一种小型化太赫兹低通滤波器

    公开(公告)号:CN106229591B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201610816508.8

    申请日:2016-09-12

    IPC分类号: H01P1/203

    摘要: 该发明公开了一种小型化太赫兹低通滤波器,属于一种滤波器,特别是太赫兹低通滤波器。本发明将开口环(SRR)结构引入到低通滤波器设计中,并对其改进实现SRR结构的串并联最终实现宽的高频抑制阻带,用SRR结构实现的低通滤波器展示了良好的低通滤波特性。由于SRR结构通过调节很少的变量即可控制滤波器的通带,且所使用的线宽一致且可以调控,这样降低了设计和加工的难度。与阶跃型结构和带隙能结构构成的低通滤波器相比,在相同的阻带抑制特性下,开口环低通滤波器有更小尺寸和更宽的阻带。

    一种宽频带太赫兹谐波混频器

    公开(公告)号:CN105207625A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510643991.X

    申请日:2015-10-08

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明公开了一种宽频带太赫兹谐波混频器,包括空腔结构、射频波导、本振波导,空腔结构横穿射频波导和本振波导,在空腔结构内设置有石英基片,在石英基片的正表面设置有去除砷化镓衬底的肖特基二极管对,肖特基二极管对包括2个对称的二极管,2个二极管的正面均具有金属阳极,2个二极管分别为二极管A和二极管B,还包括设置在石英基片上的前端电路和后端电路,其中,二极管A的金属阳极的正面设置有金丝A,金丝A与前端电路连接,二极管B的金属阳极的正面设置有金丝B,金丝B与后端电路连接。

    一种新型的全固态太赫兹接收机前端

    公开(公告)号:CN107342780B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN201710630619.4

    申请日:2017-07-28

    IPC分类号: H04B1/10 H04B1/26 H04B1/16

    摘要: 一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器、本振H面波导功分器、中频耦合环、直流偏置、中频信号和两个太赫兹基波混频器,其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;射频信号和本振驱动信号分别经射频波导‑微带过渡、本振波导‑微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环,经180°相位变换后,输出中频信号。本发明太赫兹接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。

    一种宽频带太赫兹谐波混频器

    公开(公告)号:CN105207625B

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201510643991.X

    申请日:2015-10-08

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明公开了一种宽频带太赫兹谐波混频器,包括空腔结构、射频波导、本振波导,空腔结构横穿射频波导和本振波导,在空腔结构内设置有石英基片,在石英基片的正表面设置有去除砷化镓衬底的肖特基二极管对,肖特基二极管对包括2个对称的二极管,2个二极管的正面均具有金属阳极,2个二极管分别为二极管A和二极管B,还包括设置在石英基片上的前端电路和后端电路,其中,二极管A的金属阳极的正面设置有金丝A,金丝A与前端电路连接,二极管B的金属阳极的正面设置有金丝B,金丝B与后端电路连接。

    一种新型的全固态太赫兹接收机前端

    公开(公告)号:CN107342780A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710630619.4

    申请日:2017-07-28

    IPC分类号: H04B1/10 H04B1/26 H04B1/16

    CPC分类号: H04B1/10 H04B1/16 H04B1/26

    摘要: 一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器、本振H面波导功分器、中频耦合环、直流偏置、中频信号和两个太赫兹基波混频器,其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;射频信号和本振驱动信号分别经射频波导-微带过渡、本振波导-微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环,经180°相位变换后,输出中频信号。本发明太赫兹接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。

    一种小型化太赫兹低通滤波器

    公开(公告)号:CN106229591A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610816508.8

    申请日:2016-09-12

    IPC分类号: H01P1/203

    摘要: 该发明公开了一种小型化太赫兹低通滤波器,属于一种滤波器,特别是太赫兹低通滤波器。本发明将开口环(SRR)结构引入到低通滤波器设计中,并对其改进实现SRR结构的串并联最终实现宽的高频抑制阻带,用SRR结构实现的低通滤波器展示了良好的低通滤波特性。由于SRR结构通过调节很少的变量即可控制滤波器的通带,且所使用的线宽一致且可以调控,这样降低了设计和加工的难度。与阶跃型结构和带隙能结构构成的低通滤波器相比,在相同的阻带抑制特性下,开口环低通滤波器有更小尺寸和更宽的阻带。

    一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路

    公开(公告)号:CN107370458A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710631383.6

    申请日:2017-07-28

    IPC分类号: H03D7/14

    CPC分类号: H03D7/1408

    摘要: 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路,包括射频3dB分支波导定向耦合器、本振135度相移3dB分支波导定向耦合器、同轴探针、中频耦合环、中频信号和两个太赫兹分谐波混频器,所述太赫兹分谐波混频器包括射频波导-微带过渡、单片集成肖特基二极管对、本振波导-微带过渡、中频滤波器和本振低通滤波器;其中,所述单片集成肖特基二极管对为反向并联的二极管对。本发明太赫兹混频电路中的谐波混频器采用半导体技术得到,可精确控制二极管位置以及微带电路的尺寸,误差远小于人工装配,极大地减小了装配误差对混频电路性能的影响;同时,该混频电路可有效消除本振噪声,提高了系统的噪声性能和效率。

    一种小型化太赫兹低通滤波器

    公开(公告)号:CN206076464U

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201621049329.8

    申请日:2016-09-12

    IPC分类号: H01P1/203

    摘要: 该发明公开了一种小型化太赫兹低通滤波器,属于一种滤波器,特别是太赫兹低通滤波器。本实用新型将开口环(SRR)结构引入到低通滤波器设计中,并对其改进实现SRR结构的串并联最终实现宽的高频抑制阻带,用SRR结构实现的低通滤波器展示了良好的低通滤波特性。由于SRR结构通过调节很少的变量即可控制滤波器的通带,且所使用的线宽一致且可以调控,这样降低了设计和加工的难度。与阶跃型结构和带隙能结构构成的低通滤波器相比,在相同的阻带抑制特性下,开口环低通滤波器有更小尺寸和更宽的阻带。

    一种新型的全固态太赫兹接收机前端

    公开(公告)号:CN207184463U

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201720929645.2

    申请日:2017-07-28

    IPC分类号: H04B1/10 H04B1/26 H04B1/16

    摘要: 一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器、本振H面波导功分器、中频耦合环、直流偏置、中频信号和两个太赫兹基波混频器,其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;射频信号和本振驱动信号分别经射频波导-微带过渡、本振波导-微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环,经180°相位变换后,输出中频信号。本实用新型太赫兹接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路

    公开(公告)号:CN207010630U

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201720929644.8

    申请日:2017-07-28

    IPC分类号: H03D7/14

    摘要: 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路,包括射频3dB分支波导定向耦合器、本振135度相移3dB分支波导定向耦合器、同轴探针、中频耦合环、中频信号和两个太赫兹分谐波混频器,所述太赫兹分谐波混频器包括射频波导-微带过渡、单片集成肖特基二极管对、本振波导-微带过渡、中频滤波器和本振低通滤波器;其中,所述单片集成肖特基二极管对为反向并联的二极管对。本实用新型太赫兹混频电路中的谐波混频器采用半导体技术得到,可精确控制二极管位置以及微带电路的尺寸,误差远小于人工装配,极大地减小了装配误差对混频电路性能的影响;同时,该混频电路可有效消除本振噪声,提高了系统的噪声性能和效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利