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公开(公告)号:CN103048600B
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201210513098.1
申请日:2012-12-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件反向击穿电压测试系统,通过FPGA控制逻辑单元产生逐步增加的斜坡电压数字信号给高压激励源,输出斜坡电压反向加载到半导体器件上,然后,通过测流电路对半导体器件反向电流进行测试,如果大于设定的电流监测阈值,则输出电流监测信号给FPGA控制逻辑单元启动AD转换,对测压电路测得的电压进行AD转换,得到半导体器件反向击穿电压,同时停止斜坡电压的增加。与传统的静态测试方法相比,不需要等待半导体器件两端施加的反向电压稳定(稳定时间在ms级),这样不仅减少了测试的时间,减少了半导体器件损坏的风险,而且还会减小由于半导体器件温度上升而影响到最终的测试结果,从而提高了测试效率和精度。
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公开(公告)号:CN103217365A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310104927.5
申请日:2013-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 本发明提供了一种在线油路磨粒监测装置,通过在初始上电时,调节油路磨粒传感器的两组激励线圈上激励信号的幅度差和相位差,使油路磨粒传感器的两个激励线圈产生的磁场极性相反并在中间检测线圈处抵消。这样,在平常没有带磨粒的油液通过油路磨粒传感器时,检测线圈上只有一个较小的载波信号输出;当有磨粒的油液通过传感器时,产生的磨粒信号会调制在载波信号上,然后送入信号检测电路进行放大及解调,就能得到有效的磨粒信号,将此磨粒信号送入DSP进行处理,得到油液中磨粒的大小,个数及材质等参数,这些参数反映被监测机械设备的磨损情况,从而实时获得被测设备的健康状况,实现了在线油路磨粒的监测。
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公开(公告)号:CN103217365B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201310104927.5
申请日:2013-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 本发明提供了一种在线油路磨粒监测装置,通过在初始上电时,调节油路磨粒传感器的两组激励线圈上激励信号的幅度差和相位差,使油路磨粒传感器的两个激励线圈产生的磁场极性相反并在中间检测线圈处抵消。这样,在平常没有带磨粒的油液通过油路磨粒传感器时,检测线圈上只有一个较小的载波信号输出;当有磨粒的油液通过传感器时,产生的磨粒信号会调制在载波信号上,然后送入信号检测电路进行放大及解调,就能得到有效的磨粒信号,将此磨粒信号送入DSP进行处理,得到油液中磨粒的大小,个数及材质等参数,这些参数反映被监测机械设备的磨损情况,从而实时获得被测设备的健康状况,实现了在线油路磨粒的监测。
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公开(公告)号:CN103048600A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210513098.1
申请日:2012-12-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件反向击穿电压测试系统,通过FPGA控制逻辑单元产生逐步增加的斜坡电压数字信号给高压激励源,输出斜坡电压反向加载到半导体器件上,然后,通过测流电路对半导体器件反向电流进行测试,如果大于设定的电流监测阈值,则输出电流监测信号给FPGA控制逻辑单元启动AD转换,对测压电路测得的电压进行AD转换,得到半导体器件反向击穿电压,同时停止斜坡电压的增加。与传统的静态测试方法相比,不需要等待半导体器件两端施加的反向电压稳定(稳定时间在ms级),这样不仅减少了测试的时间,减少了半导体器件损坏的风险,而且还会减小由于半导体器件温度上升而影响到最终的测试结果,从而提高了测试效率和精度。
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