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公开(公告)号：CN118750631A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410829925.0
申请日：2024-06-25
申请人： 环山集团股份有限公司 , 万物云空间科技服务股份有限公司 , 深圳市中物互联技术发展有限公司 , 高英
摘要： 本发明提供了一种流动式空气杀菌装置，包括第一风道外壳、第二风道外壳、第三风道外壳、风机以及光源组件；所述第一风道外壳、第二风道外壳和第三风道外壳依次首尾相接形成相对封闭的风道；所述风机装设于所述第三风道外壳内；所述光源组件包括第一安装支架以及多个深紫外点光源，多个深紫外点光源分别以相互间隔的方式固定在第一安装支架上，所述第一安装支架装配在所述第一风道外壳内远离进风口的一端，且多个所述深紫外点光源的发光面朝向所述进风口；所述第一风道外壳的内壁具有反射膜，并通过反射膜反射所述深紫外点光源发出的深紫外光。本发明可提高了紫外线的照度与均匀性，改善大流量杀菌效果。
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公开(公告)号：CN101225547B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710176647.X
申请日：2007-10-31
摘要： 本发明公开了一种生长室和氮化镓体材料生长方法，属于半导体工艺领域。所述生长室包括：气体加热腔、喷淋头、镓舟蒸气室、水冷生长室壁、加热装置和生长托。所述方法包括：持续向气体加热腔通入氨气和载气，把金属镓置于镓舟蒸气室内；持续向镓舟蒸气室输入氮气、氢气或氩气，使镓舟蒸气室的压力大于气体加热腔的压力；缓慢升高生长托的温度到大于或等于1050℃；缓慢升高镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，将温度升高到大于或等于1100℃，镓蒸气与氨气在生长托上的衬底表面进行反应生成氮化镓；生长完成后，降低镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，再降低生长托的温度，取出生成的氮化镓体材料。本发明的生长速度快，且氮化镓的质量高。
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公开(公告)号：CN100470866C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710121874.2
申请日：2007-09-17
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种半导体固态光源器件，属于半导体工艺领域。所述半导体固态光源器件的外延部分包括：至少一个N-型层、至少一个P-型层、至少一个发光区、正电极和负电极，所述发光区在所述N-型层和所述P-型层之间，在所述P-型层的另一侧有至少一个P++-型层；以及在所述P++-型层的另一侧有至少一个过渡层，所述过渡层的能带宽度小于所述P-型层和P++-型层的能带宽度；在所述过渡层的另一侧有至少一个N++-型层，所述N++-型层的能带比所述过渡层的能带宽。本发明提供的大功率发光二极管半导体固态光源器件降低了电阻、提高了导热和发光效率。
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公开(公告)号：CN100550302C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710121875.7
申请日：2007-09-17
摘要： 本发明公开了一种III族氮化物半导体材料及其生长方法，属于半导体工艺领域。所述方法包括：在半导体衬底上形成一层耐高温掩膜；利用横向外延法在所述耐高温掩膜上生长与所述衬底同质的外延层；将所述半导体置于高温氧化炉中氧化，去除耐高温掩膜，形成与所述衬底同质的悬空图案层；以所述悬空图案层为基底，生长III族氮化物外延，形成III族氮化物半导体材料。所述III族氮化物半导体材料包括：衬底；通过外延技术形成于所述衬底上的悬空图案层；通过III族氮化物的外延技术生长于所述悬空图案层上的III族氮化物外延。本发明降低了生长成本，通过悬空图案层减小了后期生长膜和衬底之间的应力，可以生长无裂纹厚膜。
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公开(公告)号：CN101225547A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710176647.X
申请日：2007-10-31
摘要： 本发明公开了一种生长室和氮化镓体材料生长方法，属于半导体工艺领域。所述生长室包括：气体加热腔、喷淋头、镓舟蒸气室、水冷生长室壁、加热装置和生长托。所述方法包括：持续向气体加热腔通入氨气和载气，把金属镓置于镓舟蒸气室内；持续向镓舟蒸气室输入氮气、氢气或氩气，使镓舟蒸气室的压力大于气体加热腔的压力；缓慢升高生长托的温度到大于或等于1050℃；缓慢升高镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，将温度升高到大于或等于1100℃，镓蒸气与氨气在生长托上的衬底表面进行反应生成氮化镓；生长完成后，降低镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，再降低生长托的温度，取出生成的氮化镓体材料。本发明的生长速度快，且氮化镓的质量高。
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公开(公告)号：CN101140974A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710121874.2
申请日：2007-09-17
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种半导体固态光源器件，属于半导体工艺领域。所述半导体固态光源器件的外延部分包括：至少一个N－型层、至少一个P－型层、至少一个发光区、正电极和负电极，所述发光区在所述N－型层和所述P－型层之间，在所述P－型层的另一侧有至少一个P++－型层；以及在所述P++－型层的另一侧有至少一个过渡层，所述过渡层的能带宽度不大于所述P－型层和P++－型层的能带宽度；在所述过渡层的另一侧有至少一个N++－型层，所述N++－型层的能带比所述过渡层的能带宽。本发明提供的大功率发光二极管半导体固态光源器件降低了电阻、提高了导热和发光效率。
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公开(公告)号：CN101140865A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710121875.7
申请日：2007-09-17
摘要： 本发明公开了一种III族氮化物半导体材料及其生长方法，属于半导体工艺领域。所述方法包括：在半导体衬底上形成一层耐高温掩膜；利用横向外延法在所述耐高温掩膜上生长与所述衬底同质的外延层；将所述半导体置于高温氧化炉中氧化，去除耐高温掩膜，形成与所述衬底同质的悬空图案层；以所述悬空图案层为基底，生长III族氮化物外延，形成III族氮化物半导体材料。所述III族氮化物半导体材料包括：衬底；通过外延技术形成于所述衬底上的悬空图案层；通过III族氮化物的外延技术生长于所述悬空图案层上的III族氮化物外延。本发明降低了生长成本，通过悬空图案层减小了后期生长膜和衬底之间的应力，可以生长无裂纹厚膜。
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