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公开(公告)号：CN106940422B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611076252.8
申请日：2016-11-29
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种辐射效应通用测试系统及测试方法。该系统包括控制器、多个仪器模块以及PXIe机箱；所述多个仪器模块包括高速数字IO、任意波形发生器、高速模拟采集卡、高精模拟采集卡、矩阵开关、精密电流电压源；该系统的方法主要包括以下步骤：1)封装所有仪器模块底层驱动命令，形成仪器模块操作；2)拆分仪器模块操作流程；3)根据仪器模块操作流程创建操作列表；4)添加仪器模块操作；5)创建测试任务；6)形成测试任务列表；7)根据测试任务列表执行被测目标物的测试。本发明不仅能实现多种数字、模拟、数模混合半导体器件辐射效应测试的通用，并且测试精度、速度都明显提高。
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公开(公告)号：CN106992782A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710117673.9
申请日：2017-03-01
IPC分类号： H03M1/10
CPC分类号： H03M1/109
摘要： 本发明涉及一种定时同步DAC静态参数测试方法。该方法在数字输入模块与模拟采集模块无法共享时钟与触发信号的情况下，以运行于控制器上的软件程序依次调度数字输入模块与模拟采集模块，并控制相对时延，实现DAC静态参数测试过程中模拟采集模块的信号采集与数字输入模块的数字信号输入之间的同步。本发明在硬件设备无法共享时钟与触发信号的限制下，实现了DAC静态参数测试模拟采集与数字输入的同步，降低了DAC测试对硬件设备的功能要求，整个测试过程在控制器控制下完全自动化执行。以此测试方法可通过经济适用的小型设备实现DAC的静态参数自动化测试，为一些特殊场景的DAC静态参数测试如总剂量效应实验等提供小型化、经济适用测试方案。
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公开(公告)号：CN106992782B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201710117673.9
申请日：2017-03-01
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明涉及一种定时同步DAC静态参数测试方法。该方法在数字输入模块与模拟采集模块无法共享时钟与触发信号的情况下，以运行于控制器上的软件程序依次调度数字输入模块与模拟采集模块，并控制相对时延，实现DAC静态参数测试过程中模拟采集模块的信号采集与数字输入模块的数字信号输入之间的同步。本发明在硬件设备无法共享时钟与触发信号的限制下，实现了DAC静态参数测试模拟采集与数字输入的同步，降低了DAC测试对硬件设备的功能要求，整个测试过程在控制器控制下完全自动化执行。以此测试方法可通过经济适用的小型设备实现DAC的静态参数自动化测试，为一些特殊场景的DAC静态参数测试如总剂量效应实验等提供小型化、经济适用测试方案。
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公开(公告)号：CN106940422A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611076252.8
申请日：2016-11-29
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种辐射效应通用测试系统及测试方法。该系统包括控制器、多个仪器模块以及PXIe机箱；所述多个仪器模块包括高速数字IO、任意波形发生器、高速模拟采集卡、高精模拟采集卡、矩阵开关、精密电流电压源；该系统的方法主要包括以下步骤：1)封装所有仪器模块底层驱动命令，形成仪器模块操作；2)拆分仪器模块操作流程；3)根据仪器模块操作流程创建操作列表；4)添加仪器模块操作；5)创建测试任务；6)形成测试任务列表；7)根据测试任务列表执行被测目标物的测试。本发明不仅能实现多种数字、模拟、数模混合半导体器件辐射效应测试的通用，并且测试精度、速度都明显提高。
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公开(公告)号：CN105679658B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610065541.1
申请日：2016-01-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L21/263 , G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。
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公开(公告)号：CN105679658A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610065541.1
申请日：2016-01-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L21/263 , G01R31/26
CPC分类号： H01L21/263 , G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P-N-P-N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。
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公开(公告)号：CN106813637B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201611245767.6
申请日：2016-12-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01B21/00 , G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明提供一种脉冲激光单粒子效应背辐照定位方法，通过测量管芯和待测区域顶点坐标，利用绘图软件做出管芯正面平面图，经过对正面平面图两次旋转操作、一次镜像操作和一次平移操作得到背面辐照时待测区域的位置坐标。本发明发明可以在没有红外成像系统的情况下，从芯片背面对从正面指定的待测区域定位并进行辐照实验；节省了脉冲激光装置背辐照光路系统的购置和改造费用，降低了实验成本。
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公开(公告)号：CN106813637A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611245767.6
申请日：2016-12-29
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01B21/00 , G01R31/26 , G01R31/265
CPC分类号： G01B21/04 , G01R31/2644 , G01R31/2656
摘要： 本发明提供一种脉冲激光单粒子效应背辐照定位方法，通过测量管芯和待测区域顶点坐标，利用绘图软件做出管芯正面平面图，经过对正面平面图两次旋转操作、一次镜像操作和一次平移操作得到背面辐照时待测区域的位置坐标。本发明可以在没有红外成像系统的情况下，从芯片背面对从正面指定的待测区域定位并进行辐照实验；节省了脉冲激光装置背辐照光路系统的购置和改造费用，降低了实验成本。
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