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公开(公告)号：CN103618025B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310544541.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为，首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区，再进行表面介质层钝化，然后进行激光掺杂工艺形成集电区，制作电极、电极栅线、母线，最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构，即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺，在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散，形成与发射区极性相反，与硅片衬底极性相同的掺杂集电区；简化了工艺流程，有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率；采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103840757B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410116203.7
申请日：2014-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02S20/32
Abstract: 本发明涉及太阳能技术领域，具体的说是涉及一种基于视频流处理的用于光伏发电设备的太阳跟踪方法及装置。本发明的太阳跟踪方法，主要步骤为：通过图像采集装置1实时采集太阳光图像信息，并将采集到的图像信息发送到处理器2；处理器2根据接收到的图像信息获取太阳实时位置坐标，并根据太阳实时位置坐标判断是否需要进行跟踪控制，处理器控制跟踪模块3进行转动，带动太阳能电池组件4，使太阳能电池组件4中的太阳能电池板与太阳光线垂直。本发明的有益效果为，能够精确的对太阳进行实时跟踪，有效提高了太阳能装置对太阳的利用率，促进太阳能装置的发展。本发明尤其适用于光伏发电设备。
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公开(公告)号：CN104270028A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410500365.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M7/537
CPC classification number: H02M7/537
Abstract: 本发明属于电子电路技术，具体的说是涉及一种具有多种输出电压的逆变电路。具有多种输出电压的逆变电路，包括由逆导型IGBT管S1、S2、S3、S4、S5、S6构成的逆变电路和多个负载；其中，S1的漏极接电源E的正极，其源极接S2的漏极；S2的漏极接电源E的负极；S3的漏极接电源E的正极，其源极接S4的漏极；S4的漏极接电源E的负极；S5的漏极接电源E的正极，其源极接S6的漏极；S6的漏极接电源E的负极；多个负载连接在IGBT管之间构成桥式电路。本发明的有益效果为，一个逆变电路可以输出多个回路，且每个输出的功率都可调，可以用于需要多输出的逆变场合，从而节省成本。本发明尤其适用于逆变电路。
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公开(公告)号：CN103840757A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410116203.7
申请日：2014-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02S20/32
Abstract: 本发明涉及太阳能技术领域，具体的说是涉及一种基于视频流处理的用于光伏发电设备的太阳跟踪方法及装置。本发明的太阳跟踪方法，主要步骤为：通过图像采集装置1实时采集太阳光图像信息，并将采集到的图像信息发送到处理器2；处理器2根据接收到的图像信息获取太阳实时位置坐标，并根据太阳实时位置坐标判断是否需要进行跟踪控制，处理器控制跟踪模块3进行转动，带动太阳能电池组件4，使太阳能电池组件4中的太阳能电池板与太阳光线垂直。本发明的有益效果为，能够精确的对太阳进行实时跟踪，有效提高了太阳能装置对太阳的利用率，促进太阳能装置的发展。本发明尤其适用于光伏发电设备。
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公开(公告)号：CN103618025A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310544541.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L31/022441
Abstract: 本发明的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为，首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区，再进行表面介质层钝化，然后进行激光掺杂工艺形成集电区，制作电极、电极栅线、母线，最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构，即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺，在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散，形成与发射区极性相反，与硅片衬底极性相同的掺杂集电区；简化了工艺流程，有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率；采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。
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公开(公告)号：CN104201227A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410495820.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/0201
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率较高的硅太阳能电池及其制备方法。该硅太阳能电池，包括硅太阳能电池片，所述硅太阳能电池片的正面铺设有多条平行设置的金属纳米栅线，在硅太阳能电池片的正面设置有用于汇集金属纳米栅线电流的金属电极母线，所述金属电极母线沿与金属纳米栅线垂直的方向设置。位于硅片表面的金属纳米栅线可以被近似看作入射光的汇聚天线，它们将入射的光能量存储在栅线表面的等离子体激元中，硅片材料吸收激元能量从而激发光生载流子，从而在不影响太阳能电池迎光面对入射光吸收的情况下增大入射光的利用率，提高太阳能电池的光吸收效率，光电转换效率较高。适合在太阳能电池技术领域推广应用。
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