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公开(公告)号:CN104318031A
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201410606989.0
申请日:2014-10-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于退化曲线相似度的射频电路健康度预测方法,先根据预定的退化参数确定测量的信号参数,然后训练得到各个信号参数对应的失效临界态的隐马尔可夫模型,将实际测量的各信号参数幅值输入失效临界态隐马尔可夫模型,计算得到实际数据对应状态相对于失效临界态的KL值,得到退化参数的KL值曲线K1,然后拟合得到拟合曲线K2,通过理想退化仿真得到理想退化数据KL值的理想曲线K3,根据到理想曲线K3的欧式距离计算曲线K1和曲线K2的相似度,计算参照KL值F0,最后根据拟合曲线K2计算得到预测时刻的KL值F1,得到健康度,然后根据相似度得到预测时刻的最终预测健康度。经过实验验证可知,本发明可以实现电子产品健康度的准确预测。
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公开(公告)号:CN119726350A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411843778.9
申请日:2024-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种方波光信号源生成系统及方法,包括VCSEL激光器、保偏分束器以及反射镜。VCSEL激光器首先具有良好的线型偏振特性,其发出的光束首先通过保偏分束器被分为TM和TE正交模式光束,其中TE模式为激射模式,TM模式被强烈抑制。通过将TE模式反馈耦合至VCSEL谐振腔中,实现高质量方波信号的生成,为光通信、位移传感、测量等领域提供了高质量的光源;同时系统结构非常简单,易于实现,大大降低了方波光信号实现的复杂性和成本。
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公开(公告)号:CN105184023A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510686613.X
申请日:2015-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种射频电路性能参数退化仿真方法,首先测量被测射频电路温度每升高ΔT所对应的功率P及S参数,再计算被测射频电路温度每升高ΔT所需总能量,以及被测射频电路在不同温度条件下的稳定性系数和性能退化时间,再将不同温度条件下的性能退化时间求和,得到被测射频电路的老化时间,最后将不同温度条件下的S参数及对应的稳定性系数分别输入到ADS2012仿真软件,经过仿真后得到被测射频电路的性能退化趋势。
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公开(公告)号:CN105184023B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201510686613.X
申请日:2015-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种射频电路性能参数退化仿真方法,首先测量被测射频电路温度每升高ΔT所对应的功率P及S参数,再计算被测射频电路温度每升高ΔT所需总能量,以及被测射频电路在不同温度条件下的稳定性系数和性能退化时间,再将不同温度条件下的性能退化时间求和,得到被测射频电路的老化时间,最后将不同温度条件下的S参数及对应的稳定性系数分别输入到ADS2012仿真软件,经过仿真后得到被测射频电路的性能退化趋势。
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公开(公告)号:CN104318031B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410606989.0
申请日:2014-10-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于退化曲线相似度的射频电路健康度预测方法,先根据预定的退化参数确定测量的信号参数,然后训练得到各个信号参数对应的失效临界态的隐马尔可夫模型,将实际测量的各信号参数幅值输入失效临界态隐马尔可夫模型,计算得到实际数据对应状态相对于失效临界态的KL值,得到退化参数的KL值曲线K1,然后拟合得到拟合曲线K2,通过理想退化仿真得到理想退化数据KL值的理想曲线K3,根据到理想曲线K3的欧式距离计算曲线K1和曲线K2的相似度,计算参照KL值F0,最后根据拟合曲线K2计算得到预测时刻的KL值F1,得到健康度,然后根据相似度得到预测时刻的最终预测健康度。经过实验验证可知,本发明可以实现电子产品健康度的准确预测。
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