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公开(公告)号：CN109860009B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910115511.0
申请日：2019-02-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于真空电子技术领域，具体提供一种新型纳米冷阴极阵列电子枪，包括：底座、N个第一阳极单元、阴极板、第二阳极板、上绝缘套筒及下绝缘套筒，若干个第一阳极单元均匀分布在底座上，阴极板上开设有倒圆台形孔，每个倒圆台形孔的内斜表面上均铺设有纳米冷阴极发射面，第二阳极板上开设有圆形孔，所述倒圆台形孔、圆形孔与N个第一阳极单元呈一一对应关系。本发明阵列电子枪在阴极附近不需要加磁场，极大的简化了整个电子枪阵列的结构，且通过有效调节第一阳极和第二阳极电压，能够有效调节本发明阵列电子枪所形成的各个电子注横截面半径大小，甚至形成实心电子注，使得本发明电子能够广泛应用于多种电真空器件。
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公开(公告)号：CN109830412B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910115489.X
申请日：2019-02-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J3/02
摘要： 本发明属于真空电子技术领域，具体提供一种新型纳米冷阴极电子枪，包括：阴极、第一阳极、第二阳极、底座、上绝缘套筒及下绝缘套筒，阴极通过下绝缘套筒固定支撑于底座上，第二阳极通过上绝缘套筒固定支撑于阴极上；阴极为中心位置开设有倒圆台形空心腔体的环状金属结构，且阴极内表面设置有环形纳米冷阴极发射带；第一阳极固定于底座上，设置于阴极的空心腔体内、且位于空心腔体中心位置。本发明采用场致发射冷阴极代替热阴极，阴极采用新结构，既能保证场致发射电子不被截获，又能够起到降低工作电压的目的，还保证有足够大的发射面积来发射电流，从而有效的解决纳米冷阴极材料在场致发射应用上场致发射电子注的有效形成这一关键科学问题。
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公开(公告)号：CN111524766B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010264221.5
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波电真空器件领域，涉及毫米波及太赫兹频段电真空器件，具体为一种多片叠加太赫兹高频互作用系统的加工方法；本发明将周期性慢波结构的单个周期分割为周期性耦合腔盘片和周期性间隙盘片，从而使得本发明能够采用分割‑组合式的加工方式，大大降低了工艺难度，给毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源器件的集成性和小型化带来优势；同时，本发明采用激光刻蚀的焊接方式进行加工，有效克服传统焊接方式的缺点，不仅不存在热传导所引起的热损伤的问题，而且能够获得精准尺寸和极高的光洁度。
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公开(公告)号：CN109830412A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910115489.X
申请日：2019-02-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J3/02
摘要： 本发明属于真空电子技术领域，具体提供一种新型纳米冷阴极电子枪，包括：阴极、第一阳极、第二阳极、底座、上绝缘套筒及下绝缘套筒，阴极通过下绝缘套筒固定支撑于底座上，第二阳极通过上绝缘套筒固定支撑于阴极上；阴极为中心位置开设有倒圆台形空心腔体的环状金属结构，且阴极内表面设置有环形纳米冷阴极发射带；第一阳极固定于底座上，设置于阴极的空心腔体内、且位于空心腔体中心位置。本发明采用场致发射冷阴极代替热阴极，阴极采用新结构，既能保证场致发射电子不被截获，又能够起到降低工作电压的目的，还保证有足够大的发射面积来发射电流，从而有效的解决纳米冷阴极材料在场致发射应用上场致发射电子注的有效形成这一关键科学问题。
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公开(公告)号：CN109088610A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810934852.6
申请日：2018-08-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种冷阴极正交场放大器及其应用结构。通过本发明创造，提供了一种采用冷阴极替代热阴极并实现与高频系统相配合的新型正交场放大器及其应用结构，不但简化了器件结构和电源设计，减小了整个器件的体积，还能够使来自高频系统的高频信号可对由冷阴极场致发射的电子流进行直接调制，并伴随着高频电磁波的能量增强，可放大场发射调制效应，进而使调制电子流更加易于与高频电磁波发生注波互作用及进行能量交换，实现对输入的高频信号进行放大的目的。
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公开(公告)号：CN109088610B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810934852.6
申请日：2018-08-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种冷阴极正交场放大器及其应用结构。通过本发明创造，提供了一种采用冷阴极替代热阴极并实现与高频系统相配合的新型正交场放大器及其应用结构，不但简化了器件结构和电源设计，减小了整个器件的体积，还能够使来自高频系统的高频信号可对由冷阴极场致发射的电子流进行直接调制，并伴随着高频电磁波的能量增强，可放大场发射调制效应，进而使调制电子流更加易于与高频电磁波发生注波互作用及进行能量交换，实现对输入的高频信号进行放大的目的。
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公开(公告)号：CN111524766A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010264221.5
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波电真空器件领域，涉及毫米波及太赫兹频段电真空器件，具体为一种多片叠加太赫兹高频互作用系统的加工方法；本发明将周期性慢波结构的单个周期分割为周期性耦合腔盘片和周期性间隙盘片，从而使得本发明能够采用分割‑组合式的加工方式，大大降低了工艺难度，给毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源器件的集成性和小型化带来优势；同时，本发明采用激光刻蚀的焊接方式进行加工，有效克服传统焊接方式的缺点，不仅不存在热传导所引起的热损伤的问题，而且能够获得精准尺寸和极高的光洁度。
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公开(公告)号：CN109860009A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910115511.0
申请日：2019-02-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于真空电子技术领域，具体提供一种新型纳米冷阴极阵列电子枪，包括：底座、N个第一阳极单元、阴极板、第二阳极板、上绝缘套筒及下绝缘套筒，若干个第一阳极单元均匀分布在底座上，阴极板上开设有倒圆台形孔，每个倒圆台形孔的内斜表面上均铺设有纳米冷阴极发射面，第二阳极板上开设有圆形孔，所述倒圆台形孔、圆形孔与N个第一阳极单元呈一一对应关系。本发明阵列电子枪在阴极附近不需要加磁场，极大的简化了整个电子枪阵列的结构，且通过有效调节第一阳极和第二阳极电压，能够有效调节本发明阵列电子枪所形成的各个电子注横截面半径大小，甚至形成实心电子注，使得本发明电子能够广泛应用于多种电真空器件。
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