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公开(公告)号：CN115410786A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210962847.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 南通正海磁材有限公司 , 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种烧结R‑Fe‑B永磁体及其制备方法和应用。所述永磁体至少包括晶界和复合主相晶粒；所述晶界包括富RH相，所述富RH相呈团块状分布在复合主相晶粒之间的晶界内，优选在任意相邻的三个或三个以上的复合主相晶粒的交隅处；所述富RH相呈薄层带状沿晶界连续分布；所述晶界中RH的含量大于主相晶粒中RH的含量；所述复合主相晶粒具有核壳结构，所述核壳结构包括具有R‑T‑B型相结构的核结构，和在所述核结构外层的壳结构；所述核结构包括富Ce的主相晶粒和贫Ce的主相晶粒。本发明制备的永磁体具有高矫顽力磁性能和方形度，显著改善磁体的抵抗高温退磁的能力。
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公开(公告)号：CN113674945B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110656406.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 南通正海磁材有限公司
Abstract: 本发明公开一种低成本高矫顽力富含LaCe的钕铁硼永磁体及其制备方法和应用，所述永磁体由无LaCe、无HRE的钕铁硼主相合金和LaCe‑M合金混合烧结制备而成。本发明通过先分别熔炼无LaCe的主相合金和LaCe‑M辅相合金，然后通过制粉混合压制烧结，有效避免了LaCe进入主相晶粒造成磁体性能降低的性能缺陷，同时降低磁体的制造成本，实现稀土资源的平衡、可持续利用。且本发明利用富LaCe晶界相的低熔点、高流动性的特点，有效提升了HRE扩散至磁体内部的深度和浓度，因而有助于提高磁体内成分和组织分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN117153510A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210576133.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 南通正海磁材有限公司 , 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系永磁材料、其制备方法和应用，所述永磁材料具有如下性能：Br≥13.3KGs，Hcj≥25.1Koe；20天HAST失重损失≤3mg/cm2；抗弯强度＞440Mpa。本发明通过精确的配方设计和方法设计，在严格控制永磁材料中O、C、N等元素的前提下，使得永磁材料晶界相中含有对永磁材料Hcj、失重性能、力学性能均有益的Ti、Ga、Cu等元素，这些元素按一定比例均匀分布在晶界相中，不仅仅起到了细化晶粒、增加晶界亲润性及耐蚀性，防止晶粒的异常长大的作用，并结合优化的气流磨制粉工艺和烧结工艺，改善了永磁材料主相和晶界相的显微组织结构，从而制得了一种综合性能优异的R‑Fe‑B系永磁材料。
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公开(公告)号：CN113674945A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110656406.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 南通正海磁材有限公司
Abstract: 本发明公开一种低成本高矫顽力富含LaCe的钕铁硼永磁体及其制备方法和应用，所述永磁体由无LaCe、无HRE的钕铁硼主相合金和LaCe‑M合金混合烧结制备而成。本发明通过先分别熔炼无LaCe的主相合金和LaCe‑M辅相合金，然后通过制粉混合压制烧结，有效避免了LaCe进入主相晶粒造成磁体性能降低的性能缺陷，同时降低磁体的制造成本，实现稀土资源的平衡、可持续利用。且本发明利用富LaCe晶界相的低熔点、高流动性的特点，有效提升了HRE扩散至磁体内部的深度和浓度，因而有助于提高磁体内成分和组织分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN113593802A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110774881.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 江华正海五矿新材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀、高性能钕铁硼烧结磁体及其制备方法和用途。本发明的钕铁硼烧结磁体由钕铁硼烧结磁体组合物经制粉、成型、烧结制得，所述钕铁硼烧结磁体包含：含量为28.5wt％以上且32.5wt％以下的R；含量为0.88wt％以上且0.94wt％以下的B；含量为0.1wt％以上且0.3wt％以下的Ga；含量为1.0wt％以上且3.0wt％以下的Co；含量为400ppm以上且1000ppm以下的O。本发明通过进行加氧操作，能够获得抑制矫顽力降低、并且提高矫顽力的钕铁硼烧结磁体，同时可以改善磁体的耐腐蚀能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106205924B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610551050.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法，主要通过制造一种辅助扩散合金，该辅助扩散合金粉末与正常钕铁硼磁体粉末混合烧结后在晶界处进行镝、铽元素扩散而成，所述的辅助扩散合金的主要组分为Nd‑Fe‑M，其中Nd为Nd元素，Fe为Fe元素，M为Al、Cu、Ga、Mg、Ca、Zr、Ti、Co、Nb的一种或多种元素的组合，其中Nd的比例为60‑80wt%，Fe的比例为5‑15%，M的比例为5‑35wt%。与现有技术相比，通过本发明的技术方案使得镝、铽在晶界处富集，提供晶界扩散通道，抑制镝、铽向主相晶粒内部扩散，提高镝、铽有效扩散利用率，提高磁体矫顽力。
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公开(公告)号：CN106205924A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610551050.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法，主要通过制造一种辅助扩散合金，该辅助扩散合金粉末与正常钕铁硼磁体粉末混合烧结后在晶界处进行镝、铽元素扩散而成，所述的辅助扩散合金的主要组分为Nd-Fe-M，其中Nd为Nd元素，Fe为Fe元素，M为Al、Cu、Ga、Mg、Ca、Zr、Ti、Co、Nb的一种或多种元素的组合，其中Nd的比例为60-80wt%，Fe的比例为5-15%，M的比例为5-35wt%。与现有技术相比，通过本发明的技术方案使得镝、铽在晶界处富集，提供晶界扩散通道，抑制镝、铽向主相晶粒内部扩散，提高镝、铽有效扩散利用率，提高磁体矫顽力。
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公开(公告)号：CN103258633A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310209231.9
申请日：2013-05-30
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司
CPC classification number: B22F3/26 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2003/242 , B22F2003/248
Abstract: 本发明涉及一种R-Fe-B系烧结磁体的制备方法，首先采用常规方法制备厚度为1～10mm的R-Fe-B系烧结磁体；其次，在Ar气保护气氛下的密封箱中使用热喷涂的方法在烧结磁体表面喷涂厚度为10～200μm的金属Tb或者Dy；最后将表面涂覆了Tb或者Dy的烧结磁体放入真空烧结炉，在真空或Ar气保护气氛下、750～1000℃对烧结磁体进行热处理，使重稀土元素Tb或者Dy通过扩散沿晶界进入烧结磁体内部。本发明使用热喷涂的方法在烧结磁体表面喷涂一层Tb或者Dy，处理速度快、涂层均匀、产率高，热处理后磁体矫顽力大幅度提高。
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公开(公告)号：CN113593802B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110774881.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 江华正海五矿新材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀、高性能钕铁硼烧结磁体及其制备方法和用途。本发明的钕铁硼烧结磁体由钕铁硼烧结磁体组合物经制粉、成型、烧结制得，所述钕铁硼烧结磁体包含：含量为28.5wt％以上且32.5wt％以下的R；含量为0.88wt％以上且0.94wt％以下的B；含量为0.1wt％以上且0.3wt％以下的Ga；含量为1.0wt％以上且3.0wt％以下的Co；含量为400ppm以上且1000ppm以下的O。本发明通过进行加氧操作，能够获得抑制矫顽力降低、并且提高矫顽力的钕铁硼烧结磁体，同时可以改善磁体的耐腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN118197727A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211600057.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。本发明通过M的化合物对R‑T‑B系合金粉末的附着或包覆，在钕铁硼粉末表面形成均匀的包裹层，能够实现R‑T‑B系合金粉末的圆化改造，从而在显著降低基材中重稀土金属用量的情况下，提高R‑T‑B系合金粉末的浸润性。并且，本发明所述R‑T‑B系永磁材料的晶界中存在M‑R和/或M‑T‑R的晶界相，能够显著改善晶界相的理化性质，有助于改善晶界相的分布并对晶界进行强化，可避免形成反核壳结构，更有利于重稀土元素的渗透，因此有助于改善R‑T‑B系永磁材料的Hcj。
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