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1.

发明公开
一种基于自旋织构的存储器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN112928158A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201911234564.0

申请日：2019-12-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张文旭 , 滕钊 , 曾慧中 , 张万里

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明涉及一种基于自旋织构的存储器，包括基底、铁电层和铁磁层；所述铁电层位于所述基底上；所述铁磁层位于所述铁电层上；所述基底的材料为导电材料，所述铁电层的材料为GeTe、SnTe或HfO2，所述铁磁层的材料为传导电子具有自旋极化的材料。本发明的存储器件具有低功耗、尺寸小、可高密度集成、结构设计简单、读写速度快、与CMOS工艺兼容的优势。本发明还涉及一种基于自旋织构的存储器的制备方法。

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