公开(公告)号：CN103217396A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310009169.9

申请日：2013-01-10

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 汉斯·沃赫纳 ,  罗伯特·鲍曼

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/63

CPC classification number: G01J3/28 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C30B13/00 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明提供了用于测定多晶硅的表面污染的方法，包括以下步骤：a）在西门子反应器中，通过沉积作用提供两个多晶硅杆；b）在沉积作用之后立即测定所述两个杆中第一个的污染物；c）使第二杆通过一个或多个系统，其中进一步加工多晶硅杆从而给出杆片段或多晶硅片段，可选地进行清洁、存储或包装；d）然后测定第二个杆中的污染物；其中在第一和第二个杆中测定的污染物的差异给出由系统和系统环境产生的多晶硅的表面污染。

公开(公告)号：CN103217396B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310009169.9

申请日：2013-01-10

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 汉斯·沃赫纳 ,  罗伯特·鲍曼

IPC: G01N21/3563 ,  G01N21/63 ,  C01B33/035

CPC classification number: G01J3/28 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C30B13/00 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明提供了用于测定多晶硅的表面污染的方法，包括以下步骤：a）在西门子反应器中，通过沉积作用提供两个多晶硅杆；b）在沉积作用之后立即测定所述两个杆中第一个的污染物；c）使第二杆通过一个或多个系统，其中进一步加工多晶硅杆从而给出杆片段或多晶硅片段，可选地进行清洁、存储或包装；d）然后测定第二个杆中的污染物；其中在第一和第二个杆中测定的污染物的差异给出由系统和系统环境产生的多晶硅的表面污染。

公开(公告)号：CN103172069A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210563223.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 罗伯特·鲍曼 ,  罗伯特·赫尔茨尔 ,  米夏埃尔·魏克塞尔加特纳

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  C01B33/10778 ,  H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 本发明提供了多晶硅，所述多晶硅具有以下掺杂剂浓度：1-10ppta的硼、1-20ppta的磷、1-10ppta的砷、0.01-1ppta的铝，并且具有至少2000且至多4500μs的载流子寿命。