公开(公告)号：CN101727956A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910208103.6

申请日：2009-10-28

申请人： 爱特梅尔汽车股份有限公司

发明人： L·达特 ,  T·哈努施 ,  M·福韦尔克

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C5/147

摘要： 电路、用于调节的方法以及调节回路(30，40，100)的应用，所述调节回路(30，40，100)用于为了休眠模式而对CMOS电路(20)的数据保持电压(USP-USN)和/或漏电流(ILP+ILN)进行调节，其中，为了进行所述调节而使所述CMOS电路(20)工作在测量模式中，其中，在所述测量模式中仅漏电流(ILP+ILN)流过所述CMOS电路(20)；其中，所述调节回路(30，40，100)在所述测量模式中对所述数据保持电压(USP-USN)和/或所述漏电流(ILP+ILN)进行调节；以及其中，存储所述调节回路(30，40，100)的调节用于所述休眠模式。

公开(公告)号：CN101727956B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200910208103.6

申请日：2009-10-28

申请人： 爱特梅尔汽车股份有限公司

发明人： L·达特 ,  T·哈努施 ,  M·福韦尔克

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C5/147

摘要： 电路、用于调节的方法以及调节回路(30，40，100)的应用，所述调节回路(30，40，100)用于为了休眠模式而对CMOS电路(20)的数据保持电压(USP-USN)和/或漏电流(ILP+ILN)进行调节，其中，为了进行所述调节而使所述CMOS电路(20)工作在测量模式中，其中，在所述测量模式中仅漏电流(ILP+ILN)流过所述CMOS电路(20)；其中，所述调节回路(30，40，100)在所述测量模式中对所述数据保持电压(USP-USN)和/或所述漏电流(ILP+ILN)进行调节；以及其中，存储所述调节回路(30，40，100)的调节用于所述休眠模式。

公开(公告)号：CN101727955A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910208102.1

申请日：2009-10-28

申请人： 爱特梅尔汽车股份有限公司

发明人： L·达特 ,  T·哈努施 ,  M·福韦尔克

IPC分类号： G11C5/14 ,  H03K19/0948

CPC分类号： H03K19/0016

摘要： 电路、用于控制的方法以及用于休眠模式和运行模式的电路的应用，所述电路具有数字CMOS电路，所述数字CMOS电路具有NMOS场效应晶体管以及具有PMOS场效应晶体管，具有第一负载装置，其中，所述数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的源极连接端子通过所述第一负载装置与第一供电电压相连接，以及具有第二负载装置，其中，所述数字CMOS电路的PMOS场效应晶体管的源极连接端子通过所述第二负载装置与第二供电电压相连接，其中，所述数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第一供电电压相连接，其中，所述数字CMOS电路的PMOS场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第二供电电压相连接。