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公开(公告)号：CN106785477B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710162657.1
申请日：2017-03-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明公开了一种双频宽带吸波器，包括周期性吸波表面结构、第一层介质基板、周期性频率选择表面结构、第二层介质基板、金属屏蔽地板以及用于连接第一层介质基板与第二层介质基板的塑料螺钉。周期性吸波表面结构印制在第一层介质基板上由包括左右对称的两个金属圆片，左右对称的两个开口谐振环以及焊接在两个金属圆片臂之间电阻的吸波结构单元构成。周期性频率选择性表面结构印制在第二层介质基板上由多个金属谐振单元构成的。金属屏蔽地板印制在第二层介质基板的反面。开口谐振环与金属谐振单元共同作用实现了一定频段范围内的反射特性，从而构成了双频宽带吸波。通过调节第一层与第二层介质基板之间的距离可以改变吸波带宽及吸波率。
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公开(公告)号：CN106785477A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710162657.1
申请日：2017-03-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
CPC分类号： H01Q17/008
摘要： 本发明公开了一种双频宽带吸波器，包括周期性吸波表面结构、第一层介质基板、周期性频率选择表面结构、第二层介质基板、金属屏蔽地板以及用于连接第一层介质基板与第二层介质基板的塑料螺钉。周期性吸波表面结构印制在第一层介质基板上由包括左右对称的两个金属圆片，左右对称的两个开口谐振环以及焊接在两个金属圆片臂之间电阻的吸波结构单元构成。周期性频率选择性表面结构印制在第二层介质基板上由多个金属谐振单元构成的。金属屏蔽地板印制在第二层介质基板的反面。开口谐振环与金属谐振单元共同作用实现了一定频段范围内的反射特性，从而构成了双频宽带吸波。通过调节第一层与第二层介质基板之间的距离可以改变吸波带宽及吸波率。
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公开(公告)号：CN110854543B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911118969.8
申请日：2019-11-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于卫星通信技术领域，具体为一种基于小型化单元的双频宽带宽角圆极化栅，在保证宽带、低插损的前提下，有效解决双频圆极化栅入射角稳定性差的问题；特别适用于大容量、低损耗和高入射角稳定性的双频扫描圆极化卫星通信系统。本发明充分利用短微带线和金属线栅复合结构，能够大大增强了交叉极化抑制能力，且易于拓展带宽和减小插损；同时，通过在“I”型短微带线末端加载四个短枝节形成变形“I”型短微带线，能够进一步降低单元尺寸至0.13×0.18个工作波长，显著提高了入射角稳定性；该极化栅在双频段中心频点处插损分别仅为0.5和1.5dB，相对轴比带宽分别高达33％和12％，最大可工作入射角提高至45度，显著优于现有技术的25度。
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公开(公告)号：CN110854543A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911118969.8
申请日：2019-11-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于卫星通信技术领域，具体为一种基于小型化单元的双频宽带宽角圆极化栅，在保证宽带、低插损的前提下，有效解决双频圆极化栅入射角稳定性差的问题；特别适用于大容量、低损耗和高入射角稳定性的双频扫描圆极化卫星通信系统。本发明充分利用短微带线和金属线栅复合结构，能够大大增强了交叉极化抑制能力，且易于拓展带宽和减小插损；同时，通过在“I”型短微带线末端加载四个短枝节形成变形“I”型短微带线，能够进一步降低单元尺寸至0.13×0.18个工作波长，显著提高了入射角稳定性；该极化栅在双频段中心频点处插损分别仅为0.5和1.5dB，相对轴比带宽分别高达33％和12％，最大可工作入射角提高至45度，显著优于现有技术的25度。
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公开(公告)号：CN207009674U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720266272.5
申请日：2017-03-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本实用新型公开了一种双频宽带吸波器，包括周期性吸波表面结构、第一层介质基板、周期性频率选择表面结构、第二层介质基板、金属屏蔽地板以及用于连接第一层介质基板与第二层介质基板的塑料螺钉。周期性吸波表面结构印制在第一层介质基板上由包括左右对称的两个金属圆片，左右对称的两个开口谐振环以及焊接在两个金属圆片臂之间电阻的吸波结构单元构成。周期性频率选择性表面结构印制在第二层介质基板上由多个金属谐振单元构成的。金属屏蔽地板印制在第二层介质基板的反面。开口谐振环与金属谐振单元共同作用实现了一定频段范围内的反射特性，从而构成了双频宽带吸波。通过调节第一层与第二层介质基板之间的距离可以改变吸波带宽及吸波率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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