基于普通PCB工艺的基片集成镜像介质波导漏波天线

    公开(公告)号:CN107492714A

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201710725472.7

    申请日:2017-08-22

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q13/28

    CPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q13/28

    摘要: 本发明提供一种基于普通PCB工艺的基片集成镜像介质波导漏波天线,包括基片集成镜像介质波导底座、普通PCB工艺加工的基片集成镜像介质波导、多个辐射单元、基片集成镜像介质波导馈电过渡结构、挡板;辐射单元沿基片集成镜像介质波导中心传输带中线排布,构成天线部分;所述基片集成镜像介质波导底座和所述基片集成镜像介质波导上下对齐,挡板通过台阶支撑于底座下方,挡板上通过法兰连接矩形波导,基片集成镜像介质波导馈电过渡结构伸入矩形波导从而实现对天线的馈电;基片集成镜像介质波导的中心传输带的宽度大于其厚度的二倍;本发明通过适当加大中心传输带宽度,可有效减少打孔区域能量泄露造成的传输损耗,从而增加天线效率。

    一种用于前馈单脉冲反射面天线的印刷式低剖面馈源天线

    公开(公告)号:CN109167182A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201810855543.X

    申请日:2018-07-31

    IPC分类号: H01Q19/10 H01Q23/00 H01Q1/38

    摘要: 本发明属于单脉冲雷达天线技术领域,具体提供一种用于前馈单脉冲反射面天线的印刷式低剖面多极化馈源天线,该天线由辐射天线及与之匹配集成的SIW单脉冲比较网络构成,所述辐射天线为2×2阵列天线,所述阵列天线由SIW宽边纵缝天线单元或SIW倾斜缝天线单元以原点为旋转中心、90°为步进旋转构成的,所述SIW单脉冲比较网络为4个天线单元提供相应相位。本发明使用单层SIW技术,将单脉冲比较网络与辐射天线集成在单层基板上,在实现双圆极化单脉冲功能的同时,具有易加工、低剖面和高集成度的优点;同时保证天线圆极化合成效率。

    一种用于前馈单脉冲反射面天线的印刷式低剖面馈源天线

    公开(公告)号:CN109167182B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201810855543.X

    申请日:2018-07-31

    IPC分类号: H01Q19/10 H01Q23/00 H01Q1/38

    摘要: 本发明属于单脉冲雷达天线技术领域,具体提供一种用于前馈单脉冲反射面天线的印刷式低剖面多极化馈源天线,该天线由辐射天线及与之匹配集成的SIW单脉冲比较网络构成,所述辐射天线为2×2阵列天线,所述阵列天线由SIW宽边纵缝天线单元或SIW倾斜缝天线单元以原点为旋转中心、90°为步进旋转构成的,所述SIW单脉冲比较网络为4个天线单元提供相应相位。本发明使用单层SIW技术,将单脉冲比较网络与辐射天线集成在单层基板上,在实现双圆极化单脉冲功能的同时,具有易加工、低剖面和高集成度的优点;同时保证天线圆极化合成效率。