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公开(公告)号：CN118733083A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410814330.8
申请日：2024-06-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提出一种应用于无人机飞控系统的轻量级远程升级方法，嵌入式平台下的远程升级领域。所述方法包括对软件架构进行重构解耦合，把底层不变的算法软件存储在QSPI Flash存储单元，把上层任务相关的参数内容存储在EEPROM存储单元中，轻量级升级时只需要升级EEPROM存储单元中的上层任务相关的参数。升级过程包括上位机升级及下位机升级。升级过程中大多数应用场景采用升级关键参数的方式，本发明能够完成系统大批量快速升级，大大缩短升级所需要的时间。
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公开(公告)号：CN110361141B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910793786.X
申请日：2019-08-27
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明属于雪糕生产领域，具体涉及一种雪糕模具气密性检测装置，包括模具组输送机构、PLC控制器、声光报警装置，包括机架、模具组盖板、传感器装置、检测水箱、升降驱动装置、分别与PLC控制器电连接的气压检测装置、超声波感应器、进、排气电磁阀，模具组盖板水平安装在升降驱动装置下部，模具组盖板底面设有回形密封圈，工作时，回形密封圈紧贴雪糕模具组的上端面，传感器装置包括光感应开关，所述光感应开关与PLC控制器电连接，升降驱动装置包括与PLC控制器电连接的驱动源。该检测装置对雪糕模具组进行一次检测即可判断该雪糕模具组是否都合格，提高了检测效率，进一步，使用PLC自动控制实现多重检测自动警示功能，检测效果可靠。
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公开(公告)号：CN115733448B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211721771.0
申请日：2022-12-30
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种运算放大器输入偏置电流的补偿电路及运算放大器，属于运算放大器领域。所述补偿电路包括：第一可调电流源，用于对尾电流源的输出电流进行比例放大得到第一可调电流；第一基极电流源，用于根据第一可调电流生成第一基极电流，并将第一基极电流输入所述输入级电路的同相输入端；第二可调电流源，用于对尾电流源的输出电流进行比例放大得到第二可调电流；第二基极电流源，用于根据第二可调电流生成第二基极电流，并将第二基极电流输入所述输入级电路的反相输入端。本发明中采用的三极管全部为普通三极管，无需超β三极管即实现了皮安级输入偏置电流，节省了流片成本。
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公开(公告)号：CN117175907A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311186991.2
申请日：2023-09-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/156 , H03K19/0175
摘要： 本发明属于集成电路芯片技术。本发明提出了一种用于BUCK变换器高边驱动的电平位移电路，通过引入一种正反馈机制达到加快电平位移电路电平转换的速度，降低转换时的功耗。通过有效沿提取电路，降低电平位移电路带来的延时影响。实现了较高速、较低功耗的电平位移电路。本发明所有的仿真结果都是基于标准的BCD工艺。
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公开(公告)号：CN111796807B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010273581.1
申请日：2020-04-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F8/30
摘要： 本发明属于应用技术领域，涉及一种应用于反熔丝器件的自适应编程方法。发明能根据不同反熔丝的编程特性自适应地调整，实现了对不同的反熔丝器件，以及单个器件内部不同的反熔丝单元的编程自适应调节，解决了由于工艺偏差，位置差异与寄生参数不同等导致的反熔丝编程失败的问题。发明涉及编程器硬件以及软件驱动层面的设计与结合，加入采样电阻获得反熔丝的编程信息，依据反熔丝特性从编程脉冲数，编程电压值以及导通阈值三方面自适应地调整，提升了反熔丝编程成功率。
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公开(公告)号：CN113808639B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111119834.0
申请日：2021-09-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明属于铁电存储器技术领域，具体为提供一种能够测试铁电存储单元读写特性的电路设计。对于基于铁电材料的铁电存储器电路，其性能参数主要在于铁电存储单元的电滞回线，在晶体管级的仿真过程中，铁电存储单元通过铁电材料的两种极化状态来表示数据(1、0)，铁电电容的写状态(数据写入铁电电容的实际状态)、读出台阶差(读数据时铁电电容释放电荷能力)、读出脉冲能够反映铁电单元在不同的仿真条件下的变化情况，从而判断其工作的性能指标。存储单元在读写操作时会受到其他连接在位线上的存储单元所产生寄生电容的影响，这种影响是存储器规模无法无限扩大的主要原因之一。同时,字线负载的增加导致连接到存储单元的选择晶体管栅极电压减少,数据传输损耗导致铁电电容极化状态减弱。为了评估这种影响并且找到合适的位线电容的大小，需要对存储单元的参数以及位线电容大小对读取数据时的影响做定量的分析。
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公开(公告)号：CN111081761B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201911294299.5
申请日：2019-12-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要： 一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅极叠层结构自下而上依次为下极板金属层/铁电层/上极板金属层，或者自下而上依次为铁电层/上极板金属层。本发明晶体管器件通过在栅氧化层上制作栅极叠层结构，实现沟道电势大于外部栅极电压，突破热力学限制下的60mV/dec的亚阈值摆幅，降低工作电压从而降低器件的功耗，同时通过多次分步离子注入，获得与体硅层具有相同厚度的源漏结深，使源漏结与底部的埋氧层接触，提高了器件的抗单粒子辐照能力。
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公开(公告)号：CN112564631A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011401592.X
申请日：2020-12-02
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03F1/02
摘要： 本发明提出一种采用预稳压结构带基极电流消除的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电路电源抑制比较低，解决了三极管受工艺影响导致电流增益较低并最终影响基准电压精度的问题。本发明包括预稳压模块以及带隙基准电路模块。预稳压模块产生一个稳定电压来给带隙基准供电，核心的带隙基准电路采用了无运放结构，可以减小失调电压的影响，并且采用了三极管基极电流消除的设计可以大幅度减小基极电流对带隙基准的影响。
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公开(公告)号：CN111796807A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010273581.1
申请日：2020-04-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F8/30
摘要： 本发明属于应用技术领域，涉及一种应用于反熔丝器件的自适应编程方法。发明能根据不同反熔丝的编程特性自适应地调整，实现了对不同的反熔丝器件，以及单个器件内部不同的反熔丝单元的编程自适应调节，解决了由于工艺偏差，位置差异与寄生参数不同等导致的反熔丝编程失败的问题。发明涉及编程器硬件以及软件驱动层面的设计与结合，加入采样电阻获得反熔丝的编程信息，依据反熔丝特性从编程脉冲数，编程电压值以及导通阈值三方面自适应地调整，提升了反熔丝编程成功率。
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