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    麦克风制作方法
    1.
    发明公开
    麦克风制作方法 无效

    公开(公告)号：CN102264025A

    公开(公告)日：2011-11-30

    申请号：CN201110005590.3

    申请日：2011-01-12

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声科技(新加坡)有限公司

    发明人： 颜毅林 ,  孟珍奎 ,  张睿 ,  张小麟 ,  杨斌 ,  葛舟 ,  王琳琳

    IPC分类号： H04R31/00

    摘要： 本发明提供一种麦克风制作方法，包括有下列步骤：提供一硅基板，该硅基板包括底面和与该底面相对的一顶面；在该硅基板的该顶面形成一振膜，在该振膜上形成一牺牲层，在该牺牲层上形成一绝缘层；在该绝缘层上方形成一背板，在该背板上刻蚀出背电极；在该背板上刻蚀出一接触窗，在该接触窗上设置二焊盘，该二焊盘分别对应电性连接该背板、该振膜；在该硅基板的该底面与该顶面之间刻蚀形成一背腔；在该焊盘处设置一保护层；去除该牺牲层；去除该保护层。本发明的该硅微麦克风的制作方法制作的该硅微麦克风的产品质量高，使用效果好。

    电容麦克风
    6.
    实用新型
    电容麦克风 失效 转让

    公开(公告)号：CN202679625U

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：CN201220258618.4

    申请日：2012-06-04

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声科技(新加坡)有限公司 ,  瑞声声学科技(常州)有限公司

    发明人： 葛舟 ,  许从良

    IPC分类号： H04R19/04

    摘要： 本实用新型公开了一种电容麦克风，其包括开设有若干背板孔的背极板，所述背板孔包括位于所述背极板中间区域的第一背板孔群和包围所述第一背板孔群的第二背板孔群，所述第一背板孔群的开孔密度小于所述第二背板孔群的开孔密度。本实用新型的电容麦克风相较于相关技术的电容麦克风，背极板中间区域正对电容麦克风振膜的面积增大了，有效提高了灵敏度和信噪比。

    硅晶微麦克风装置
    7.
    实用新型
    硅晶微麦克风装置 失效

    公开(公告)号：CN202004962U

    公开(公告)日：2011-10-05

    申请号：CN201120007947.7

    申请日：2011-01-12

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声科技(新加坡)有限公司

    发明人： 张小麟 ,  杨斌 ,  孟珍奎 ,  颜毅林 ,  张睿 ,  葛舟 ,  王琳琳

    IPC分类号： H04R19/04

    摘要： 本实用新型公开了一种硅晶微麦克风装置。所述硅晶微麦克风装置包括硅基、振膜、背极板、背电极以及至少两键合用焊盘，该硅基支撑该背极板及该振膜，该背极板支撑该背电极，该两键合用焊盘之一设置于该背电极上，该两键合用焊盘之二的一部分设置于该振膜上，另一部分设置于该背电极上，还包括保护层，该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘表面，另一部分连接该背电极通过上述方式，本实用新型能够可以有效的防止键合用焊盘的氧化问题，还能提高键合用焊盘与背极板或与振膜结构的固定性，从而解决现有技术中，键合用焊盘易松动、甚至脱落的问题，从而提高硅晶微麦克风效能和输出表现。

    加速度传感器
    8.
    发明授权
    加速度传感器 失效 转让

    公开(公告)号：CN101865934B

    公开(公告)日：2012-01-18

    申请号：CN201010198641.4

    申请日：2010-06-11

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声微电子科技(常州)有限公司

    发明人： 杨斌 ,  孟珍奎 ,  张睿 ,  葛舟 ,  颜毅林

    IPC分类号： G01P15/125

    CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/18

    摘要： 本发明提供了一种加速度传感器，其特征在于：该加速度传感器包括基底、质量块、第一组电容、对第一组电容相邻的第三组电容，其中；质量块可相对于基底运动，并设有上表面、与上表面平行的下表面以及连接上下表面的侧壁；第一组电容包括与质量块侧壁相连接的第一动电极轴、连接第一动电极轴与基底的第一弹性支撑部件，以及由第一动电极轴延伸并垂直于质量块侧壁法向的若干第一动电极；第一组电容还包括若干与第一动电极平行并连接固定至基底的第一定电极；每两相邻的第一动电极之间设有至少一个上述的第一定电极；还包括分别与质量块侧面相连的第二组电容和第四组电容。本发明提供的加速度传感器尺寸小、灵敏度高，设计灵活。

    硅基电容麦克风的制作方法
    9.
    发明公开
    硅基电容麦克风的制作方法 无效

    公开(公告)号：CN101835085A

    公开(公告)日：2010-09-15

    申请号：CN201010173256.4

    申请日：2010-05-10

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声微电子科技(常州)有限公司

    发明人： 葛舟 ,  颜毅林 ,  孟珍奎 ,  杨斌 ,  张睿

    IPC分类号： H04R31/00 ,  B81C1/00

    摘要： 本发明涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上设置氧化物绝缘层；步骤B：氧化物绝缘层上设置应力平衡层；步骤C：应力平衡层上设置多晶硅层，进行掺杂，形成掺杂后的掺杂层，作为电容的一个电极板；步骤D：在掺杂层上沉积牺牲层，在牺牲层上利用光刻形成若干沉孔；步骤E：沉积电容的另外一个电极板；步骤F：沉积电极；步骤G：利用蚀刻形成背腔；步骤H：释放牺牲层，得到两电极板之间的间隙。用该方法制作的硅基电容麦克风灵敏度高，一致性好。

    硅基麦克风
    10.
    发明授权
    硅基麦克风 失效 转让

    公开(公告)号：CN101835080B

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：CN201010173213.6

    申请日：2010-05-10

    申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 ,  瑞声微电子科技(常州)有限公司

    发明人： 葛舟

    IPC分类号： H04R19/04

    摘要： 本发明提供了一种硅基麦克风，包括基底、与基底相连的阻挡层、与阻挡层连接的振膜，在基底和阻挡层的中心设有贯穿二者的空腔，所述振膜包括与阻挡层相连的边缘部和由边缘部围绕的振动主体，所述振膜的边缘部包括与阻挡层相连的高应力的氮化硅层和与氮化硅层相连的低应力的多晶硅层，所述振膜的振动主体仅包括低应力的多晶硅层。与现有技术相比，由于本发明振膜的边缘部由两层构成，其振动主体为单层结构，可明显地降低寄生电容，以提供产品的灵敏度；并且，也大大减少其他结构层高应力对薄膜产生的应力梯度，从而达到释放应力的目的。