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公开(公告)号：CN118100851A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410286231.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体涉及一种兰姆波谐振器。本发明首先在兰姆波谐振器底部设置布拉格反射层，用以反射谐振器底部泄露的能量，同时提高谐振器机械稳定性与功率容量；其次将电极与压电层分开悬空设置，悬空电极不与压电薄膜直接接触，仅起到为谐振器提供电学激励的作用，可以减小压电薄膜质量负载与机械损耗，同时增加谐振器的Q值；最后采用介电嵌入活塞结构通过在电极末端投影区域的压电薄膜上刻槽并填充介电材料，形成自由振动边界，从而抑制谐振器的横向杂散模态。最终本发明实现了高频下抑制杂散模态效果良好、能量泄露少并且谐振器品质因素Q值高的优点。
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