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发明公开
用于半导体样品的光致发光成像方法和设备审中-公开

公开(公告)号：CN118533837A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410197299.8

申请日：2024-02-22

申请人： 瑟米莱伯有限公司

发明人： Z·T·基斯 , M·纳吉 , Z·安塔 , L·杜达斯 , G·奈杜德瓦利

IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/63 , G01N21/01 , G03B15/02

摘要： 本发明公开了一种用于样品的光致发光成像的方法和设备。该设备包括用于保持所述样品的样品架、用于发射第一光束的第一光源、第一对称扩束器、用于将第一光束成形并聚焦为样品的表面上的线的光束成形光学元件、第一相机、以及用于将第一光束引导到物镜上的第一成像二向色光学元件。用于样品的光致发光成像的方法包括以下步骤：在样品架上提供样品，产生第一光束，扩展所述第一光束，使第一光束成形为第一线，将第一光束聚焦到样品表面上的检测位置上，从而照射所述检测位置，在像素行上捕获响应于第一光束的所述照射而由样品发射的光致发光，以及用所述第一线基本上扫描所述样品的整个表面。