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公开(公告)号：CN106328462B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610966026.0
申请日：2016-10-31
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了种微纳尺寸带状电子注场致发射阴极系统,通过将半导体刻蚀技术将冷阴极材料平板上表面刻蚀为截面为等腰三角形的系列平行金属突起,提高突起的发射尖端的电场强度,进而提高发射电流强度和密度。同时,栅网距离冷阴极顶端般为微米或纳米量级,栅网材料选用金属材料,在冷阴极发射尖端正上方栅网开个矩形口或孔,使得冷阴极发射的电子能够通过,并形成电流较大、高效率的带状电子注。此外,本发明微纳尺寸带状电子注场致发射阴极系统具有体积小、瞬时启动、电流密度大和室温工作等优点,适用于多种类真空电子器件。
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公开(公告)号：CN104269334A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410494069.4
申请日：2014-09-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 该发明公开了一种产生带状或高椭圆率电子注的电子枪，属于真空电子技术领域。首先，按照所需带状电子注的厚度作为直径，通过成熟的方法设计合适的圆柱形电子注电子枪，然后将电子枪的聚焦极和阳极平均剖分两半，中间加入和剖分截面相同的展宽部分，展宽部分的长度根据所需的电子注宽度决定。此时，聚焦极就形成了两端为半圆环，中间为一展宽部分的扁圆形电子枪聚焦极、阳极，其中该聚焦极聚焦阴极发射的带状电子注或高椭圆率电子注时，其聚焦场和电子注的空间电荷场拓扑结构一致，不会出现背景技术所述的某些角度扩散，某些角度交错的问题，不会打断带状电子注的层流性，使电子注顺利的到达阳极。
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公开(公告)号：CN106328462A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610966026.0
申请日：2016-10-31
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01J1/308 , H01J1/3046
摘要： 本发明公开了一种微纳尺寸带状电子注场致发射阴极系统，通过将半导体刻蚀技术将冷阴极材料平板上表面刻蚀为截面为等腰三角形的一系列平行金属突起，提高突起的发射尖端的电场强度，进而提高发射电流强度和密度。同时，栅网距离冷阴极顶端一般为微米或纳米量级，栅网材料选用金属材料，在冷阴极发射尖端正上方栅网开一个矩形口或孔，使得冷阴极发射的电子能够通过，并形成电流较大、高效率的带状电子注。此外，本发明微纳尺寸带状电子注场致发射阴极系统具有体积小、瞬时启动、电流密度大和室温工作等优点，适用于多种类真空电子器件。
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公开(公告)号：CN106783464A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710008826.6
申请日：2017-01-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J1/50
CPC分类号： H01J1/50
摘要： 本发明公开了一种磁场旋转的偏心粒子收集装置，通过两块磁块施加水平磁场，使得下方粒子注入端注入的粒子在磁场的作用下发生旋转，其旋转平面与磁场方向垂直，同时，粒子旋转半径和粒子能量成正比；在旋转方向一侧水平位置，从高到低设置依次向粒子注入端靠近的多片粒子收集叶片，粒子收集叶片从高到低收集能量逐渐减低的粒子。本发明采用偏心型多级收集极叶片进行粒子收集，注入的粒子在磁场的作用下旋转并偏离粒子注入端的入射孔，同时，部分碰撞产生的二次粒子，如果其从侧面往入射孔方向逆旋转反射，也会由于磁场的作用，旋转半径大大减小，多数二次粒子将返回不到入射孔位置，从而降低了返流率、并提高粒子收集效率。
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公开(公告)号：CN103745900A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410016252.3
申请日：2014-01-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J23/04
摘要： 本发明公开了一种真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，包括宽度和厚度以及前端到后端的长度合适的即合乎真空电子器件设计要求的导体薄片。当施加电压较高时，导体薄片前端电场强度大，将电子从导通薄片上拉出来，当施加电压再进一步增加时，导通薄片前端产生等离子体，强电场从等离子体中拉出更大的电流，形成带状电子注。当电流较大时，从等离子体中拉出来的电流不仅沿磁力线向前前进，向后流动的电流将会打在该斜面体上，从能量角度来说，向后电流打在该斜面体上电位没有变化，故而无能量损耗。本发明提出的真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，具有效率高，电流大的特点。同时具有成本低，加工装配容易的优点。
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公开(公告)号：CN104241799A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410483450.0
申请日：2014-09-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P7/06
摘要： 该发明一种用于真空电子器件的双端输入或输出谐振器，属于真空电子技术领域，涉及行波管、返波管、速调管、自由电子激光、奥罗管等真空电子器件。该谐振器包括并列设置的N个谐振腔，N为正整数，每个谐振腔的一端通过各自的耦合孔与同一波导连接，每个谐振腔的另一端通过各自的耦合孔与另一波导连接。双端输入/输出结构作为输入元件时，两端同相输入电磁波，双端输入/输出结构作为输出元件时，谐振腔内激励起来的电磁波，透过耦合孔从两端同相输出。无论是作为输入结构，还是输出结构，双端结构对带状电子注的两端同时调制，这就使得电子注速度无论是提高还是下降都很均匀，提高了输入/输出结构的效率。
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公开(公告)号：CN106783464B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710008826.6
申请日：2017-01-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J1/50
摘要： 本发明公开了一种磁场旋转的偏心粒子收集装置，通过两块磁块施加水平磁场，使得下方粒子注入端注入的粒子在磁场的作用下发生旋转，其旋转平面与磁场方向垂直，同时，粒子旋转半径和粒子能量成正比；在旋转方向一侧水平位置，从高到低设置依次向粒子注入端靠近的多片粒子收集叶片，粒子收集叶片从高到低收集能量逐渐减低的粒子。本发明采用偏心型多级收集极叶片进行粒子收集，注入的粒子在磁场的作用下旋转并偏离粒子注入端的入射孔，同时，部分碰撞产生的二次粒子，如果其从侧面往入射孔方向逆旋转反射，也会由于磁场的作用，旋转半径大大减小，多数二次粒子将返回不到入射孔位置，从而降低了返流率、并提高粒子收集效率。
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公开(公告)号：CN203733751U
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201420021874.0
申请日：2014-01-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J23/04
摘要： 本实用新型公开了一种真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，包括宽度和厚度以及前端到后端的长度合适的即合乎真空电子器件设计要求的导体薄片。当施加电压较高时，导体薄片前端电场强度大，将电子从导通薄片上拉出来，当施加电压再进一步增加时，导通薄片前端产生等离子体，强电场从等离子体中拉出更大的电流，形成带状电子注。当电流较大时，从等离子体中拉出来的电流不仅沿磁力线向前前进，向后流动的电流将会打在该斜面体上，从能量角度来说，向后电流打在该斜面体上电位没有变化，故而无能量损耗。本实用新型提出的真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，具有效率高，电流大的特点。同时具有成本低，加工装配容易的优点。
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