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公开(公告)号：CN117894350A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410070263.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明设计并提出了一种基于FRAM的存内计算电路，属于集成电路领域。本文设计了一种基于2T‑2C的FRAM存内计算电路，可以在FRAM单元中实现与、或布尔逻辑运算。本发明还提出了一种4T‑2C结构，可以在2T‑2C FRAM存储单元中实现或运算。基于上述两个结构，我们可以在FRAM中进行所有的布尔逻辑运算，对于打破冯.诺伊曼架构的“内存墙”和“功耗墙”具有重要意义。2T‑2C FRAM单元具有高可靠性和抗辐射性，并且具有非易失性、低功耗、高读写速度、与CMOS工艺兼容等优势，有望应用于类脑芯片，具身智能芯片以及军工，航天等方向的智能芯片。
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公开(公告)号：CN116760416B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311008543.3
申请日：2023-08-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双配置模式高精度过采样模数转换器控制模块，属于模拟集成电路设计领域。传统的高精度过采样ADC都采用单一的模式来控制ADC的功能，比如只使用管脚模式或只使用寄存器配置模式，这会带来寄存器配置不灵活的情况。为了解决这一问题，本发明提出了一种电路结构，通过控制信号实现IO口的功能的选择和IO口输入输出的选择，来实现双配置模式的高精度过采样模数转换器，使ADC的配置更加灵活。
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公开(公告)号：CN116633328B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310917804.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种首级积分器电压钳位电路，属于模拟集成电路设计领域，模拟调制器电路是高精度过采样电路的主要模块，高精度过采样ADC最终的性能表现取决于优秀的模拟调制器设计，传统的四阶过采样调制器，由于其输入电压的幅值不稳定，会导致采样调制器输出幅值的不稳定，最终导致得到错误的ADC转换结果，本发明通过钳位第一级的输出幅值，以此来达到整体输出稳定的目的。
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公开(公告)号：CN112562769B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011320520.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有预修调功能的数字修调系统，信号产生模块的输入信号接时钟信号和数字序列码信号，输出经处理后的数字信号控制熔丝阵列电路中具体的熔丝的熔断或者预熔断操作；熔丝阵列电路模块的信号经过电路转换得到向后一级输出的数字开关控制信号；开关电路模块由电流源晶体管阵列和开关晶体管阵列组成，开关晶体管由熔丝阵列电路输出的数字信号控制，通过不同开关管的开启与否来确定修调电流的大小。本发明的优点在于，不仅可以实现电路的修调功能，而且能够通过预修调的操作，预估和完善熔断熔丝后能达到的修调值，确定最优的修调方案，可以在一定程度上避免熔丝实际修调值和理论推出的熔丝真值表的偏差，能够极大地提高修调成功率。
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公开(公告)号：CN114864360B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210535766.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带螺旋线行波管及其螺旋线慢波结构，螺旋线慢波结构包括外壳、通过若干个夹持杆结合固定于外壳内的螺旋线以及设置在外壳内壁上的若干个金属加载，所述夹持杆由金属段和介质段构成。相较于传统的采用全介质夹持杆的螺旋线慢波结构，本发明提出了一种新的螺旋线慢波结构，通过采用部分金属部分介质夹持杆，从而在不改变螺旋线慢波结构角向空间结构复杂程度的情况下，增加了金属加载部分，使慢波结构的色散曲线呈现反常色散特性，结合负‑正‑负‑负的螺距变化方式，从而使得螺旋线行波管在工作频带范围内都可以获得较大的输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114706444B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210257905.1
申请日：2022-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高电源抑制比、快速启动的带隙基准电路。本发明的带隙基准电路包括：预调节电路，用于提高电路电源噪声抑制比；使能电路，用于产生偏置电路和带隙基准核心电路的启动使能信号，通过正反馈电路结构加快整体电路的启动速度；偏置电路，用于为基准核心电路的放大器提供偏置电流，采用与电源无关的偏置结构；带隙基准核心电路，通过正负温度系数的电压补偿产生与温度无关的稳定电压。最后得到的带隙基准电路具有高电源抑制比、快速启动的优点，可为模拟集成电路设计提供稳定的基准电压，提高芯片的性能。
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公开(公告)号：CN114253337A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111488303.9
申请日：2021-12-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种集成过温保护以及电阻修调保护功能的带隙基准电路，包括带隙基准主体电路、过温保护电路、电阻修调保护电路。主体电路把电源电压信号转换为稳定的带隙基准电压，并输出给过温保护电路；过温保护电路接收主体电路输出的带隙基准电压信号，该过温保护电路具有迟滞特性，可防止过温保护电路在温度临界点处因微小扰动而反复开启关断；带隙基准的电阻修调保护电路可以防止电路被修调高压信号击穿。
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公开(公告)号：CN113808639A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111119834.0
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储器技术领域，具体为提供一种能够测试铁电存储单元读写特性的电路设计。对于基于铁电材料的铁电存储器电路，其性能参数主要在于铁电存储单元的电滞回线，在晶体管级的仿真过程中，铁电存储单元通过铁电材料的两种极化状态来表示数据(1、0)，铁电电容的写状态(数据写入铁电电容的实际状态)、读出台阶差(读数据时铁电电容释放电荷能力)、读出脉冲能够反映铁电单元在不同的仿真条件下的变化情况，从而判断其工作的性能指标。存储单元在读写操作时会受到其他连接在位线上的存储单元所产生寄生电容的影响，这种影响是存储器规模无法无限扩大的主要原因之一。同时,字线负载的增加导致连接到存储单元的选择晶体管栅极电压减少,数据传输损耗导致铁电电容极化状态减弱。为了评估这种影响并且找到合适的位线电容的大小，需要对存储单元的参数以及位线电容大小对读取数据时的影响做定量的分析。
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公开(公告)号：CN106878285B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710032455.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于通信应用技术领域，涉及一种应用于反熔丝器件编程及测试系统的通信方法，主要是针对反熔丝FPGA、反熔丝PROM等反熔丝器件的编程及测试平台的软硬件通信方法；编程及测试系统包括：待编程及测试器件、应用层协议处理模块、上位机软件、下位机硬件；创建了一种面向低复杂度应用系统的易于构建和解析、扩展性强的应用层通信协议结构，通信协议的传输帧构成有：协议头、对象编码、数据、协议尾；设备之间的通信传输过程为：上位机软件发送一帧传输帧信息到下位机硬件；下位机硬件解析得到编程及测试的应用层命令、数据和对象编码，对器件进行编程及测试并反馈结果到上位机软件；上位机软件解析反馈信息并显示在软件界面；该编程及测试过程循环进行直到结束。
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公开(公告)号：CN111384154A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010241064.6
申请日：2020-03-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表面之间，还设置有厚度为20～80nm的抗辐照加固层，所述抗辐照加固层的材质包括二氧化硅；在抗辐照加固层的上表面和绝缘介质区上表面之间，设置有平行于超薄二氧化硅层的导电场板，并且导电场板在半导体区上表面的投影与发射区有重叠部分，导电场板在半导体区上表面的投影与间隔区有重叠部分，导电场板与发射区形成导电连接。本发明的双极晶体管器件在同样的辐射环境下，电流增益增加20％～30％。
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