公开(公告)号：CN103378101A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310148693.4

申请日：2013-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 仓智司 ,  日佐光男 ,  坂本圭司 ,  岩崎太一

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。

公开(公告)号：CN108807273B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201810826061.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 仓智司 ,  日佐光男 ,  坂本圭司 ,  岩崎太一

IPC: H01L21/8234 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。

公开(公告)号：CN108807273A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810826061.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 仓智司 ,  日佐光男 ,  坂本圭司 ,  岩崎太一

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。

公开(公告)号：CN103378101B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201310148693.4

申请日：2013-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 仓智司 ,  日佐光男 ,  坂本圭司 ,  岩崎太一

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。可以在相同的衬底上形成需要减少泄漏电流的第一晶体管以及需要高速运算和低功耗兼容的第二晶体管，并且为两种类型的晶体管分别提供足够的性能。第一晶体管需要减少泄漏电流。第二晶体管需要低功耗、高速运算。衬底的形成第二扩散层的部分的上表面形成为低于形成第一扩散层的部分的上表面。