公开(公告)号：CN114284666A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111400773.5

申请日：2021-11-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  林铮 ,  赵晓琴

IPC分类号： H01P3/00 ,  H01P11/00

摘要： 本发明涉及微波技术，具体涉及一种可加载直流电场偏置的SIW传输线。本发明通过在基片集成波导的基础上改变金属通孔结构为隔直结构，并外加一排倒置相同的隔直结构来减小辐射损耗，并且增大等效电容使其逼近传统SIW传输线传输性能。此隔直结构的电原理图相当于在传统SIW基础上周期加载并联电容，则需在满足尺寸要求的前提下尽量增大电容值，即减小间距和增大电容面积。采用双排结构相比单排结构，一方面减小辐射损耗，另一方面相当于额外增加一个并联电容，进一步增大容值，使整个隔直传输线接近SIW传输线的性能。本发明满足可加载直流偏置电场的功能，但损耗远低于现有的带状线和共面波导结构。

公开(公告)号：CN114284666B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202111400773.5

申请日：2021-11-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  林铮 ,  赵晓琴

IPC分类号： H01P3/00 ,  H01P11/00

摘要： 本发明涉及微波技术，具体涉及一种可加载直流电场偏置的SIW传输线。本发明通过在基片集成波导的基础上改变金属通孔结构为隔直结构，并外加一排倒置相同的隔直结构来减小辐射损耗，并且增大等效电容使其逼近传统SIW传输线传输性能。此隔直结构的电原理图相当于在传统SIW基础上周期加载并联电容，则需在满足尺寸要求的前提下尽量增大电容值，即减小间距和增大电容面积。采用双排结构相比单排结构，一方面减小辐射损耗，另一方面相当于额外增加一个并联电容，进一步增大容值，使整个隔直传输线接近SIW传输线的性能。本发明满足可加载直流偏置电场的功能，但损耗远低于现有的带状线和共面波导结构。

公开(公告)号：CN113506969A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110683989.0

申请日：2021-06-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 汪晓光 ,  王正华 ,  畅甲维 ,  林铮 ,  韩杰

IPC分类号： H01P5/18 ,  G06F30/20

摘要： 本发明涉及微波技术，具体涉及一种X波段磁控耦合系数可调定向耦合器。本发明通过在双层基片集成波导的一介质层中，在耦合孔下方添加添加铁氧体结，然后通过施加外加磁场以磁场调控的方式影响铁氧体结调整耦合孔，从而实现对耦合系数的调节；其延迟低，不填加外接组件结构简单体积小，利于集成，并且在改变耦合系数的同时对驻波，隔离端影响较小。