公开(公告)号：CN102184941A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110097449.0

申请日：2011-04-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张波 ,  胡夏融 ,  罗小蓉 ,  李泽宏 ,  邓小川 ,  雷天飞 ,  姚国亮 ,  王元刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降低源极串联电阻，而且提供良好的导热通道利于器件的双面冷却。同时，延伸的源金属场板覆盖于轻掺杂漏区（LDD）之上，降低栅极末端的高电场峰值，并辅助轻掺杂漏区（LDD）耗尽降低栅漏电容。轻掺杂漏区、源金属场板及下方P-衬底的电荷平衡作用，使轻掺杂漏区的载流子浓度提高，器件导通电阻降至最低。本发明在保证低的比导通电阻的前提下降低了栅电荷，从而使得器件具有更低的功耗，具有良好的散热特性。

公开(公告)号：CN102184941B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110097449.0

申请日：2011-04-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张波 ,  胡夏融 ,  罗小蓉 ,  李泽宏 ,  邓小川 ,  雷天飞 ,  姚国亮 ,  王元刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降低源极串联电阻，而且提供良好的导热通道利于器件的双面冷却。同时，延伸的源金属场板覆盖于轻掺杂漏区（LDD）之上，降低栅极末端的高电场峰值，并辅助轻掺杂漏区（LDD）耗尽降低栅漏电容。轻掺杂漏区、源金属场板及下方P-衬底的电荷平衡作用，使轻掺杂漏区的载流子浓度提高，器件导通电阻降至最低。本发明在保证低的比导通电阻的前提下降低了栅电荷，从而使得器件具有更低的功耗，具有良好的散热特性。