公开(公告)号：CN114256822A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111574406.7

申请日：2021-12-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 周春华 ,  邓超 ,  周琦 ,  熊琦 ,  王凯弟 ,  王守一 ,  党其亮 ,  张波

IPC分类号： H02H9/02

摘要： 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaN HEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成，利用增强型p‑GaN HEMT器件的栅漏二极管连接方式控制触发电压，并利用限流电阻控制漏电流和泄放电路，同时利用栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能显著降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。

公开(公告)号：CN114256822B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202111574406.7

申请日：2021-12-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 周春华 ,  邓超 ,  周琦 ,  熊琦 ,  王凯弟 ,  王守一 ,  党其亮 ,  张波

IPC分类号： H02H9/02

摘要： 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaN HEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成，利用增强型p‑GaN HEMT器件的栅漏二极管连接方式控制触发电压，并利用限流电阻控制漏电流和泄放电路，同时利用栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能显著降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。

公开(公告)号：CN114301044B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202111574397.1

申请日：2021-12-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 周琦 ,  邓超 ,  周春华 ,  王凯弟 ,  熊琦 ,  王守一 ,  党其亮 ,  张波

IPC分类号： H02H9/04

摘要： 本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到所述串联的二极管的阴极，及其漏极具有电连接到第一限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极，及其栅极具有电连接到所述第二限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其源极具有电连接到所述第二限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到第一限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述串联的二极管的阳极。

公开(公告)号：CN114301044A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111574397.1

申请日：2021-12-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 周琦 ,  邓超 ,  周春华 ,  王凯弟 ,  熊琦 ,  王守一 ,  党其亮 ,  张波

IPC分类号： H02H9/04

摘要： 本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到所述串联的二极管的阴极，及其漏极具有电连接到第一限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极，及其栅极具有电连接到所述第二限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其源极具有电连接到所述第二限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到第一限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述串联的二极管的阳极。