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公开(公告)号：CN109900675B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910203042.8
申请日：2019-03-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于质量测量技术领域，提供了一种基于石墨烯拉曼光谱偏移分析得到微小质量的测量装置及其测量方法。利用光刻技术在硅基底上制备特殊的孔洞结构，然后将单层石墨烯转移到硅基底上，使其可以悬空的搭在基底上。将待测物体置于悬空的单层石墨烯上并进行拉曼测试，对拉曼光谱分析，通过石墨烯的拉曼特征峰的偏移可以计算所施加的应变的大小，从而进一步可以得到待测物体质量。基于这种方法所得的微小应变传感器十分灵敏，可以测得纳克级别的质量，同时也可以应用测量低分子级别的分子质量，应用到生物方面的细胞检测。
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公开(公告)号：CN107488267B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710584009.5
申请日：2017-07-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于柔性压力传感器领域，提供一种基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法；所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。本发明将聚乙烯纳米小球(PS小球)掺进RGO薄膜中，聚乙烯纳米小球作为绝缘体引入，从而改变RGO碎片堆叠的结构，在同等的应变条件下，掺杂后的RGO的电阻变化将会变大，显示出很好的阻变特性；基于本发明RGO薄膜形成的传感器也就拥有更高的灵敏度(7～250)，远远大于常规RGO传感器；同时还能够通过调节掺杂PS小球的尺寸及浓度实现应变检测范围的调节。
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公开(公告)号：CN114623758A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210208879.3
申请日：2022-03-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明的目的在于提供一种实时可重构的柔性应变传感器及其制备方法，属于应变传感器技术领域。本发明传感器通过在聚合物基底中嵌入微流道单元来控制柔性基底的非均匀应变分布程度，同时，微流道中填充两相性液态金属镓，利用电学控制单元调节液态金属镓的物理相的改变，从而调整局部弹性模量，实现柔性基底在受拉伸时应变的非均匀分布程度，进而实现对柔性应变传感器的感应范围和灵敏度的再配置，且灵敏度系数和感应范围的最大变化量分别为59％和44％。
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公开(公告)号：CN113074846A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110267898.9
申请日：2021-03-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于结构超材料的微流道应力传感器及其制备方法，属于应力传感器制备技术领域。本发明设计的微流道应力传感器，在常规应力传感器的微流道下方增加一层为内凹六边形的柔性超结构网格层，使得传感器在受轴向拉伸时可以实现器件阻变趋势反转，统一了器件在全方向上的阻变趋势，并且提高了器件的应变系数。并且通过对内凹六边形网格的单元结构参数设计以及单元分布设计，调控负泊松比特性对微流道应力传感器的影响程度，从而使得器件可以实现对于沿管直径拉伸方向完全不敏感，即实现了轴向和横向方向的应力解耦，这对于器件只测量特定方向的应力信号提供了合理的设计方向。
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公开(公告)号：CN113074846B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110267898.9
申请日：2021-03-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于结构超材料的微流道应力传感器及其制备方法，属于应力传感器制备技术领域。本发明设计的微流道应力传感器，在常规应力传感器的微流道下方增加一层为内凹六边形的柔性超结构网格层，使得传感器在受轴向拉伸时可以实现器件阻变趋势反转，统一了器件在全方向上的阻变趋势，并且提高了器件的应变系数。并且通过对内凹六边形网格的单元结构参数设计以及单元分布设计，调控负泊松比特性对微流道应力传感器的影响程度，从而使得器件可以实现对于沿管直径拉伸方向完全不敏感，即实现了轴向和横向方向的应力解耦，这对于器件只测量特定方向的应力信号提供了合理的设计方向。
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公开(公告)号：CN109935654B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910216960.4
申请日：2019-03-21
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/34
摘要： 本发明属于光电传感器领域，提供一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及其制备方法，用以克服现有基于多层二硫化钼/硅异质结光电探测器制备工艺复杂的缺点。本发明中，多层二硫化钼直接设置于硅衬底上表面、无需精确转移，采用光刻胶直接作为绝缘层、有效避免SiO2层的使用，而顶电极通过光刻胶上开设窗口直接设置于多层二氧化钼的正上方、大大降低了顶电极制备难度，即结构简单、制备工艺难度小；同时，本发明传感器在可见光和近红外区域表现良好的光电相应，且响应时间可达到150～200us，即灵敏度更高。
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公开(公告)号：CN109166961B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN109900675A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910203042.8
申请日：2019-03-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于质量测量技术领域，提供了一种基于石墨烯拉曼光谱偏移分析得到微小质量的测量装置及其测量方法。利用光刻技术在硅基底上制备特殊的孔洞结构，然后将单层石墨烯转移到硅基底上，使其可以悬空的搭在基底上。将待测物体置于悬空的单层石墨烯上并进行拉曼测试，对拉曼光谱分析，通过石墨烯的拉曼特征峰的偏移可以计算所施加的应变的大小，从而进一步可以得到待测物体质量。基于这种方法所得的微小应变传感器十分灵敏，可以测得纳克级别的质量，同时也可以应用测量低分子级别的分子质量，应用到生物方面的细胞检测。
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公开(公告)号：CN109166961A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN113834418B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111037421.8
申请日：2021-09-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01B7/16
摘要： 本发明提供一种泊松比可调控的柔性应变传感器，属于应变传感电子器件技术领域。发明应变传感器通过设计特殊的力学超结构，使得器件在不同参数条件下实现泊松比的调控。其中，力学超结构层由m×m个力学超结构单元阵列排布形成，力学超结构单元由基础单元以端点为圆心，依次旋转60°、旋转一周得到，所述基础单元呈s型，由三段直线和两段圆弧交替连接构成，直线与圆弧相切；其中，三段直线尺寸相同，两段圆弧尺寸相同。通过改变直线与圆弧的尺寸参数即可实现不同泊松比的调控，从而适应不同的应用场景需求，实现过程简单易操作。
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