公开(公告)号：CN105318848B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510346560.7

申请日：2015-06-19

申请人： 株式会社三丰

发明人： 川床修 ,  河合章生

IPC分类号： G01B21/00

CPC分类号： G01B3/205 ,  G01D21/00 ,  G11C5/147 ,  H02J3/383 ,  Y02E10/563

摘要： 本发明涉及一种半导体集成电路和位置检测器。该半导体集成电路包括：调节器，用于使来自太阳能电池的电源电压稳定，并且输出稳定后的电源电压；电压检测电路，用于检测来自所述太阳能电池的电源电压或来自所述调节器的输出电压；上电复位电路，用于利用从所述电压检测电路所输出的电压检测信号来将复位信号输出至外部数字电路；以及存储器主体，用于利用来自所述太阳能电池的电源电压或来自所述调节器的输出电压来进行数据的写入和读取。

公开(公告)号：CN107220193B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610160111.8

申请日：2016-03-21

申请人： 综合器件技术公司

发明人： 谢毅 ,  刘海齐

IPC分类号： G06F13/16

CPC分类号： G11C11/4093 ,  G11C5/04 ,  G11C5/145 ,  G11C5/147 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/109 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4076

摘要： 本发明涉及利用可编程的1‑抽头决定反馈均衡器的单端信号均衡。一种装置包括第一电路和第二电路。第一电路可被配置为(i)接收在耦合到存储器通道的数据总线的单端线路上携带的输入值的序列，(ii)将输入值的所述序列的前一输入值限幅，以生成前一输出值，(iii)将输入值的所述序列的当前输入值限幅，以生成当前输出值，及(iv)在差分线路上呈现所述当前输出值。在输入值的所述序列中前一输入值一般在所述当前输入值前面。第二电路可被配置为基于抽头系数值解码所述前一输入值，以生成适于减小在所述当前输入值中由所述前一输入值引起的符号间干扰的多个反馈值。

公开(公告)号：CN105845164B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201510488786.0

申请日：2015-08-11

申请人： 华邦电子股份有限公司

发明人： 竹下利章

IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C16/30

CPC分类号： H02M3/07 ,  G11C5/145 ,  G11C5/147 ,  G11C16/30 ,  H02M3/073

摘要： 本发明提供能够抑制电路面积且达到稳定输出电压目的的电压产生电路。本实施例的电压产生电路(100A)，具有电荷泵浦电路(20)、电阻分压电路(120)、对电阻分压电路(120)输出的电压(Vm)和基准电压(VREF)进行比较的比较器(34)、基于比较器(34)的比较结果以控制电荷泵浦电路(20)动作的控制电路(36)。电阻分压电路(120)包括串联连接于输出节点(NOUT)和接地之间的电阻(R1、R2、R3、R4)，反应输出电压(VOUT)而在节点(NR)产生电压(Vm)。电阻分压电路(120)更具有用以使电阻(R1、R2、R3、R4)电容性耦接至输出节点(NOUT)的寄生电容(Cp)。

公开(公告)号：CN108630260A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810365847.8

申请日：2013-09-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 杰拉尔德·巴克利 ,  尼古拉斯·亨德里克森

IPC分类号： G11C8/08 ,  G11C13/00 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C5/14 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3427

摘要： 本发明涉及用以提供针对存储器装置的电力管理的系统。在一些实施方案中，一种例如非易失性固态存储器装置的设备，所述设备可包含存取线偏置电路，其用以响应于模式信息而设置与存储器核心的取消选定存取线相关联的偏置电平。在一种方法中，存取线偏置电路可使用线性降压调节以改变存储器核心的取消选定存取线上的电压电平。本发明可提供一种例如主机处理器的存储器存取装置，其能够动态地设置存储器装置的存储器核心的操作模式以便管理所述存储器的功耗。本发明还提供其它设备及方法。

公开(公告)号：CN105324818B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480034833.8

申请日：2014-06-18

申请人： 西部数据技术公司

发明人： W·K·莱尔德 ,  J·R·阿格尼斯 ,  H·S·翁 ,  R·P·梅奥

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G06F1/26 ,  G06F1/263 ,  G06F1/305 ,  G06F1/3221 ,  G06F1/3225 ,  G11C5/147 ,  H02J7/345 ,  H02M2003/1566 ,  Y02D10/154

摘要： 一种数据存储设备(DSD)，该数据存储设备(DSD)包括来自主机的电源以及电荷存储元件。在来自主机的电源上检测到电流瞬态，并且确定该电流瞬态是否超过电流阈值。当电流瞬态超过电流阈值时，从电荷存储元件汲取功率以减小从主机汲取的功率。

公开(公告)号：CN104517642B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410406306.7

申请日：2014-08-18

申请人： 力旺电子股份有限公司

发明人： 蔡裕雄

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC分类号： H01L27/11558 ,  G11C5/147 ,  G11C7/12 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/28 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4916

摘要： 一种运用于快闪存储器的偏压产生器及其相关控制方法。该快闪存储器的偏压电压产生器，产生一控制电压以及一源极线电压至一存储器阵列，该偏压电压产生器包括：一参考电压产生电路，接收一编程信号或者一抹除信号并据以产生一参考电压，其中，当该参考电压产生电路接收该编程信号时，该参考电压具备一正温度系数；以及当该参考电压产生电路接收该抹除信号时，该参考电压具备一负温度系数；以及，一电压转换电路，接收该参考电压并据以转换为该控制电压以及该源极线电压，其中该电压转换电路将该参考电压提高一第一倍率后成为该源极线电压，以及该电压转换电路将该参考电压提高一第二倍率后成为该控制电压。

公开(公告)号：CN104737232B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201380053743.9

申请日：2013-09-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 杰拉尔德·巴克利 ,  尼古拉斯·亨德里克森

IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C5/14 ,  G11C8/08 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3427

摘要： 本发明涉及一种例如非易失性固态存储器装置(14)的设备，在一些实施方案中，所述设备可包含存取线偏置电路(30)，其用以响应于模式信息而设置与存储器核心(32)的取消选定存取线相关联的偏置电平。在一种方法中，存取线偏置电路(30)可使用线性降压调节以改变存储器核心(32)的取消选定存取线上的电压电平。本发明可提供一种例如主机处理器(12)的存储器存取装置，其能够动态地设置存储器装置(14)的存储器核心(32)的操作模式以便管理所述存储器的功耗。本发明还提供其它设备及方法。

公开(公告)号：CN104851453B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201410054989.4

申请日：2014-02-18

申请人： 辉达公司

发明人： 陈刚 ,  郭靖 ,  杨俊

IPC分类号： G11C11/416

CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C5/147

摘要： 用于低功率SRAM的写入辅助方案。写入辅助存储器包括存储器供电电压以及在写入操作期间由位线对控制的SRAM单元的列。此外，写入辅助存储器包括写入辅助单元，其耦连到存储器供电电压和SRAM单元的列并且具有位于位线对之间的可分离的导线，可分离的导线在写入操作期间基于位线对中的控制信号的电容性耦连将可收缩的SRAM供电电压提供到SRAM单元的列。还提供了操作写入辅助存储器的方法。

公开(公告)号：CN108022619A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710928945.3

申请日：2017-10-09

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 宋清基

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C5/147 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79

摘要： 本技术的阻变存储装置包括被划分为多个分区的存储电路以及包括多个电源电路和输出电路的输入/输出(I/O)电路。多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。

公开(公告)号：CN105027209B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480011139.4

申请日：2014-02-13

申请人： 英特尔公司

发明人： M.G.戴利 ,  Y.V.S.范查

IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C5/147 ,  G05F3/08 ,  G05F3/26 ,  G11C7/10 ,  G11C7/14 ,  G11C27/02 ,  G11C27/024

摘要： 固态存储器的高度分布式电流基准包括位于中心的电流数模转换器（IDAC)和多个位于远处的瓦片式电流基准。IDAC包括生成基准电流的第一有源器件和为第一有源器件形成第一源极负反馈电阻的器件。IDAC输出代表基准电流大小的电压信号。位于远处的瓦片式电流基准包括第二有源器件和为第二有源器件形成第二源极负反馈电阻的器件。耦合至IDAC输出的电压信号的电容和源极负反馈电阻补偿电流、温度、电源和过程变化。