公开(公告)号：CN105884342A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610098871.0

申请日：2016-02-23

申请人： 电子科技大学

发明人： 贾利军 ,  赵元沛 ,  解飞 ,  张怀武 ,  李元勋

IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622

摘要： 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺，经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程，控制晶粒均匀致密生长，实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880～920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。

公开(公告)号：CN105884342B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610098871.0

申请日：2016-02-23

申请人： 电子科技大学

发明人： 贾利军 ,  赵元沛 ,  解飞 ,  张怀武 ,  李元勋

IPC分类号： H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

摘要： 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺，经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程，控制晶粒均匀致密生长，实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880～920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。