公开(公告)号：CN101298329B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810092816.6

申请日：2008-05-04

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： D·韦德豪斯 ,  R·豪斯维特 ,  H·赫特莱因

IPC: C01B33/021

CPC classification number: C01B33/027

Abstract: 通过在流化床反应器中将反应气体沉积在硅颗粒上而制备高纯度多晶硅颗粒的方法，其包括：(I)具有包括至少两个前后排列的区域的反应器空间的反应器，(II)其中下部区域通过借助独立喷嘴将不含硅的气体导入硅颗粒而被弱流化，(III)其与另一个区域直接接触而相连接，该另一个区域与第一区域直接接触，(IV)该区域经由其向外受限的壁而进行加热，及(V)借助一个或多个喷嘴将含硅的反应气体作为垂直向上取向的气体射流以高速由喷嘴引入在此形成的反应区内，其中在喷嘴上方形成由产生气泡的流化床包围的局部反应气体射流，在该流化床内使含硅气体在颗粒表面上分解并导致颗粒生长，及(VI)在此情况下，以如下方式导入反应气体：在其到达流化床壁或流化床表面之前几乎完全反应至化学平衡转化率。

公开(公告)号：CN101298329A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810092816.6

申请日：2008-05-04

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： D·韦德豪斯 ,  R·豪斯维特 ,  H·赫特莱因

IPC: C01B33/021

CPC classification number: C01B33/027

Abstract: 通过在流化床反应器中将反应气体沉积在硅颗粒上而制备高纯度多晶硅颗粒的方法，其包括：(I)具有包括至少两个前后排列的区域的反应器空间的反应器，(II)其中下部区域通过借助独立喷嘴将不含硅的气体导入硅颗粒而被弱流化，(III)其与另一个区域直接接触而相连接，该另一个区域与第一区域直接接触，(IV)该区域经由其向外受限的壁而进行加热，及(V)借助一个或多个喷嘴将含硅的反应气体作为垂直向上取向的气体射流以高速由喷嘴引入在此形成的反应区内，其中在喷嘴上方形成由产生气泡的流化床包围的局部反应气体射流，在该流化床内使含硅气体在颗粒表面上分解并导致颗粒生长，及(VI)在此情况下，以如下方式导入反应气体：在其到达流化床壁或流化床表面之前几乎完全反应至化学平衡转化率。