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公开(公告)号：CN117814793A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211169018.5
申请日：2022-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： A61B5/16 , A61B5/00 , A61B5/372 , G06F18/214 , G06F18/2415 , G06F18/243 , G06F18/2431 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了一种基于脑电图的人类情绪分类方法，属于基于脑电图的识别技术领域。本发明包括：采集应试者的原始脑电信号，并确定与情绪相关的脑电通道，提取对应的脑电信息组成信号样本并配置其对应的分类标签；构建并训练卷积双向循环注意力模型，基于信号样本进行训练，基于训练好的训练卷积双向循环注意力模型获取目标对象的情绪分类结果。本发明中可以较为准确的分别在效价维度和唤醒维度对人类情绪进行二分类。且由于基于脑电信息这种生理信号来实现对人类情绪的分类，因此在很大程度上可以避免被试对其真实情感进行隐藏或者伪装。同时采用卷积神经网络、循环神经网络可以更加有效的综合脑电信息中的时空信息。
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公开(公告)号：CN113517348B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110720838.8
申请日：2021-06-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、调制Ge掺杂外延层、本征Ge隔离层、nMOS沟道层、本征三元合金异质帽层、氧化铪层、氮化钽层、源漏区、介质层、源电极、漏电极和钝化层；氧化铪层和氮化钽层形成栅极区；本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.08～0.1；nMOS沟道层为本征DR‑Ge1‑zSnz层；其中，z的范围为0.12‑0.18。本发明还提供一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件的制备方法。本发明的器件解决了Ge基沟道增强型nMOS表面沟道不反型的问题，消除了界面态引起的沟道区费米钉扎效应，利于器件沟道的开启，同时采用高电子迁移率DR‑GeSn作为沟道材料，且在沟道区输运时电子无表面粗糙度散射和离化杂质散射，使得器件性能指标优异。
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公开(公告)号：CN113706459B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110801908.2
申请日：2021-07-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种自闭症患者异常脑区的检测及模拟修复装置，属于图像处理技术领域。本发明的自闭症患者异常脑区的检测装置包括图像数据处理单元、脑结构网络构建单元、网络层次分解单元、异常检测单元和存储单元，其通过对脑结构网络进行粗粒化，在对粗粒化后的结果进行统计分析来获得脑区连接上的变化，从而检测出异常脑区，即使使用更复杂的大脑分区模板，也能在较短时间得到检测结果。本发明能够有效统计出脑区连接的变化情况。同时，本发明还提供了一种基于上述自闭症患者异常脑区的检测装置的自闭症患者异常脑区的模拟修复装置，包括数据获取模块、模拟修复处理模块和输出显示模块，用于对检测出的异常脑区进行模拟修复处理。
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公开(公告)号：CN115497945A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211197520.7
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L23/552 , H01L21/336 , H01L21/8244
摘要： 本发明公开了一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法，在SOI工艺的MOS器件上嵌入SBD结构形成新型MOS器件，新型MOS器件的两种抗辐照机制分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层，把NMOS器件T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，同时将嵌入的SBD的金属Al的金属端接地。本发明能够达到显著提高SRAM抗辐照性能的目的。
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公开(公告)号：CN115411112A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211197397.9
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
摘要： 一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法，包括单晶Si衬底，Si衬底表面为P型Si层，P型Si层侧面为沟槽，沟槽中填充SiO2材料，P型Si层表面为栅氧化层，栅氧化层表面为多晶硅，位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区，轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区，重掺杂的源漏区表面为金属导线层，轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙，Si侧墙两侧为SiO2侧墙，Si侧墙表面为铝金属层，铝金属层表面为金属导线层，金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响，实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作，在漏端嵌入SBD工艺简单，制作成本低。
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公开(公告)号：CN114864406A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210521649.2
申请日：2022-05-13
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/552
摘要： 本发明涉及一种双副栅结构的MOS抗辐照器件及其制备方法，本发明在传统的MOS器件上增加双副栅结构，双副栅结构由本征硅和二氧化硅构成，制作工艺与现有硅工艺兼容。本发明引入副栅可以对LDD下方电场强弱产生影响，可缓和由漏端PN结反偏形成的横向电场，降低电极收集电荷能力，使高能粒子的射入而产生的电子‑空穴对在被电极收集之前复合消失。从而消除由单粒子效应所引起的集成电路逻辑错误翻转等问题，使得本发明新型MOS抗辐照器件构成的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作。
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公开(公告)号：CN112862751B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011600394.6
申请日：2020-12-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/10 , G06T5/00 , G16H30/20 , A61B5/00 , A61B5/055 , A61B5/16 , G01R33/48 , G01R33/54
摘要： 本发明公开了一种用于自闭症的自动诊断装置，属于医学图像处理技术领域。本发明的用于自闭症自动诊断装置,包括：包括用户设置模块、数据输入及预处理模块、脑网络构建模块、自闭症检测模块和输出模块。其中，用户设置模块用于配置自动诊断装置的检测所基于的脑网络类型以及输出显示信息项和显示方式；数据输入及预处理模块用于用户输入磁共振图像并对输入进行图像预处理，脑网络构建模块用于构建与用户设置的网络类型匹配的脑网络的拓扑图并存储；自闭症检测模块读取脑网络拓扑图并基于网络脆性进行自闭症的智能判断，得到检测结果并通过输出模块进行相关的可视化显示输出，从而为自闭症诊断提供辅助诊断帮助。
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公开(公告)号：CN113159577B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110434864.4
申请日：2021-04-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于群智感知的城市道路规划方法，属于群智感知技术领域。本发明采用群智感知技术对路面的交通状态进行实时监测，实时获取路段的拥堵程度，避免了固定检测器的安装和维护，减少了监测成本，同时大大增强了监测的灵活性。本发明将间接邻接路段、指定距离范围内且与目标路段存在可达路径的路段加入检测，可以大幅降低路面规划的成本，优先保证对现有路段的利用。同时，本发明对道路的规划处理结果进行图形输出，使相应决策更加直观有效，更好的完成辅助道路规划决策的任务，降低应用的使用门槛。
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公开(公告)号：CN113744316A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111048838.4
申请日：2021-09-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开一种基于深度神经网络的多目标跟踪方法，包括以下步骤：采集待测试视频，对待测试视频进行预处理，提取待测试视频的原始图像帧；对每一原始图像帧进行目标检测，识别待跟踪目标，获取每一原始图像帧的目标检测框；匹配时间轴上连续两帧图像中目标检测框，计算目标检测框进行待跟踪目标相似度，比较时间轴上连续两帧图像中待跟踪目标相似度，判断是否为同一待跟踪目标，是，则分配ID并输出跟踪结果；否，则重新进行匹配及判断；基于ID和跟踪结果，实现对视频多目标的连续跟踪。本发明将运动特征和外观特征融合到损失矩阵计算过程中，提高了下一帧目标预测的准确性，降低ID Switch指标，从而真正地实现目标的连续跟踪。
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公开(公告)号：CN113159577A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110434864.4
申请日：2021-04-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于群智感知的城市道路规划方法，属于群智感知技术领域。本发明采用群智感知技术对路面的交通状态进行实时监测，实时获取路段的拥堵程度，避免了固定检测器的安装和维护，减少了监测成本，同时大大增强了监测的灵活性。本发明将间接邻接路段、指定距离范围内且与目标路段存在可达路径的路段加入检测，可以大幅降低路面规划的成本，优先保证对现有路段的利用。同时，本发明对道路的规划处理结果进行图形输出，使相应决策更加直观有效，更好的完成辅助道路规划决策的任务，降低应用的使用门槛。
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