用新型通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利