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公开(公告)号：CN118213439A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410370937.1
申请日：2024-03-29
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
摘要： 本发明公开了TOPCon电池、TOPCon电池的钝化方法及制备方法。所述钝化方法包括：进行印刷烧结前利用激光对电池片进行光注入处理、既能够有效提升电池的钝化效果，又可避免对印刷电极造成任何负面影响，最终能够同时提高TOPCon电池的光电转换效率和良率。
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公开(公告)号：CN115347063B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202211006620.7
申请日：2022-08-22
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种用于TOPCon电池的硅片基底，所述硅片基底表面具有金字塔绒面的陷光结构；所述硅片基底背面为抛光后的陷光结构；所述硅片基底背面的塔基高度为0.15～0.21μm。本发明提供的具有特定结构的背面碱抛小塔基尺寸的TOPCon电池的硅片基底，对TOPCon电池的背面形貌进行优化，有效的提高了TOPCon电池的背面钝化结构及钝化效果，能够更好的改善TOPCON背面悬挂键及复合中心多的问题，并改善背面氧化层均匀性，提高开路电压及短路电流。
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公开(公告)号：CN116936651A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310788646.X
申请日：2023-06-30
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/06
摘要： 本发明提供一种新型TOPCon电池的制备方法，涉及电池制备加工技术领域。所述TOPCon电池的制备方法主要包括对硅片制绒，硼扩散，去除背面及侧面BSG层，LPCVD背面沉积及多晶硅层非栅线区去除或减薄，磷掺杂，PSG层去除，正面沉积，正背面栅线区域印蜡，蜡印以外区域去除BSG、PSG、BPSG，去蜡，镀氧化铝及氮化硅，丝网印刷等步骤。本发明克服了现有技术的不足，通过将背面非栅线区PolySi的去除或减薄，改善了目前TOPCon电池的弊端、进一步提升了光电转换效率和降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116598379A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310549366.3
申请日：2023-05-15
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0236
摘要： 本申请实施例提供了一种晶硅太阳能电池片加工方法，所述加工方法包括：利用第一液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除环绕区的二氧化硅保护层，过渡区的硼磷硅玻璃层，磷硅玻璃层；利用包含绒面保护添加剂的第二液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除环绕区的多晶硅隔膜，多晶硅层；利用第三液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除晶硅太阳能电池片上残留的绒面保护添加剂；利用第四液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除硼硅玻璃层；利用第五液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除晶硅太阳能电池片上残留的第四液体；利用第六液体清洗晶硅太阳能电池片，以去除晶硅太阳能电池片表面的氧化层，以在晶硅太阳能电池片表面形成疏水面。
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公开(公告)号：CN116454168A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310457150.4
申请日：2023-04-25
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要： 本申请涉及太阳能电池领域，公开了一种TOPCon电池的制备方法，包括在硅片正面依次形成层叠的隧穿层和多晶硅层；对硅片的正面一侧进行掺杂，使多晶硅层转换为重掺杂多晶硅层，并在硅片的正面形成轻掺杂层；在重掺杂多晶硅层背离硅片的表面形成图形化掩膜层；去除未与图形化掩膜层对应的重掺杂多晶硅层；去除图形化掩膜层和未与图形化掩膜层对应的隧穿层，形成图形化隧穿层和图形化重掺杂多晶硅层；在硅片的正面形成正面电极，正面电极中的副栅线与图形化重掺杂多晶硅层对应。本申请在正发射极区域形成局部隧穿以及局部重掺杂多晶硅层，可以降低正面电极的接触电阻，同时降低非接触区域的复合，进而提升电池效率，并改善局部EL发暗的情况。
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公开(公告)号：CN117913164B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410090464.X
申请日：2024-01-23
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/66 , H02S20/30 , F24S30/425
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公开(公告)号：CN117913164A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410090464.X
申请日：2024-01-23
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/66 , H02S20/30 , F24S30/425
摘要： 本申请属于光伏组件技术领域，具体涉及一种含TOPCon电池的光伏组件及其制备方法，光伏组件的支撑机构包括底座，底座上设有用于调整面板固定机构仰角的仰角调节机构；面板固定机构用于固定面板机构；面板机构包括边框，此边框用于固定上盖板和下盖板；上盖板和下盖板间设有封装材料；封装材料内封装有多个TOPCon电池，多个TOPCon电池通过电连接件串联、并与接线盒连接；TOPCon电池的背面电极对应的栅线区的N+‑Poly层厚度大于非栅线区的N+‑Poly层厚度。本申请可以首先调节竖向滑动支柱高度，然后调节第一滑座和第二滑座位置，最后将竖向滑动支柱第一滑座和第二滑座固定，从而在光伏组件完成安装后，也可以根据实际使用场景对面板固定机构的俯仰角进行调节。
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公开(公告)号：CN115719780B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202211547796.3
申请日：2022-12-05
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本申请涉及光伏领域，公开了一种太阳能电池及其制作方法，包括获得太阳能电池的预制结构体，预制结构体包括硅片、位于硅片正面的第一掺杂层和第一氧化介质层；在硅片背面形成掺杂多晶硅；对背面进行掺杂形成第二掺杂层，并在背面、侧面和正面形成第二氧化介质层，以及在正面形成掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于正面的掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面绕度的掺杂多晶硅，并保留位于正面的掺杂氧化介质层和位于背面的第二氧化介质层；去除位于正面的第一氧化介质层和掺杂氧化介质层，以及位于背面的第二氧化介质层；在正面和背面形成钝化层和电极。本申请只在背面制作一次掺杂多晶硅，使制作成本明显降低。
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公开(公告)号：CN116759481A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310948422.0
申请日：2023-07-31
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种耐高温高湿的新型N‑TOPCon电池及其制备方法，涉及N‑TOPCon电池加工技术领域。所述新型N‑TOPCon电池为设置常规N‑TOPCon电池正面主栅区域无氧化硅/poly硅掩膜层，而其他区域均有氧化硅/poly硅掩膜层结构。本发明克服了现有技术的不足，在发射极金属化后，选择性的在发射电极上面形成一层高绝缘性的氧化硅或者poly硅掩膜层，即保证了发射极的接触性和抗水气及金属腐蚀能力，又保证了主栅区域的高拉力性，形成一个局部高抗pid等可靠性发射电极结构，能较大的提升组件在高温高湿下的环境下的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116544285A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310491006.2
申请日：2023-04-28
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及光伏发电领域，特别是涉及一种N型TOPcon电池及其生产方法，包括N型基体硅，所述N型基体硅的正面向外依次包括P型掺杂层、正面钝化层及正面电极；所述N型基体硅的背面向外依次包括遂穿氧化层、N型多晶硅层、N型选择性重掺层、背面钝化层及背面电极；所述N型选择性重掺层在所述N型多晶硅层表面非连续分布，且与所述背面电极接触设置。本发明在常规TOPcon电池的基础上，进一步在电池背面增设了N型选择性重掺层，使N型选择性重掺层与N型多晶硅层之间形成明显的载流子浓度差，可进一步提升背面电极的接触性能，降低电池内阻，提高N型TOPcon电池的光电转换效率。
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