公开(公告)号：CN1259227A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN98805830.8

申请日：1998-06-08

申请人： 特尔科迪亚技术股份有限公司 ,  马里兰州立大学

发明人： S·阿加尔渥 ,  A·M·多特 ,  R·拉米希

IPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L27/1085 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

摘要： 一种制造可用作集成在硅衬底(22)上的非易失性集成电路存储器的存储单元的铁电电容器的方法,该存储单元最好包括金属间阻挡层。该存储单元由铁电层(50)构成,铁电层例如夹在金属氧化物电极(52和46)之间的铌钛酸铅(PNZT),金属氧化物电极例如形成晶体定向并提供铁电体的晶体形成用生长模板的镧锶辉钴矿(LSCO)。金属间层(44)防止氧气从底部LSCO电极(46)扩散到下面的硅(40)。至少底部电极(46)在高于其生长温度的退火温度下经过快速热退火。从而,改善此铁电单元的极化和疲劳特性。此外,可把类似的金属间层置于铁电单元上。金属间层的较佳成分为难熔的硅化物,尤其是难熔的二硅化物。