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发明公开
用以减少端点处的电流拥塞的布局审中-公开

公开(公告)号：CN116670833A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180077338.5

申请日：2021-11-11

申请人： 理想能量有限公司

发明人： R·A·布兰查德 , A·莫贾布

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及用以减少端点处的电流拥塞的布局。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：发射极区，其界定呈具有平行边的长圆形形状的内边界，且所述长圆形具有各自具有半径的半球形端；基极区，其具有第一端、与所述第一端相对的第二端，及基极长度，所述基极区安置于所述长圆形内，其中所述基极长度平行于所述平行边且在所述平行边之间居中，所述第一端与所述第一半球形端间隔开大于所述半径的第一间隙，且所述第二端与所述第二半球形端间隔开大于所述半径的第二间隙。