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公开(公告)号：CN109786295A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910025495.6
申请日：2019-01-11
申请人： 电子科技大学 , 四川洪芯微科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。
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公开(公告)号：CN109786295B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910025495.6
申请日：2019-01-11
申请人： 电子科技大学 , 四川洪芯微科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。
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公开(公告)号：CN209133477U
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201920043777.4
申请日：2019-01-11
申请人： 电子科技大学 , 四川洪芯微科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种高压台面半导体器件的3D打印沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本实用新型能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本实用新型适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110571174A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910859534.2
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片晶粒挑选装置，包括机架、用于传输晶圆用的传送带以及用于挑选带有磁粉墨点的晶粒的筛选机构，所述筛选机构包括设置于传送带一侧的转轴，所述转轴上连接有驱动装置，所述转轴上端设置有多个支撑板，每个所述支撑板上均设置有电磁板以及控制电磁板开关的控制系统，所述机架上设置有与转轴同侧的用于接收从电磁板上掉落的晶粒的收集盘。本发明通过传送带不停的传送晶圆并且转轴不停的转动使得转轴上的支撑板依次扫过晶圆不需要传送带停止等待晶圆筛选完毕后继续运动，提高了筛选效率，不需要另外的机构将晶粒刮下，提高了瑕疵晶粒的完整度，有利于后期回收利用。
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公开(公告)号：CN110587893A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910859523.4
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体塑封料上料装置，包括分料装置，所述分料装置包括上料斗、设置在上料斗内的振动筛、设置在振动筛下方的漏斗形的上料孔以及与上料孔连通的上料管，还包括精确导料装置，所述精确导料装置包括水平放置的上导料板、与位于上导料板下方的下导料板，所述上导料板上开设有正对上料管的接料孔，所述下导料板上设置有与接料孔对应的高度与塑封料厚度相同的落料孔，所述落料孔的下端设置有可滑动的挡板，所述挡板一端连接有驱动挡板滑动的动力机构，所述上导料板固定，所述下导料板一侧连接有驱动机构，所述动力机构连接有控制系统，所述下导料板与上料模具相接触，所述上料模具上设置有接料凹槽。
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公开(公告)号：CN110600535A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910859535.7
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提供了一种肖特基二极管芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括背面金属层、衬底层、外延层、肖特基势垒层、P型保护环、氧化层和正面金属层，背面金属层一端面向外依次设有衬底层和外延层，肖特基势垒层、P型保护环和氧化层均设于外延层远离衬底层的端面，其中肖特基势垒层设于外延层表面的中央，P型保护环设于肖特基势垒层的外围，正面金属层设于肖特基势垒层远离外延层的端面，氧化层设于正面金属层的外围且承接于P型保护环；还包括沟槽钝化保护层，沟槽钝化保护层包覆于衬底层、外延层、P型保护环和氧化层外侧；本发明设计合理，通过芯片外围包覆沟槽钝化保护层，有效缓解器件的结终端峰值电场，具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN210325717U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921513918.0
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种芯片晶粒挑选装置，包括机架、用于传输晶圆用的传送带以及用于挑选带有磁粉墨点的晶粒的筛选机构，所述筛选机构包括设置于传送带一侧的转轴，所述转轴上连接有驱动装置，所述转轴上端设置有多个支撑板，每个所述支撑板上均设置有电磁板以及控制电磁板开关的控制系统，所述机架上设置有与转轴同侧的用于接收从电磁板上掉落的晶粒的收集盘。本实用新型通过传送带不停的传送晶圆并且转轴不停的转动使得转轴上的支撑板依次扫过晶圆不需要传送带停止等待晶圆筛选完毕后继续运动，提高了筛选效率，同时不需要另外的机构将晶粒刮下，提高了瑕疵晶粒的完整度，有利于后期回收利用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210272370U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921511991.4
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本实用新型提供了一种肖特基二极管芯片，涉及半导体器件技术领域，包括背面金属层、衬底层、外延层、肖特基势垒层、P型保护环、氧化层和正面金属层，背面金属层一端面向外依次设有衬底层和外延层，肖特基势垒层、P型保护环和氧化层均设于外延层远离衬底层的端面，其中肖特基势垒层设于外延层表面的中央，P型保护环设于肖特基势垒层的外围，正面金属层设于肖特基势垒层远离外延层的端面，氧化层设于正面金属层的外围且承接于P型保护环；还包括沟槽钝化保护层，沟槽钝化保护层包覆于衬底层、外延层、P型保护环和氧化层外侧；本实用新型设计合理，通过芯片外围包覆沟槽钝化保护层，有效缓解器件的结终端峰值电场，具有较高的击穿电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204999994U
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201520676131.1
申请日：2015-09-02
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及功率半导体芯片PN结保护技术领域，尤其涉及一种半导体玻璃钝化电泳装置。包括用于盛放电泳液进行电泳反应的电泳槽、废液收集池。其特征在于：所述电泳槽和所述废液收集池之间设置精馏装置，所述精馏装置与所述电泳槽之间设置回收液存储罐；所述精馏装置精馏提纯来自电泳槽的所述电泳液，所述回收液存储罐用于存储由所述精馏装置精馏所述电泳液而提纯的回收液。所述废液收集池承接由所述精馏装置产生的废液，所述回收液存储罐与所述电泳槽相连接。实现电泳液成分的回收利用，大幅度减少诸如丙酮等化学品的使用。经过提纯后的所述电泳液中的化学品浓度大大降低，降低化学品的环保处理成本，具有重大的济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN210910856U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201921514633.9
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种半导体塑封料上料装置，包括分料装置，所述分料装置包括上料斗、设置在上料斗内的振动筛、设置在振动筛下方的漏斗形的上料孔以及与上料孔连通的上料管，还包括精确导料装置，所述精确导料装置包括水平放置的上导料板、与位于上导料板下方的下导料板，所述上导料板上开设有正对上料管的接料孔，所述下导料板上设置有与接料孔对应的高度与塑封料厚度相同的落料孔，所述落料孔的下端设置有可滑动的挡板，所述挡板一端连接有驱动挡板滑动的动力机构，所述上导料板固定，所述下导料板一侧连接有驱动机构，所述动力机构连接有控制系统，所述下导料板与上料模具相接触，所述上料模具上设置有接料凹槽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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