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公开(公告)号：CN114530681B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210166257.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开一种多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，属于太赫兹功率合成技术领域，包括依次连接的输入矩形波导、输入模式转换器、多层结构、输出模式转换器和输出矩形波导，多层结构包括M层，在第一、二层，第M‑1、M层之间设置径向功率分配/合成器和沿径向功率分配/合成器外侧等夹角排布的N个弯波导，第三层至第M‑2层为可拆除结构，之间设置N个用于实现功率放大或/和倍频的功能结构，各第一弯波导通过对应功能结构与对应第二弯波导连接。本发明可在不影响其他结构的情况下调试、更换功能芯片，在模块检修和工程应用方面有很大灵活性，降低装配难度，适合太赫兹频段的功率合成及模块封装。
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公开(公告)号：CN114824828A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210492215.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于倒置十字星结构的窄带吸波器，属于电磁超材料技术领域，包括多个周期阵列排布的方形单元结构，方形单元结构包括自下而上依次设置的金属背地、介质衬底和金属倒置十字星结构，金属倒置十字星结构由四个锲形结构组成，锲形结构由矩形和等腰三角形构成，矩形的宽边与等腰三角形的底边相接，各锲形结构的等腰三角形顶角朝向方形单元结构平面的正中心，且互不接触。当电磁波从正面入射至窄带吸波器上时，其中产生磁偶极子共振，实现对电磁波能量的高Q值窄带吸收，吸收频点可灵活调控，具有角度和偏振不敏感的优点。
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公开(公告)号：CN114113691A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111401750.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现校准和去嵌入技术的波导端口测试夹具，包括结构相同的第一测试夹具和第二测试夹具，第一测试夹具和第二测试夹具的上表面和一个侧面上分别设有法兰盘，每个测试夹具上表面和侧面的法兰盘通过测试夹具内部的L型波导连接；第一测试夹具和第二测试夹具的法兰盘用于连接矢量网络分析仪或被测件。本发明将校准和去嵌入应用到波导端口测试夹具，通过校准的方法将测试端面移动到被测件的端面，或者通过去嵌入的方法去掉夹具的影响，就可以得到被测件的真实测试结果。同时将波导端口测试夹具分为两个部分，同一组夹具可应用到处于同一平面不同位置的波导端口被测件。
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公开(公告)号：CN109655970A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910090345.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种太赫兹片上集成过渡结构，包括依次连接的：输入端波导、太赫兹芯片电路以及输出端波导；所述输入端波导、输出端波导均由两级波导构成，具体为：第一级标准波导与第二级减高波导；所述输入端波导、输出端波导中的减高波导的末端为短路平面；所述太赫兹芯片电路至少包括：芯片主电路、输入端微带E面探针、输出端微带E面探针；输入端微带E面探针伸入所述输入端波导中的减高波导内；输出端微带E面探针伸入所述输出端波导中的减高波导内；所述输入端微带E面探针与输出端微带E面探针还与芯片主电路相连；本发明的过渡结构实现了标准波导到太赫兹芯片的过渡，减小了电路的尺寸，提高了传输效率。
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公开(公告)号：CN105182076B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510600863.7
申请日：2015-09-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R25/00
Abstract: 本发明提出了一种基于矢量网络分析仪的二端口网络相移实时测试方法，包括以下步骤：S1、记录未接延迟段的初始零相位状态；S2、测试二端口网络的传输系数曲线图；S3、在曲线上标记出所需频点f0的初始相位θ0；S4、用矢量网络分析仪中电延迟功能来进行相位延迟补偿，当电延迟的补偿量等于延迟段的延迟量时，记录在此之前相位回到初始相位θ0的次数n，计算插入的二端口网络的实际相移量。本发明采用基于矢量网络分析仪的测试值，结合基础的理论对测试数据进行处理，进而求得准确的相移值，完成了准确测试二端口网络插入相移的测试任务，能够广泛应用于等效为二端口网络的微波元器件测试过程中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106450615A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610565875.5
申请日：2016-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS微执行器的可调太赫兹波导带阻滤波器，包括矩形波导、MEMS微执行器及谐振结构；所述矩形波导由对称结构的上腔体和下腔体构成，所述上腔体和下腔体接触面中段均设有矩形直波导，所述矩形直波导两侧对称设置有与其连通的微执行器安装槽；所述MEMS微执行器安装在矩形波导的微执行器安装槽内，其包括驱动器和波导基体；所述驱动器与谐振结构连接，其关于谐振结构对称安装在波导基体表面。本发明采用MEMS微执行器调节太赫兹频段滤波器频率，具有工作频率高，调谐范围广，易于制造，通用性强等优点，在太赫兹系统中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106252804A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610635162.1
申请日：2016-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
CPC classification number: H01P1/208 , H01P1/2088
Abstract: 本发明公开了一种多层毫米波滤波器；其包括从上往下依次层叠的第一PCB层、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层及第二PCB层。本发明的多层毫米波滤波器结合了金属工艺和PCB工艺，融合了腔体结构和平面结构的优点，具有工作频率高、带内插损小、通用性强、体积小、易于集成与制造等优点，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102856615A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210339811.5
申请日：2012-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于380～390GHz的太赫兹波导滤波器，上腔体和下腔体闭合形成滤波器波导腔，闭合形成滤波器波导腔的上腔体和下腔体为硅基镀金材质，波导腔由输入段、输出段以及位于输入段与输出段之间3~7个谐振腔构成，以空气为填充介质，波导腔横截面的宽、高尺寸分别为0.56mm±5μm、0.28mm±5μm，谐振腔由对称隔墙构成的感性耦合窗形成，位于两端的谐振腔腔长小于位于中间谐振腔腔长，位于两端的感性耦合窗的窗宽大于位于中间的感性耦合窗的窗宽。本发明具有工作频段高，损耗小，易加工，方便与其他组件连接等优点，在太赫兹系统中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117439553A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311501225.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种幅度和相位独立可调的模拟预失真结构，包括环形器、威尔金森功分器、由第一隔直电容和第一肖特基势垒二极管组成的第一非线性反射支路，以及由第二隔直电容和第二肖特基势垒二极管组成的第二非线性反射支路；环形器通过第一调谐传输线与威尔金森功分器相连；威尔金森功分器分别与第一非线性反射支路和第二非线性反射支路相连。本发明的模拟预失真结构电路结构简单，能够改善TWTA的非线性。在此基础上，通过调整两条非线性支路的偏置电压，可以实现合成矢量信号的幅度以及相位补偿量的相对独立调节，提高了该结构的适用性及灵活性。
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公开(公告)号：CN113839154A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111018869.5
申请日：2021-09-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/16
Abstract: 本发明公开一种矩形波导TE10模到圆波导旋转TE11模的模式转换器，包括共面魔T结构、4路合成器、若干折弯波导、两个3dB耦合器和四个90°波导扭转器；共面魔T结构的两个输出端口分别经对应折弯波导弯折180°连接至对应3dB耦合器输入端；两个3dB耦合器关于4路合成器中心轴中心对称，直通端和耦合端分别经对应90°波导扭转器连接至4路合成器输入端；与同一个3dB耦合器相连的两个90°波导扭转器关于该3dB耦合器沿电磁信号传输方向的中心轴180°旋转对称；与不同3dB耦合器相连的两对90°波导扭转器关于4路合成器对称面平面对称。该模式转换器具有设计简便、模式纯度高、易于加工制作、转换效率高的优点。
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