一种420GHz十次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105141260B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201510514513.9

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器,包括依次连接的射频输入波导、射频波导‑悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导‑悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器,射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导‑悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导‑微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振‑中频双工器,本振信号由本振输入波导输入,依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号;所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。

    一种单基片集成的太赫兹前端

    公开(公告)号:CN104362421B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410618596.1

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H01P5/12

    摘要: 本发明公开了一种单基片集成的太赫兹前端,包括介质基板、输入波导微带过渡、微带空气腔,微带空气腔就是指上述空气腔。从左到右依次是输入波导微带过渡(标准波导口WR-15)、CMRC结构微带低通滤波器、并联双倍频二极管、倍频匹配枝节、本振带通滤波器、混频匹配枝节、混频二极管、射频波导微带过渡(标准波导WR-2.2)、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上,这样还减少了腔体的加工数目,使加工装配简单,另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工,减小了腔体尺寸。

    一种利用开口环的低通滤波器

    公开(公告)号:CN106299561A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610816273.2

    申请日:2016-09-12

    IPC分类号: H01P1/203

    CPC分类号: H01P1/203

    摘要: 本发明公共了一种利用开口环的低通滤波器,属于滤波器领域,特别是利用开口环的低通滤波器。本发明包括空气腔、设置于空气腔中的介质基板、设置于介质基板上的微带线;所述微带线包括:输入段、中间段、输出段,所述各段微带线都为对称结构,其中输入段包括:输入馈电微带线、与输入馈电微带线连接的第一“凹”形支节,该“凹”形支节开口方向为输出段方向;所述输出段微带线包括:输出馈电微带线、与输出馈电微带线连接的第二“凹”形支节,该“凹”形支节开口方向为输入段方向;所述中间段包括:连接输入段与输出段的横向支节、该横向支节上设置的两组“T”形支节,每组包括以该横向支节为对称轴的两个“T”形支节。解决了现有技术中低通滤波器结构复杂、加工困难、尺寸偏大的问题。

    一种340GHz八次谐波混频器

    公开(公告)号:CN105048967A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510514409.X

    申请日:2015-08-20

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明提供一种340GHz八次谐波混频器,包括射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、悬置微带-微带互联结构、中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导;射频信号由射频输入波导输入,经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管;所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器,本振信号依次经过双工器、悬置微带-微带互联结构、射频抑制低通滤波器后馈入二极管,所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号。本发明采用八次谐波混频形式,大大降低了本振频率,同时有效减小混频器尺寸、减低加工难度及成本。

    一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器

    公开(公告)号:CN104660171A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510006359.4

    申请日:2015-01-07

    IPC分类号: H03D7/02

    摘要: 本发明公开了一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器,主空气腔的内底面设置有介质基板,介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构,共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线,微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线;共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线,2个接地线都与主空气腔的内壁连接;还包括平面肖特基反向并联混频二极管,其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接,另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。

    椭圆孔截断金属膜片及其构成的E面波导滤波器

    公开(公告)号:CN104362416A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410699899.0

    申请日:2014-11-28

    IPC分类号: H01P1/208

    摘要: 本发明公开了椭圆孔截断金属膜片及其构成的E面波导滤波器,椭圆孔截断金属膜片,包括一个矩形的金属膜片,金属膜片开有4个椭圆形通孔,椭圆形通孔的长轴为a,椭圆形通孔的短轴为b,b的取值小于或等于金属膜片的宽边长度,4个椭圆形通孔依次分别为椭圆孔A、椭圆孔B、椭圆孔C、椭圆孔D,金属膜片的左端设置有左裂缝、左裂缝与椭圆孔A连通,金属膜片的右端设置有右裂缝,右裂缝与椭圆孔D连通,椭圆孔A左侧的金属膜片形成前截断金属膜片,椭圆孔D右侧的金属膜片形成后截断金属膜片。比现有技术该发明的带内波纹更小、高频抑制性能更好。

    一种宽频带太赫兹谐波混频器

    公开(公告)号:CN105207625B

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201510643991.X

    申请日:2015-10-08

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明公开了一种宽频带太赫兹谐波混频器,包括空腔结构、射频波导、本振波导,空腔结构横穿射频波导和本振波导,在空腔结构内设置有石英基片,在石英基片的正表面设置有去除砷化镓衬底的肖特基二极管对,肖特基二极管对包括2个对称的二极管,2个二极管的正面均具有金属阳极,2个二极管分别为二极管A和二极管B,还包括设置在石英基片上的前端电路和后端电路,其中,二极管A的金属阳极的正面设置有金丝A,金丝A与前端电路连接,二极管B的金属阳极的正面设置有金丝B,金丝B与后端电路连接。

    基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置

    公开(公告)号:CN104467681B

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201410619126.7

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H03D7/12

    摘要: 本发明公开了基于单片集成电路的太赫兹分谐波倍频混频装置,基波输入波导微带过渡、CMRC结构本振低通滤波器、倍频匹配电路、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、射频输入波导微带过渡、CMRC结构中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上,这样还减少了腔体的加工数目,使加工装配简单,另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工,减小了腔体尺寸。

    利用共面传输线的太赫兹二倍频器

    公开(公告)号:CN104617880B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510008723.0

    申请日:2015-01-08

    IPC分类号: H03B19/14 H03B19/00

    摘要: 本发明公开了利用共面传输线的太赫兹二倍频器,包括基波输入波导和主体波导,基波输入波导与主体波导连通;主体波导的内腔底面设置有介质基板,介质基板的左端伸出主体波导后延伸进基波输入波导内,介质基板上设置有下表面与介质基板上表面齐平的共面波导传输线,共面波导传输线包括从左到右依次连接的短路传输线、一级连接传输线、匹配传输线、输出波导匹配传输线、直流偏置低通滤波器,还包括输出波导,输出波导与主体波导交叉连接,输出波导与主体波导的重合区域为区域M,输出波导匹配传输线设置在区域M内;输出波导的左侧设置有2个共面传输线接地传输线,还包括倒贴的四管芯倍频二极管。

    椭圆孔截断金属膜片及其构成的E面波导滤波器

    公开(公告)号:CN104362416B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201410699899.0

    申请日:2014-11-28

    IPC分类号: H01P1/208

    摘要: 本发明公开了椭圆孔截断金属膜片及其构成的E面波导滤波器,椭圆孔截断金属膜片,包括一个矩形的金属膜片,金属膜片开有4个椭圆形通孔,椭圆形通孔的长轴为a,椭圆形通孔的短轴为b,b的取值小于或等于金属膜片的宽边长度,4个椭圆形通孔依次分别为椭圆孔A、椭圆孔B、椭圆孔C、椭圆孔D,金属膜片的左端设置有左裂缝、左裂缝与椭圆孔A连通,金属膜片的右端设置有右裂缝,右裂缝与椭圆孔D连通,椭圆孔A左侧的金属膜片形成前截断金属膜片,椭圆孔D右侧的金属膜片形成后截断金属膜片。比现有技术该发明的带内波纹更小、高频抑制性能更好。