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公开(公告)号：CN117542925A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311652628.5
申请日：2023-11-30
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , C30B33/10
摘要： 本发明提供了一种可提升单晶电池转换效率的制绒方法，包括以下步骤：将待处理的硅片依次经粗抛、前清洗、第一次水洗、制绒、第二次水洗、后清洗、第三次水洗、混酸洗、第四次水洗、慢提拉和烘干，得到制绒后的硅片；所述制绒的过程具体为：第一步，在含有制绒添加剂的碱性溶液中对硅片进行制绒；第二步，在不含制绒添加剂的碱性溶液中对硅片进行制绒。与现有技术相比，本发明提供的制绒方法通过第二步制绒不使用制绒添加剂，并进一步改进整体工艺步骤及条件，实现整体较好的相互作用，减小绒面，降低反射率同时吸收更多的光，从而提升短路电流，最终提升电池片转换效率。
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公开(公告)号：CN115360264A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210998301.2
申请日：2022-08-19
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要： 本发明涉及光伏器件生产领域，特别是公开了一种晶硅电池片去膜返工方法，包括：将返工片置于酸洗槽中进行初步酸洗；将经过所述初步酸洗的返工片置于碱洗槽中进行初步碱洗，其中，所述碱洗槽的碱洗液中包括消泡剂；将经过所述初步碱洗的返工片进行至少一次次酸洗及至少一次次碱洗，得到去膜硅片。因为在碱洗过程中，返工片的外延层材料与碱洗液反应生成大量气泡依附在所述花篮上，导致花篮整体浮力上升，最终导致漂篮现象出现，而本发明改进的技术方案在碱洗液中添加了消泡剂，消泡剂会大大降低泡沫的表面张力，使泡沫破裂，难以形成大量气泡附着在花篮上的情形，当然也就避免了花篮不受控制地上浮、移位，从而实现返工片去膜效率的大幅提升。
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公开(公告)号：CN118117007A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410362293.1
申请日：2024-03-28
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种Topcon电池PE poly工艺，涉及Topcon电池技术领域，具体包括以下步骤：S1：对硅片进行制绒处理；S2：对硅片正面进行硼扩散处理；S3：正面进行SE处理；S4：硅片背面进行硼扩散处理；S5：去除硅片背面及边缘BSG；S6：采用PE poly设备通过PECVD在硅片背面制备隧穿氧化层；S7：背面PECVD形成Poly‑si层；S8：背面PECVD形成磷掺杂层；S9：通过低压退火设备对硅片进行退火晶化激活处理。本发明在PECVD中使用氮气，将N原子引入非晶硅之中，退火后形成含氮多晶硅，降低爆膜风险，提高了电池的转换效率，降低了生产成本，提高钝化性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN117913164B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410090464.X
申请日：2024-01-23
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/66 , H02S20/30 , F24S30/425
摘要： 本申请属于光伏组件技术领域，具体涉及一种含TOPCon电池的光伏组件及其制备方法，光伏组件的支撑机构包括底座，底座上设有用于调整面板固定机构仰角的仰角调节机构；面板固定机构用于固定面板机构；面板机构包括边框，此边框用于固定上盖板和下盖板；上盖板和下盖板间设有封装材料；封装材料内封装有多个TOPCon电池，多个TOPCon电池通过电连接件串联、并与接线盒连接；TOPCon电池的背面电极对应的栅线区的N+‑Poly层厚度大于非栅线区的N+‑Poly层厚度。本申请可以首先调节竖向滑动支柱高度，然后调节第一滑座和第二滑座位置，最后将竖向滑动支柱第一滑座和第二滑座固定，从而在光伏组件完成安装后，也可以根据实际使用场景对面板固定机构的俯仰角进行调节。
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公开(公告)号：CN118213438A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410362652.3
申请日：2024-03-28
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明属于电池组件技术领域，具体而言本发明提供了一种提高TOPCON电池的背面结构的晶化率的方法，包括：对沉积有非晶硅薄膜的硅片的背面，先进行激光照射处理，再进行高温退火处理；其中，所述激光照射处理的工艺参数条件包括：波长为200~400nm；功率为8~10W。通过本发明提供的方法能够有效提高TOPCON电池的背面结构的晶化率。
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公开(公告)号：CN117913164A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410090464.X
申请日：2024-01-23
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/66 , H02S20/30 , F24S30/425
摘要： 本申请属于光伏组件技术领域，具体涉及一种含TOPCon电池的光伏组件及其制备方法，光伏组件的支撑机构包括底座，底座上设有用于调整面板固定机构仰角的仰角调节机构；面板固定机构用于固定面板机构；面板机构包括边框，此边框用于固定上盖板和下盖板；上盖板和下盖板间设有封装材料；封装材料内封装有多个TOPCon电池，多个TOPCon电池通过电连接件串联、并与接线盒连接；TOPCon电池的背面电极对应的栅线区的N+‑Poly层厚度大于非栅线区的N+‑Poly层厚度。本申请可以首先调节竖向滑动支柱高度，然后调节第一滑座和第二滑座位置，最后将竖向滑动支柱第一滑座和第二滑座固定，从而在光伏组件完成安装后，也可以根据实际使用场景对面板固定机构的俯仰角进行调节。
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公开(公告)号：CN118412407A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410563659.1
申请日：2024-05-07
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种TOPCon切片电池及其钝化方法和制备方法，属于TOPCon切片电池技术领域，将若干TOPCon切片电池固定在夹具上；使用超高功率激光照射TOPCon切片电池的切面，照射时间40‑80s，在TOPCon切片电池的切面上形成二氧化硅保护层。本发明的有益效果是：通过对切片切割面的切面进行激光钝化，对切片电池侧边采用超高功率激光照射，断裂面上与硅发生反应形成的二氧化硅保护层，能够避免在断裂面光生载流子的复合，从而降低光致衰减现象。
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公开(公告)号：CN118213439A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410370937.1
申请日：2024-03-29
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
摘要： 本发明公开了TOPCon电池、TOPCon电池的钝化方法及制备方法。所述钝化方法包括：进行印刷烧结前利用激光对电池片进行光注入处理、既能够有效提升电池的钝化效果，又可避免对印刷电极造成任何负面影响，最终能够同时提高TOPCon电池的光电转换效率和良率。
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公开(公告)号：CN115360269A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211082918.6
申请日：2022-09-06
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种丝网印刷异常硅片的处理方法，涉及光伏领域，解决目前丝网印刷异常硅片的处理方式无法实现印刷异常硅片再利用的技术问题。所述方法包括：对丝网印刷异常硅片进行第一清洗工艺，去除表面的印刷浆料；对去除印刷浆料的丝网印刷异常硅片进行第二清洗工艺，去除氮化硅减反射膜；对去除氮化硅减反射膜的丝网印刷异常硅片进行制绒。
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公开(公告)号：CN118367060A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410474114.3
申请日：2024-04-18
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0236 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种N型TOPCon太阳能电池及其制备方法，属于TOPCon电池领域，在背面沉积SiOx层及Poly‑Si层，并对背面进行磷掺杂，形成背面N+掺杂层；在背面镀氮化硅膜；对背面金属区的氮化硅膜上进行激光开膜，然后沉积SiOx层及P掺杂的a‑Si:H层；在背面激光开膜区域制备掩膜，去除背面非掩膜区域的磷掺杂的a‑Si:H层；正背面进行电极印刷、烧结及光注入。本发明的有益效果是：利用激光开膜技术对背面氮化硅膜进行处理，并在背面的金属接触区域沉积SiOx层及P掺杂的a‑Si:H层，由SiOx层、N+掺杂层、SiOx层和P掺杂的a‑Si:H层共同作用，降低了金属电极的接触电阻率和改善了表面钝化效果，从而提高了电池的开路电压和填充因子。
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