公开(公告)号：CN115504474A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211369439.2

申请日：2022-11-03

申请人： 滁州学院

发明人： 朱文彬 ,  曹馨 ,  谢士奎 ,  张华 ,  张鸿胜 ,  项伟

IPC分类号： C01B32/921 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种制备氧掺杂O‑Ti3C2Tx二维材料的方法，涉及纳米二维材料制备领域，将前驱体材料Ti3AlC2首先在特定的温度段预氧化一段时间，然后在LiF/HCl或者HF+HCl+LiCl的化学环境下刻蚀制备氧掺杂O‑Ti3C2Tx二维材料，该法不仅保留了Ti3C2Tx的晶体结构和微观结构特征，而且还实现了氧的掺杂。另外，该法简单，合成工艺可控，丰富了制备掺杂改性Ti3C2Tx二维材料的合成方法，所合成的氧掺杂O‑Ti3C2Tx二维材料可应用在储能、催化等多个领域。

公开(公告)号：CN113943003A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111319198.6

申请日：2021-11-09

申请人： 滁州学院

发明人： 朱文彬 ,  于禧辰 ,  曹馨 ,  张澳云 ,  张华

IPC分类号： C01B32/921

摘要： 本发明公开了一种以Ti3SiC2为前驱体制备二维材料Ti3C2的方法，具体方案为将前驱体材料Ti3SiC2首先低温预氧化一段时间，然后在HF化学环境刻蚀制备。该方法简单易行，丰富了Ti3C2二维材料的合成方法，采用的前驱体原料成本更低，制备工艺可控，所合成的材料可应用在超级电容器、电池、催化等领域。