-
公开(公告)号：CN115939131A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310153273.9
申请日：2023-02-22
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电防护技术领域，具体提供一种用于高压集成电路ESD防护的窄窗口SCR器件，用以满足实际ESD防护中低触发电压、高维持电压器件的设计需求。本发明通过在传统SCR结构内部嵌入两个MOS管的方式，为SCR路径提供额外的分流路径，达到有效提升器件维持电压的作用；其一，通过内嵌PMOS辅助触发，并去除传统SCR结构N阱中的N+注入区的方式，形成基区浮空的寄生PNP三极管，达到降低器件触发电压，缩窄ESD防护窗口的目的；其二，进一步通过增加寄生NPN三极管基区串联电阻的方式，降低器件触发电压和开启速度，达到缩窄ESD窗口的设计目标；同时增加了NPN三极管Q5并联路径，在不损失版图面积的前提下，优化了器件导通电阻和ESD鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN112864149B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110024135.1
申请日：2021-01-08
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电防护技术领域，提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件；相较于传统静电防护器件，本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管，进而使得器件的直流阻塞能力得到增强，从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值，获得更好的静电防护效果；相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件，本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象，使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象，即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。
-
公开(公告)号：CN116314180A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310213403.3
申请日：2023-03-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种高维持电流低导通电阻的改进型MLSCR器件。该器件基于传统的改进型的横向可控硅整流器，将与阳极相连的p型重掺杂区远离跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区；将与阳极相连的n型重掺杂区靠近跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区；去掉跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区与周边的n型重掺杂区之间的浅沟槽隔离；在n型阱区除与含有跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区的结面的其它结面处设置p型阱区，该p型阱区内含有与阴极相连的p型重掺杂区及n型重掺杂区。该结构与传统的改进型的横向可控硅整流器相比，通过两次回滞来提高维持电流，并设有多条寄生的可控硅整流器的电流泄放路径来减小导通电阻。
-
公开(公告)号：CN113871382B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111112784.3
申请日：2021-09-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN113690575B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110979066.X
申请日：2021-08-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于终端天线技术领域，具体涉及一种应用于金属边框5G终端的三维波束覆盖毫米波天线，属于毫米波天线领域。本发明通过利用顶部金属边框开缝做天线和在净空区布置微带线，将一套天线中的缝隙和单极子天线模式结合起来，不仅简化了天线和馈电网络的结构，还可以使毫米波天线波束同时覆盖端射和侧射方向以在法向面内实现较为均匀的辐射方向图，再利用相控阵的特点在轴向面进行一维波束扫描，从而在三维空间中实现较为均匀的波束覆盖。由此可见，本发明解决了金属边框对毫米波天线辐射遮挡问题，简化了天线结构，同时实现了终端毫米波天线所希望的全向性。
-
公开(公告)号：CN113690575A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110979066.X
申请日：2021-08-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于终端天线技术领域，具体涉及一种应用于金属边框5G终端的三维波束覆盖毫米波天线，属于毫米波天线领域。本发明通过利用顶部金属边框开缝做天线和在净空区布置微带线，将一套天线中的缝隙和单极子天线模式结合起来，不仅简化了天线和馈电网络的结构，还可以使毫米波天线波束同时覆盖端射和侧射方向以在法向面内实现较为均匀的辐射方向图，再利用相控阵的特点在轴向面进行一维波束扫描，从而在三维空间中实现较为均匀的波束覆盖。由此可见，本发明解决了金属边框对毫米波天线辐射遮挡问题，简化了天线结构，同时实现了终端毫米波天线所希望的全向性。
-
公开(公告)号：CN113871382A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111112784.3
申请日：2021-09-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
-
公开(公告)号：CN113838847A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
-
公开(公告)号：CN113838847B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
-
公开(公告)号：CN112864149A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110024135.1
申请日：2021-01-08
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于静电防护技术领域，提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件；相较于传统静电防护器件，本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管，进而使得器件的直流阻塞能力得到增强，从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值，获得更好的静电防护效果；相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件，本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象，使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象，即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.026 秒)
