Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN112433554A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011469485.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 电子科技大学
Inventor： 李威 , 张佳星 , 王靖
IPC: G05F1/56
Abstract: 针对传统带隙基准性能的单一性，提出了一种无运算放大器的低功耗且具有高电源抑制比的带隙电压源电路，通过交叉耦合的结构，不仅能够省去带隙核心的启动电路，也能保证不用运算放大器后拥有高的电源抑制比。加入了一个预稳压电路，能够极大地抑制电源纹波。所发明的电路可以在1.8V至3V的电源电压下工作，所有的仿真结果是基于标准的CMOS工艺。
