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公开(公告)号：CN111367014A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010169576.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种用于光互联的具有模斑转换功能的片上边缘耦合器，用于光学器件边缘实现光互联，例如用于将光纤耦合到光学微环谐振器。本发明通过采用的的双层正反双锥的过渡结构，使得光场从包层向芯层脊形和平板层过渡时，尽可能的减少了因单一方向的芯层平板层结构变宽所产生的高阶模式所导致的在包层中的光场残留，并且第四细长区域所采用的芯层平板层404和芯层脊形405采用相同变宽趋势，可以更好的实现光场变换。最终本发明器件结构从光纤发射的大模斑直径的光场逐渐转移到片上光学器件的脊型波导中，过渡平缓，经计算最终耦合效率可达到92％。
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公开(公告)号：CN112987346B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110330085.X
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学器件领域，具体为一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法。通过在埋层上设有空腔，使得原本在无空腔的条件下，集中在埋层微波信号在引入空腔以后，大部分进入到空腔结构中传输，从而大大减小了微波有效折射率；使其易于实现电光波速匹配。即使在高于20GHz带宽时，依然能够实现良好的电光波速匹配，使其保持最佳调制效率。与现有技术相比，通信速率更快，且不会增加电极与光波导之间的距离，因此不会影响电光重叠积分，也不会导致半波电压的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111063800B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201911364219.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
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公开(公告)号：CN111522153A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010335722.8
申请日：2020-04-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘体上材料的马赫－曾德型电光调制器，属于集成光学领域。本发明公开的电光调制器结构包括：绝缘体上材料、调制电极和光波导；所述绝缘体上材料包括自下而上依次层叠的衬底层、键合层和薄膜层；调制电极贯穿薄膜层设置在键合层上表面，并与键合层相接触；调制电极为行波电极或集总电极，包括信号电极和地电极；信号电极与地电极之间设有光波导，光波导制作于薄膜层；调制电极与光波导之间的间距＞0。相较于现有技术，本发明提供的一种基于绝缘体上材料的马赫－曾德型电光调制器降低了电容及工艺制作的复杂性，同时增强了电光调制效率，实现了宽带高速调制。
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公开(公告)号：CN111063800A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911364219.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
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公开(公告)号：CN112987346A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110330085.X
申请日：2021-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学器件领域，具体为一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法。通过在埋层上设有空腔，使得原本在无空腔的条件下，集中在埋层微波信号在引入空腔以后，大部分进入到空腔结构中传输，从而大大减小了微波有效折射率；使其易于实现电光波速匹配。即使在高于20GHz带宽时，依然能够实现良好的电光波速匹配，使其保持最佳调制效率。与现有技术相比，通信速率更快，且不会增加电极与光波导之间的距离，因此不会影响电光重叠积分，也不会导致半波电压的增加。
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公开(公告)号：CN111367014B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010169576.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种用于光互联的具有模斑转换功能的片上边缘耦合器，用于光学器件边缘实现光互联，例如用于将光纤耦合到光学微环谐振器。本发明通过采用的的双层正反双锥的过渡结构，使得光场从包层向芯层脊形和平板层过渡时，尽可能的减少了因单一方向的芯层平板层结构变宽所产生的高阶模式所导致的在包层中的光场残留，并且第四细长区域所采用的芯层平板层404和芯层脊形405采用相同变宽趋势，可以更好的实现光场变换。最终本发明器件结构从光纤发射的大模斑直径的光场逐渐转移到片上光学器件的脊型波导中，过渡平缓，经计算最终耦合效率可达到92％。
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