公开(公告)号：CN106298874B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610727469.4

申请日：2016-08-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域21、22....2N；漏极N+接触区包围子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN106098755B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610728886.0

申请日：2016-08-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个三角形子区域21、22….2N；漏极N+接触区包围三角形子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN104638022B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510080894.4

申请日：2015-02-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  于亮亮 ,  代刚 ,  何逸涛 ,  张波

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述SOI横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，P型重掺杂区和N型重掺杂区与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触，P型重掺杂区和N型重掺杂区之间的N型轻掺杂硅通过氧化介质层与金属阴极隔离。本发明采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响；同时采用双载流子导电，增大了器件的电流密度，使器件的线性区更陡峭，夹断电压在5V以内。

公开(公告)号：CN106973461A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710311508.7

申请日：2017-05-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  李路 ,  朱旭晗 ,  宋旭 ,  于亮亮 ,  梁龙飞 ,  张波

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H05B33/0809 ,  H05B33/0842

摘要： 一种LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN106954314A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710311575.9

申请日：2017-05-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  李路 ,  梁龙飞 ,  宋旭 ,  朱旭晗 ,  于亮亮 ,  张波

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H05B33/0809 ,  H05B33/0845

摘要： 一种带调光功能的LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN106098755A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610728886.0

申请日：2016-08-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  李成州 ,  于亮亮 ,  肖倩倩 ,  张波

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个三角形子区域21、22….2N；漏极N+接触区包围三角形子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

公开(公告)号：CN105101555A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510512994.X

申请日：2015-08-20

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  方东 ,  张波

IPC分类号： H05B37/02

摘要： 一种LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括第一高反向耐压恒流器件、第二高反向耐压恒流器件、第一高压二极管和第二高压二极管；第一高反向耐压恒流器件阳极与第二高压二极管阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，第二高反向耐压恒流器件阳极与第一高压二极管阴极连接形成第三节点，第一高压二极管阳极与第二高压二极管阳极连接形成第四节点；第一节点和第三节点分别连接第一交流输入端和第二交流输入端，第二节点和第四节点分别连接第一直流输出端和第二直流输出端。本发明驱动芯片将整流和恒流功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN105047724A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510572141.5

申请日：2015-09-09

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  张康 ,  代刚 ,  何逸涛 ,  于亮亮 ,  张晓菲

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻在器件工作时具有一定压降，使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流以及有效工作电压范围。本发明尤其适用于横向恒流二极管。

公开(公告)号：CN104638024A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510081821.7

申请日：2015-02-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  于亮亮 ,  代刚 ,  陈钢 ,  张波

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66136

摘要： 本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。

公开(公告)号：CN104638021A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510080605.0

申请日：2015-02-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张波

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66136

摘要： 本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。