-
公开(公告)号：CN102416720A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110236084.5
申请日：2011-08-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： B32B9/00
摘要： 本发明公开了一种氧化钒复合薄膜及其制备方法，其特征在于，该薄膜为氧化钒－富勒烯复合薄膜，即由二维的氧化钒与零维的富勒烯相复合而成。这种氧化钒－富勒烯复合薄膜能结合氧化钒、富勒烯两种成分的优点，克服单纯氧化钒薄膜在制备方法与材料性能等方面的不足，从而能够在保持较高的电阻温度系数的条件下，具备更加优良的导电性、以及在可见光到远红外波段更加优良的光吸收性能；此外，依靠零维富勒烯的光响应各向同性，氧化钒－富勒烯复合薄膜还具有更加灵敏、更加稳定的光学响应特性。采用这种氧化钒－富勒烯复合薄膜作为太赫兹探测器或红外探测器的热敏电阻材料及光吸收材料，能够提高器件的综合性能。
-
公开(公告)号：CN102393252A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110299176.8
申请日：2011-09-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种双层微测辐射热计，包括微桥结构，该微桥结构由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成，所述上桥面设有一层或多层光吸收材料，下桥面包含支撑与绝缘层、金属电极、热敏电阻薄膜、钝化及调控层，下桥面与衬底之间形成下层光学谐振腔，上桥面及下桥面之间形成上层光学谐振腔，其特征在于，上桥面和下桥面之间由两根连接柱相连接，且下桥面的表面设置有一层由金属构成的热量传输层。这种双层微桥一方面具有较高的光吸收率和填充因子，另一方面还具有较高的温度均匀性和力学稳定性。这种双层微测辐射热计及其制备方法能克服现有技术中存在的缺陷，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN104175643A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410380528.6
申请日：2014-08-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： B32B9/04 , C01B31/04 , C07D213/38 , C07C303/32 , C07C309/30
摘要： 本发明公开了DAST-石墨烯复合膜及其制备方法，其中，DAST化学名称为4-（4-二甲基氨基苯乙烯基）甲基吡啶对甲基苯磺酸盐。该复合膜由两维的DAST与两维的石墨烯组成，其制备方法是：通过DAST与石墨烯原位复合或者非原位复合方式当中的一种形成复合材料，然后通过制膜形成DAST-石墨烯复合膜。这种复合膜具有特殊的化学结构和特殊的电学、光学及力学性能，能够克服单纯的石墨烯薄膜或单纯的DAST薄膜在结构和性能方面的不足，提高材料的综合性能。DAST-石墨烯复合膜在红外或太赫兹等光电探测器、温度传感器、气体传感器等领域具有应用前景。此外，本发明公开的DAST-石墨烯复合膜的制备方法简单，无需复杂、昂贵的成膜设备，具有制造成本低、产品质量高等优点。
-
公开(公告)号：CN102794947A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210258291.5
申请日：2012-07-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： B32B9/04
摘要： 本发明公开了一种4-（4-二甲基氨基苯乙烯基）甲基吡啶对甲基苯磺酸盐（英文简称DAST）与碳纳米管的复合薄膜及其制备方法，该薄膜由碳纳米管与DAST膜相复合而成。本发明采用这种DAST-碳纳米管复合膜用于红外或太赫兹等光电探测器、温度传感器、气体传感器等器件的制作，能够克服单纯的碳纳米管或单纯的DAST材料在电学和光学等性能的不足，提高器件的综合性能。本发明公开的DAST-碳纳米管复合膜的制备方法简单，无需复杂、昂贵的成膜设备，降低了制造成本，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN103259097B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310137931.1
申请日：2013-04-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种太赫兹超材料单元结构及其制备与调控方法，其涉及超材料及太赫兹探测技术领域，该太赫兹超材料单元结构由底层、中间介质层、表层三层组成，所述底层为一层连续金属膜；中间介质层为聚酰亚胺薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化铪薄膜、氧化铝铪薄膜当中的一种；所述表层为表层谐振器，该表层谐振器为内部呈“工”字型、外围为“方框”的图形化金属；其超材料太赫兹响应特性的调控方法为将满足阻抗匹配的超材料单元结构的整体按比例地进行缩少或放大，能够把超材料的太赫兹吸收频率、响应频带等调节到理想范围。本发明具有结构简单、易于集成的优点，能够应用到太赫兹探测器中。
-
公开(公告)号：CN103474727B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310419542.8
申请日：2013-09-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种多层超材料单元结构及其制备与调控方法，其由上至下依次为表层金属、上层介质、中间层金属、下层介质、底层金属。表层及中间层金属由尺寸不同的金属环所组成，且这两层金属环之间同时存在重叠区域与未重叠区域，结构的底层金属为连续的金属膜。对于本发明所提出的多层超材料，除了可以通过传统的改变谐振金属图形、金属与介质材料参数等手段进行性能调节之外，重要的是，还可以通过改变表层及中间层两层金属环的直径大小、两环的重叠区域的宽度、以及两环的未重叠区域的宽度等手段来调节超材料对入射电磁波的响应频率与频带。与传统的超材料结构相比，本发明具有更宽的响应频带、更集中的介质损耗、更薄的器件材料等优点。
-
公开(公告)号：CN103259097A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310137931.1
申请日：2013-04-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种太赫兹超材料单元结构及其制备与调控方法，其涉及超材料及太赫兹探测技术领域，该太赫兹超材料单元结构由底层、中间介质层、表层三层组成，所述底层为一层连续金属膜；中间介质层为聚酰亚胺薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化铪薄膜、氧化铝铪薄膜当中的一种；所述表层为表层谐振器，该表层谐振器为内部呈“工”字型、外围为“方框”的图形化金属；其超材料太赫兹响应特性的调控方法为将满足阻抗匹配的超材料单元结构的整体按比例地进行缩少或放大，能够把超材料的太赫兹吸收频率、响应频带等调节到理想范围。本发明具有结构简单、易于集成的优点，能够应用到太赫兹探测器中。
-
公开(公告)号：CN102426060B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110248285.7
申请日：2011-08-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种太赫兹或红外微测辐射热计，包括用于非制冷太赫兹探测器或非制冷红外探测器的微测辐射热计的微桥结构，该微桥结构中的热敏电阻材料和光吸收材料为氧化钒－富勒烯两元复合薄膜、或者是氧化钒－富勒烯－碳纳米管三元复合薄膜当中的一种。这种氧化钒复合膜分别由两维氧化钒与零维富勒烯两种成分、或者是两维氧化钒与零维富勒烯和一维碳纳米管三种成分相复合而成，该微测辐射热计及其制备方法能克服现有技术中所存在的缺陷，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN102393251B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110298926.X
申请日：2011-09-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种双层微测辐射热计及其制作方法，包括用于非制冷红外探测器或非制冷太赫兹探测器微测辐射热计的微桥结构，其特征在于，该微桥由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成，光吸收材料处在上桥面、热敏电阻材料处在下桥面，微桥上桥面的四根上下桥面连接柱与微桥下桥面的金属热量传输层相连接。微桥的上桥面包含一层或多层光吸收材料。这种双层微桥一方面具有较高的光吸收率和填充因子，另一方面还具有较高的温度均匀性和力学稳定性。这种双层微测辐射热计及其制备方法能克服现有技术中存在的缺陷，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN102393251A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110298926.X
申请日：2011-09-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种双层微测辐射热计及其制作方法，包括用于非制冷红外探测器或非制冷太赫兹探测器微测辐射热计的微桥结构，其特征在于，该微桥由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成，光吸收材料处在上桥面、热敏电阻材料处在下桥面，微桥上桥面的四根上下桥面连接柱与微桥下桥面的金属热量传输层相连接。微桥的上桥面包含一层或多层光吸收材料。这种双层微桥一方面具有较高的光吸收率和填充因子，另一方面还具有较高的温度均匀性和力学稳定性。这种双层微测辐射热计及其制备方法能克服现有技术中存在的缺陷，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.021 秒)
