-
公开(公告)号：CN118956265A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411451864.5
申请日：2024-10-17
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C09D183/08 , C09D7/00 , C09D7/63
摘要： 本发明属于氟化工技术领域，具体涉及一种免烤型防指纹涂层及其制备方法。一种免烤型防指纹涂层，是由母液经稀释、涂覆、干燥后制得，母液由以下组分制成：含氟硅氧烷、偶联剂、催化剂、润滑剂、溶剂；其中氟硅氧烷质量为母液总质量的20%，氟硅氧烷、偶联剂、润滑剂的质量比为1:0.3～0.8:1，催化剂在母液中的含量为300～1000ppm，余量为溶剂。本发明通过引入偶联剂、催化剂，使得含氟硅氧烷在常温下即可与基材进行交联反应，从而含氟基团紧贴基材表面使得基材呈现疏水疏油效果，且润滑剂的使用使得基材表面更加爽滑。同时，本发明提供的制备方法还具有简单、低能耗、绿色环保等优势。
-
公开(公告)号：CN117304395A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311574993.9
申请日：2023-11-23
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C08F220/28 , C08F220/24 , C08F220/20 , C09D133/14
摘要： 本发明提供了一种用于光刻防水涂层的三元共聚物及其制备方法与用途，本发明的三元共聚物由A单体、B单体和C单体共聚制备得到，其中，A单体为1,1,1‑三氟‑2‑三氟甲基‑2‑羟基‑4‑甲基丙烯酸戊酯，B单体为甲基丙烯酸八氟戊酯，C单体为甲基丙烯酸羟乙酯；且x、y、z为三元共聚物中各单体的摩尔百分比，且x:y:z=(40~60):(10~20):(10~20)。本发明的三元共聚物形成的光刻防水涂层组合物与光刻胶表面有高的接触角和优异的碱溶性，以及良好的溶解性，与光刻胶有良好的兼容性，光刻显影时可方便去除，不用额外增加去除工艺，保证了图案的分辨率。
-
公开(公告)号：CN115322839B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211016307.1
申请日：2022-08-24
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
发明人： 李永斌
IPC分类号： C11D1/06 , C11D3/30 , G03F7/42 , G03F7/00 , C07C59/135
摘要： 本申请公开了一种用于光刻冲洗液的含氟组合物、光刻冲洗液和形成光刻胶图案的光刻方法，涉及光刻技术领域。含氟组合物包括具有以下通式结构的全氟聚醚羧酸：#imgabs0#，n=0‑5；以全氟聚醚羧酸在含氟组合物中的质量百分含量计，n=0时的全氟聚醚羧酸A1的含量为0%~6%，n=1时的全氟聚醚羧酸A2的含量为5%~15%，n=2时的全氟聚醚羧酸A3的含量为10%~40%，n=3时的全氟聚醚羧酸A4的含量为40%~65%，n=4时的全氟聚醚羧酸A5的含量为1%~30%，n=5时的全氟聚醚羧酸A6的含量为0%~5%；全氟聚醚羧酸A3和A4的含量之和大于60%。本申请提供的光刻冲洗液在防止光刻胶图案倒塌和粘结的同时，减少了表面活性剂的残留以及抑制了气泡产生。
-
公开(公告)号：CN116514682A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310798521.5
申请日：2023-07-03
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C07C303/02 , C07C309/10
摘要： 本发明属于高分子化合物合成技术领域，公开了一种全氟聚醚磺酸化合物及其制备方法和应用。本发明制备的全氟聚醚磺酸是一种同时具有疏水性全氟聚醚基团和亲水性磺酸基团的有机酸，可替代PFOS进一步用于半导体材料。
-
公开(公告)号：CN116027633A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310112429.9
申请日：2023-02-14
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
摘要： 本发明属于先进光学材料技术领域，公开了含氟聚合物、含有含氟聚合物的涂料组合物及其应用。本发明制备的光刻胶用顶部抗反射膜的涂料组合物，包括含氟聚合物、非离子表面活性剂、水溶性树脂、碱和水性介质；其中，所述含氟聚合物由含氟聚醚基团的含氟聚合物Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ复配而成。以本发明涂料组合物制备的抗反射膜能够有效避免光刻胶时的光散射和驻波效应，同时兼具优异的水溶性，与多种光刻胶的pH匹配性良好。
-
公开(公告)号：CN112374977B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011505172.6
申请日：2020-12-18
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C07C49/167 , C07C45/58 , B01J19/00
摘要： 本发明涉及氟精细化学合成技术领域，公开了一种全氟己酮的制备方法，包括以下步骤：（1）将极性非质子溶剂、催化剂和反应助剂混合均匀后，加入到高通量连续流反应器中，向高通量连续流反应器中通入六氟丙烯和六氟环氧丙烷，将反应器温度控制在20℃～40℃进行反应，反应结束后，静置分层，收集下层液；（2）将步骤（1）收集的下层液，进行精馏，收集馏分，即得全氟己酮。该发明通过添加反应助剂有效避免了副产物的生成，极大提高了全氟己酮的转化率和产率，并且采用高通量连续流反应器进行反应可实现稳定、安全、高效连续反应，易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN114262416B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210200842.6
申请日：2022-03-03
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C08F290/06 , C08F220/28 , C08F220/38 , C09D151/08
摘要： 本发明公开了一种用于193nm水浸式光刻的聚合物树脂、抗水涂层组合物、抗水涂层及其制备方法，所述聚合物树脂是将含六氟叔丁醇基团的丙烯酸酯单体、含全氟链丙烯酸酯的单体以及含三氟甲基磺酰胺基团的丙烯酸酯单体三元共聚得到。全氟烷基链的引入提高疏水性的同时增加了树脂的接触角性能和抗刻蚀能力，三氟甲基磺酰胺基团和六氟叔丁醇基的引入使树脂有了更好的碱溶性；采用本发明聚合物树脂制备的抗水涂层组合物，不仅可以通过改变共聚物单体比例来匹配不同的193nm光刻胶，而且能得到线条良好的图案；采用本发明涂层树脂组合物制备的抗水涂层可有效避免浸没式光刻工艺中光刻胶中酸性物质的浸出，并在显影时自动去除，有利于简化光刻工艺。
-
公开(公告)号：CN114035405B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210011889.8
申请日：2022-01-07
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
发明人： 李永斌
摘要： 本发明涉及先进光学材料技术领域，特别涉及一种制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物、光刻胶用顶部抗反射膜和含氟组合物。制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物，包括：含氟组合物、碱、酸、表面活性剂。含氟组合物包含含氟聚合物；含氟组合物包括分别包含n=1，2，3，4和≥5个含氟聚醚基团的含氟聚合物，上述含氟聚合物的含量分别为0‑10wt%、30wt‑68wt%、32wt‑60wt%、0‑15wt%和0‑8wt%；含氟组合物在制备光刻胶用顶部抗反射膜的组合物中的含量为1wt‑15wt％。抗反射膜能够避免光散射和驻波效应，同时组合物与光刻胶的pH匹配良好，改善了膜表面孔洞和均匀性及涂覆后中心点和边缘厚度差异较大的问题，提高光刻工艺的良品率。
-
公开(公告)号：CN113248699A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110552088.8
申请日：2021-05-20
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C08G65/30
摘要： 本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种除去全氟聚醚羧酸中金属离子杂质的方法，包括以下步骤：（1）将全氟聚醚羧酸与水混合，得到混合液；（2）向步骤（1）制得的混合液中加入碱液，在室温下反应3～5h，得到全氟聚醚羧酸盐溶液；（3）将步骤（2）制得的全氟聚醚羧酸盐溶液通过阳离子交换树脂柱，收集流出液；（4）向步骤（3）的流出液中加入酸液，室温下反应30～60min，反应结束后，静置分层，收集下层液，即得电子级全氟聚醚羧酸。本发明通过将腐蚀性较强的全氟聚醚羧酸转化为盐溶液，然后通过串联的离子交换树脂除全氟聚醚羧酸中的金属离子杂质，有效的去除了金属离子杂质，使全氟聚醚羧酸成为符合SEM I‑C1标准的电子级产品。
-
公开(公告)号：CN112679653A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011577623.7
申请日：2020-12-28
申请人： 甘肃华隆芯材料科技有限公司
IPC分类号： C08F220/28 , C08F220/24 , C08F220/18 , G03F7/004
摘要： 本发明涉及光刻胶技术领域，公开了一种光刻胶成膜树脂及其光刻胶组合物的制备方法。本发明将衍生自含氟丙烯酸酯单体A、衍生自胆酸单体B和衍生自含脂环丙烯酸酯单体C进行共聚反应，制备光刻胶成膜树脂；该树脂制备的光刻胶不仅抗蚀刻性强，还极大的增加了吸附性和对基板的粘附性，用于193nm浸没式光刻工艺，其最佳分辨率能够达到0.13μm，且图像清晰、边缘粗糙度良好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
82 条记录 (耗时 0.046 秒)
