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发明公开
一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统无效

公开(公告)号：CN108802172A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810817167.5

申请日：2018-07-24

申请人： 烟台大学

发明人： 徐坤山 , 石娟 , 冯明光 , 任万忠

IPC分类号： G01N27/85

CPC分类号： G01N27/85

摘要： 本发明涉及一种确定磁性材料中埋藏缺陷深度的方法及系统，其方法包括以下步骤，S1，基于磁屏蔽作用和磁导率变化理论，利用等效磁荷法在磁性材料外部建立埋藏缺陷漏磁场强度模型；S2，测量待测磁性材料试样外部的磁场参数，并将所述磁场参数代入到所述埋藏缺陷漏磁场强度模型中进行计算，得到待测磁性材料试样的埋藏缺陷的深度。本发明的方法利用等效磁荷法建立埋藏缺陷漏磁场模型可以比较准确的计算出磁性材料内部埋藏缺陷的深度。