基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置

    公开(公告)号:CN104467681B

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201410619126.7

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H03D7/12

    摘要: 本发明公开了基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置,基波输入波导微带过渡、CMRC结构本振低通滤波器、倍频匹配电路、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、射频输入波导微带过渡、CMRC结构中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上,这样还减少了腔体的加工数目,使加工装配简单,另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工,减小了腔体尺寸。

    截断金属膜片及其构成的E面波导带通滤波器

    公开(公告)号:CN104409814A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410699245.8

    申请日:2014-11-28

    IPC分类号: H01P1/207

    摘要: 本发明公开了截断金属膜片及其构成的E面波导带通滤波器,截断金属膜片,包括第一级耦合金属膜片、第二级耦合金属膜片、第三级耦合金属膜片,第一级耦合金属膜片与第二级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片A,第二级耦合金属膜片与第三级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片B;第一级耦合金属膜片远离中间横向膜片A的一侧连接有2个边缘横向膜片A,2个边缘横向膜片A远离第一级耦合金属膜片的一侧各自都连接有前截断金属膜片,第三级耦合金属膜片远离中间横向膜片B的一侧连接有2个边缘横向膜片B,2个边缘横向膜片B远离第三级耦合金属膜片的一侧各自连接有后截断金属膜片。用E面截断金属膜片单元代替比较短的第一级金属膜片。

    一种420GHz十次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105141260B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201510514513.9

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器,包括依次连接的射频输入波导、射频波导‑悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导‑悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器,射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导‑悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导‑微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振‑中频双工器,本振信号由本振输入波导输入,依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号;所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。

    一种340GHz八次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105048967A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510514409.X

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明提供一种340GHz八次谐波混频器,包括射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、悬置微带-微带互联结构、中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导;射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器,本振信号依次经过双工器、悬置微带-微带互联结构、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号。本发明采用八次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时有效减小混频器尺寸、减低加工难度及成本。

    一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器

    公开(公告)号:CN104660171A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510006359.4

    申请日:2015-01-07

    IPC分类号: H03D7/02

    摘要: 本发明公开了一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器,主空气腔的内底面设置有介质基板,介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构,共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线,微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线;共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线,2个接地线都与主空气腔的内壁连接;还包括平面肖特基反向并联混频二极管,其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接,另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。

    基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置

    公开(公告)号:CN104467681A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410619126.7

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H03D7/12

    摘要: 本发明公开了基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置,基波输入波导微带过渡、CMRC结构本振低通滤波器、倍频匹配电路、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、射频输入波导微带过渡、CMRC结构中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上,这样还减少了腔体的加工数目,使加工装配简单,另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工,减小了腔体尺寸。

    表面通道型混频肖特基二极管三维电磁仿真模型建模方法

    公开(公告)号:CN105205211B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201510514653.6

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: G06F17/50 G06T17/00

    摘要: 本发明提供一种表面通道型混频肖特基二极管三维电磁仿真模型建模方法,首先建立二极管层次结构物理模型;然后根据二极管装配工艺在三维模型仿真软件中模拟安装二极管于传输线上;再然后根据传输线和二极管结构设置传输线端口和各二极管波端口,最后将设置好的模型参数与电路仿真参数结合得到三维电磁仿真模型。本发明方法中每个二极管管芯单独设置一个阳极波端口和一个阴极波端口,使实际二极管,二极管三维电磁仿真模型,二极管电路SPICE参数模型三者保持一致,相较于现有模型更接近实际工作情况;并且本发明建模方法中二极管波端口形状及尺寸能够根据二极管结构进行调整,使得本发明该建模方法适用于200GHz‑500GHz多种表面通道型混频肖特基二极管。

    截断金属膜片及其构成的E面波导带通滤波器

    公开(公告)号:CN104409814B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201410699245.8

    申请日:2014-11-28

    IPC分类号: H01P1/207

    摘要: 本发明公开了截断金属膜片及其构成的E面波导带通滤波器,截断金属膜片,包括第一级耦合金属膜片、第二级耦合金属膜片、第三级耦合金属膜片,第一级耦合金属膜片与第二级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片A,第二级耦合金属膜片与第三级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片B;第一级耦合金属膜片远离中间横向膜片A的一侧连接有2个边缘横向膜片A,2个边缘横向膜片A远离第一级耦合金属膜片的一侧各自都连接有前截断金属膜片,第三级耦合金属膜片远离中间横向膜片B的一侧连接有2个边缘横向膜片B,2个边缘横向膜片B远离第三级耦合金属膜片的一侧各自连接有后截断金属膜片。用E面截断金属膜片单元代替比较短的第一级金属膜片。

    一种420GHz十次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105141260A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510514513.9

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器,包括依次连接的射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导-悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器,射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器,本振信号由本振输入波导输入,依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号;所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。

    基于共面波导传输线的分谐波混频器

    公开(公告)号:CN104579176A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510006331.0

    申请日:2015-01-07

    IPC分类号: H03D7/02

    摘要: 本发明公开了基于共面波导传输线的分谐波混频器,主空气腔的内底面设置有介质基板,介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带传输线,共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线,耦合探针与匹配线的左端连接,微带传输线包括从左到右依次连接的第二横向传输线、中频低通滤波匹配线,共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线,2个接地线都与主空气腔的内壁连接;还包括平面肖特基反向并联混频二极管,其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接,另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。