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公开(公告)号:CN108706968B
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN201810578005.0
申请日:2018-06-05
申请人: 电子科技大学
摘要: 一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法,属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分,所述主成分以各自标准物计的含量为:Fe2O347~50mol%,NiO 18~22mol%,ZnO 18~22mol%,CuO 9~13mol%,Co2O30.1~0.4mol%,相对所述主成分总量,所述副成分以其标准物计的含量为:BZB:0.3~0.6wt%,Bi2O3:0.03~0.08wt%,CuO:0~0.03wt%。本发明得到的NiCuZn铁氧体在改善材料抗直流偏置特性的同时还保证其具有较高的烧结致密度和饱和磁感应强度。
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公开(公告)号:CN107355994B
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201710571059.X
申请日:2017-07-13
申请人: 西安电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种可折叠索网反射面太阳能灶具,包括底座支架、支撑杆展开收拢机构、索网反射面和灶具放置机构,其中,底座支架上连接支撑杆展开收拢机构,灶具放置机构贯穿支撑杆展开收拢机构并与底座支架相连,索网反射面设在支撑杆展开收拢机构上,灶具放置机构中放置灶具的圆环的中心位于索网抛物面的焦点上,保证抛物面反射光均照射在受热物体上。该装置解决了目前太阳能灶具中多采用刚性固定结构,从而造成的太阳能灶总体质量过大、占用空间大、携带不便的问题。其方便折叠与简单拆卸,使用时操作安装简单方便。
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公开(公告)号:CN109053180A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201811197231.0
申请日:2018-10-15
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/26 , C04B35/622
CPC分类号: C04B35/2616 , C04B35/622 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3274 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298
摘要: 一种低温烧结低损耗LiZn铁氧体材料,属于电子陶瓷技术领域。所述LiZn铁氧体材料在Ti离子取代的基础上,引入二元金属离子部分置换Ti4+离子,其结构式为Li0.43+xZn0.27Ti0.13‑x‑2yBix+yVyFe2.17O4,其中,0≤x≤0.01,0≤y≤0.01,且x+y>0。本发明得到的LiZn铁氧体在获得较低的铁磁共振线宽、微波介电损耗、矫顽力的同时还保证其具有高的饱和磁化强度和剩磁比。
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公开(公告)号:CN108706968A
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201810578005.0
申请日:2018-06-05
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: C04B35/2666 , C04B35/64 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/36 , C04B2235/6562 , H01F1/0315
摘要: 一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法,属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分,所述主成分以各自标准物计的含量为:Fe2O3 47~50mol%,NiO 18~22mol%,ZnO 18~22mol%,CuO 9~13mol%,Co2O3 0.1~0.4mol%,相对所述主成分总量,所述副成分以其标准物计的含量为:BZB:0.3~0.6wt%,Bi2O3:0.03~0.08wt%,CuO:0~0.03wt%。本发明得到的NiCuZn铁氧体在改善材料抗直流偏置特性的同时还保证其具有较高的烧结致密度和饱和磁感应强度。
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公开(公告)号:CN107355994A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710571059.X
申请日:2017-07-13
申请人: 西安电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种可折叠索网反射面太阳能灶具,包括底座支架、支撑杆展开收拢机构、索网反射面和灶具放置机构,其中,底座支架上连接支撑杆展开收拢机构,灶具放置机构贯穿支撑杆展开收拢机构并与底座支架相连,索网反射面设在支撑杆展开收拢机构上,灶具放置机构中放置灶具的圆环的中心位于索网抛物面的焦点上,保证抛物面反射光均照射在受热物体上。该装置解决了目前太阳能灶具中多采用刚性固定结构,从而造成的太阳能灶总体质量过大、占用空间大、携带不便的问题。其方便折叠与简单拆卸,使用时操作安装简单方便。
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公开(公告)号:CN105884342A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610098871.0
申请日:2016-02-23
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: C04B35/26 , C04B35/622
摘要: 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法,属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺,经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程,控制晶粒均匀致密生长,实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880~920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。
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公开(公告)号:CN105884342B
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201610098871.0
申请日:2016-02-23
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01F1/34 , C04B35/26 , C04B35/622
摘要: 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法,属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺,经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程,控制晶粒均匀致密生长,实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880~920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。
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